ŁUKASZ STARZAK- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora ŁUKASZ STARZAK w naszych czasopismach

Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"ŁUKASZ STARZAK"

» Praca ze zmienną częstotliwością przełączania jako metoda redukcji amplitud zaburzeń w przekształtnikach impulsowych

W pracy przedstawiono techniki sterowania impulsowymi przekształtnikami energii ze zmienną częstotliwością przełączania, pozwalające na zmniejszenie amplitud składowych widma częstotliwościowego generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Zaprezentowano wyniki uzyskane w układzie przetwornicy obniżającej napięcie z użyciem metody modulacji częstotliwości. Abstract. In this work, control techniques of switched mode power converters involving variable switching frequency have been described that enable reducing component amplitudes of the frequency spectrum of electromagnetic disturbance generated. Results obtained in a buck converter circuit using the frequency modulation method have been presented. (Variable switching frequency operation as a method for disturbance amplitudes reduction in switched mode power converters). Słowa kluczowe: zaburzenia elektromagnetyczne, przetwornica, rozmywanie widma, modulacja częstotliwości przełączania. Keywords: electromagnetic disturbance, power converter, spread spectrum, switching frequency modulation. Wstęp Ze względu na wysoką sprawność przetwarzania energii, przekształtniki o działaniu przełączającym są nieodłącznym składnikiem większości układów zasilających. Układy, w których łączniki półprzewodnikowe są sterowane przebiegami impulsowymi, pozwalają również na poprawę innych parametrów, takich jak współczynnik mocy. Szybkie przełączanie przyrządów półprzewodnikowych z wysoką częstotliwością powoduje jednak powstanie składowych prądów i napięć o wyższych częstotliwościach, rzędu od 10 kHz wzwyż [1], które zaburzają środowisko. Przedmiotem zainteresowania niniejszej pracy są zaburzenia przewodzone w paśmie 150 kHz … 30 MHz. Redukcja emisji zaburzeń jest koniecznym warunkiem rozwoju przekształtników impulsowych w kierunku zwiększania przetwarzanej mocy. Wyróżnić tu można dwa nadrzędne podejścia [2]: redukcję wygenerowanych zaburzeń na drodze ich propagacji oraz minimalizację zaburzeń u[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012/2

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Modelowanie kompaktowych lamp fluorescencyjnych do badań ich oddziaływania na sieć zasilającą

Łukasz STARZAK

Sławomir BEK

W artykule wykazano konieczność stosowania właściwych modeli lamp fluorescencyjnych już na etapie projektowania, współpracującego z lampą, statecznika elektronicznego. Model rezystancyjny o wykładniczej zależności od pobieranej mocy w wystarczająco dokładny sposób odzwierciedla nie tylko zależności napięciowo-prądowe układu, ale również pozwala określić wartość wskaźników energetycznych charakt[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» IGBT static model based on diffusion equation implemented in SPICE source code

ŁUKASZ STARZAK

ANDRZEJ NAPIERALSKI

Bipolar power semiconductor devices, such as the PIN diode or the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), have the advantage of low voltage drop at high current densities. This is achieved through introduction of excess carriers into the wide, lightly doped base layer which is necessary for obtaining high voltage capability. A power semiconductor device is normally used as a switch. Bipolar power device switching takes more time and involves physical phenomena more complex than in the case of unipolar devices such as the power MOSFET. Thus, excess carriers influence strongly static and dynamic properties of the device. This causes problems when the device is used in a circuit but also makes its modelling more troublesome [1]. Motivation Power semiconductor device models presently fall into one of the following two categories. 1. Full physical models are based on microscopic description of physical phenomena and take into account the dimensions of the semiconductor structure. They are very accurate, yet not accessible to the average electronic engineer. They need special, multidimensional simulators that are costly and need special skills to be used. Moreover, geometrical and physical parameters must be known that are obviously not made available by device manufacturers. 2. In the widely used electronic circuit simulators, compact behavioural models are used. They are easy to use for circuit designers but yield inaccurate or even erroneous results. This is because they are either models of signal-oriented devices (as opposed to power-oriented ones) developed for the needs of VLSI circuit design,[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zaburzenia generowane w przetwornicy impulsowej o wysokiej częstotliwości przełączania zawierającej diodę z węglika krzemu

Łukasz STARZAK

Kamil GRABOWSKI

Tomasz POŹNIAK

Artykuł przedstawia wyniki badań zaburzeń przewodzonych powstających w impulsowej przetwornicy podwyższającej napięcie, w której użyta została unipolarna dioda mocy z węglika krzemu. Przeanalizowano wpływ częstotliwości i szybkości przełączania układu na widmo zaburzeń elektromagnetycznych, a także na sprawność energetyczną. Wyniki porównano z uzyskanymi w tym samym układzie po zastosowaniu bipolarnej diody krzemowej (PIN). Abstract. The paper presents investigation results of conducted disturbances arising in a switched mode boost power converter in which a unipolar diode made of silicon carbide has been used. The effect of circuit switching frequency and speed on electromagnetic disturbance spectrum as well as on efficiency has been analysed. Results have been compared to ones obtained in the same circuit after applying a bipolar silicon diode (PIN). (Disturbances generated in a switched mode power converter containing a silicon carbide diode). Słowa kluczowe: zaburzenia elektromagnetyczne, przetwornica impulsowa, dioda, węglik krzemu. Keywords: electromagnetic disturbance, switched mode power converter, diode, silicon carbide. Wstęp Węglik krzemu należy do grupy materiałów półprzewodnikowych o szerokiej przerwie energetycznej. W porównaniu z krzemem, posiada on wiele korzystnych właściwości w kontekście elektroniki mocy [1, 2]. W pierwszej kolejności należy tu wskazać wyższe krytyczne natężenie pola elektrycznego Ecrit (o rząd wielkości) przy zbliżonej przenikalności elektrycznej. Wysokie napięcie przebicia przyrządów półprzewodnikowych mocy uzyskuje się wytwarzając warstwy półprzewodnikowe o odpowiednio dużych wymiarach i małej koncentracji domieszek. Jeżeli wartość Ecrit jest większa, poziom domieszkowania może być wyższy, a długość obszaru (w kierunku przewodzenia prądu) - mniejsza, co przekłada się wprost na niższą rezystancję [3]. Tym samym przyrząd unipolarny [...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012/2

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a