Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"KRZYSZTOF ROLA"

» Etching of Si(100) and (110) substrates in KOH solutions saturated and son-saturated with isopropyl alcohol

KRZYSZTOF ROLA

IRENA ZUBEL

MAŁGORZATA KRAMKOWSKA

Anisotropic etching of silicon is commonly used to fabricate spatial MEMS and MOEMS structures applied in micromechanics and optoelectronics. The most popular are KOH and TMAH solutions, both pure as well as containing different alcohol or surfactant additives. The additives to the basic solutions change the etching anisotropy and cause some reduction of etch rates of several crystallographic planes, like (110), (331) and (221) what is used to reduce the convex corners undercut. The solution of KOH with isopropyl alcohol (IPA) is currently the most frequently used in silicon anisotropic etching. The process is usually carried out in the solutions saturated with IPA since it guarantees stability of the solution composition and the best morphology of (100) plane which is the most commonly used in micromechanical devices [1]. In the paper, the results of etching in KOH solutions with IPA content below saturation are compared with the results of etching in KOH solutions saturated with IPA. The analysis of the etching process in these solutions may be useful for explaining the etching mechanism. Etching in KOH solutions saturated with isopropyl alcohol The etching experiments were carried out in a thermostated vessel at the temperature of 75ºC, with the use of mechanical stirring. The etching rates of (100) and (110) planes obtained in KOH and KOH saturated with IPA solutions are shown in Figs. 1 and 2. The morphologies of the surfaces obtained after the etching are shown in Figs. 3 and 4. The obtained results show that in pure KOH solutions with the concentration exceeding 7 mol, smooth Si (100) surfaces, etched with the Fig. 1. Etch rates of the silicon substrates Rys. 1. Szybkości trawienia podłoży 2 4 6 8 10 12 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 etch rate [um/min] KOH concentration [M] (100) KOH (100) KOH+IPA 2 4 6 8 10 12 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 etch rate [um/min] KOH concentration [M] (110) [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Zastosowanie związków powierzchniowo-czynnych do teksturyzacji podłoży krzemowych

Irena Zubel

Filip Granek

Krzysztof Rola

Katarzyna Banaszczyk

Teksturowanie monokrystalicznych podłoży krzemowych (100), wykorzystywanych do wytwarzania ogniw słonecznych jest zagadnieniem niezwykle aktualnym ze względu na coraz szersze wykorzystanie energii słonecznej jako źródła energii odnawialnej. Ma ono na celu minimalizację strat energii związanych z odbiciem padającego promieniowania. Prowadzi do zmniejszenia współczynnika odbicia światła, a w konsekwencji do poprawy sprawności ogniw. Teksturyzacja zachodzi w wyniku anizotropowego trawienia krzemu w roztworach alkalicznych NaOH, KOH, przy niskich koncentracjach wodorotlenków [1-3]. Ostatnio w technologiach MEMS wodorotlenki te są często zastępowane przez wodorotlenek organiczny TMAH (wodorotlenek tetrametyloamoniowy), aby uniknąć szkodliwego wpływu jonów metali alkalicznych. TMAH jest też stosowany do teksturowania powierzchni [4]. Wielu autorów podkreśla jednak, że teksturowanie w czystych wodorotlenkach nie daje jednorodnie steksturowanej powierzchni z powodu złego odprowadzania pęcherzyków wodoru z trawionych podłoży. Aby temu zapobiec, do roztworów dodawane są związki powierzchniowo czynne, zwiększające zwilżalność powierzchni. Najczęściej stosuje się alkohole, takie jak alkohol izopropylowy (IPA) czy alkohol tert-butylowy (TBA), które poprawiają jednorodność teksturowanej powierzchni [5-9]. Stosowanie alkoholi wiąże się jednak z pewnymi niedogodnościami, wynikającymi z ich niskiej temperatury wrzenia (temperatura wrzenia IPA wynosi ok. 82ºC). Proces teksturowania krzemu prowadzony jest w wysokiej temperaturze (70...90ºC). Lotne alkohole nie pozwalają na zwiększenie temperatury procesu powyżej 80ºC, a tym samym skrócenie czasu trawienia, a dodatkowo sprawiają, że skład roztworu jest niestabilny, a szkodliwe pary alkoholi przedostają się do środowiska. W celu utrzymania stałej zawartości alkoholu (np. IPA) w roztworze, alkohol musi być dodawany w trakcie pro- Skute[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012/2

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a