» Diagnostyka struktur półprzewodnikowych z wykorzystaniem zaawansowanych technik bliskiego pola
|
|
ANDRZEJ SIKORA 
Rozwój technik mikroelektronicznych owocuje pojawianiem
się na rynku nowych wersji analogowych i cyfrowych układów
scalonych. Postęp w tej dziedzinie związany jest z zastosowaniem
nowego rodzaju architektur, zmniejszaniem rozmiaru
pojedynczych struktur, zwiększaniem częstotliwości
granicznej pracy układów, czy też zastosowaniem nowych
materiałów i technologii. Każdy nowy produkt wymaga przeprowadzenia
odpowiednich testów potwierdzających jego niezawodność
i odporność na warunki pracy podane w specyfikacji.
W przypadku pojawiania się defektów czy uszkodzeń
w układzie, niezwykle ważna jest identyfikacja źródła problemu
i jego eliminacja. Ze względu na małe gabaryty struktur
półprzewodnikowych, których wymiary obecnie mierzone
są w dziesiątkach nanometrów, konieczne jest zastosowanie
technik pozwalających na przeprowadzenie pomiarów z odpowiednią
rozdzielczością. Narzędziem, które pozwala na obserwację
różnych właściwości fizycznych w powierzchni z nanometrową
rozdzielczością, jest rodzina technik pomiarowych
ogólnie określana jako mikroskopia bliskiego pola (ang. Near
Field Microscopy) często określana także jako mikroskopia sił
atomowych (ang. Atomic Force Microscopy). W diagnostyce
struktur półprzewodnikowych szczególne znaczenie mogą
Ocena pracy układu na podstawie pomiaru
rozkładu potencjałów elektrostatycznych
Mikroskopia sił elektrostatycznych (ang. Electrostatic Force
Microscopy) jest trybem pozwalającym na obrazowanie
oddziaływań elektrostatycznych nad powierzchnią próbki
[1-4], polegającym na obserwacji sił działających pomiędzy
powierzchnią a przewodzącym, spolaryzowanym ostrzem
skanującym, znajdującym się kilkadziesiąt nanometrów nad
próbką.
Technika ta umożliwia stworzenie skorelowanych ze sobą[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/9
|
|
|
» Programy Uwalniania Gazu Ziemnego jedną z metod na wzrost konkurencyjności
|
|
Andrzej Sikora
Rada Europejska w lutym 2011 r. - zobowiązała Kraje Członkowskie
UE do zakończenia procesu integracji rynku gazu do 2014 r. Po
wdrożeniu III pakietu liberalizacyjnego, zarówno Komisja Europejska,
jak i krajowe organy regulacyjne, kontrolne i antymonopolowe,
dysponują całą gamą rozwiązań, które mogą istotnie wesprzeć
proces liberalizacji rynku gazu ziemnego, w tym także w Polsce,
a także mocno wpłynąć na pozycję rynkową oraz uzyskiwane wyniki
sprzedażowe i finansowe firm zasiedziałych (incumbents).
Konkurencyjny rynek gazu. Teoretyczne modele liberalizacji
rynków gazowych w Europie
W oparciu o doświadczenia rynkowe sąsiednich krajów UE, do
najważniejszych i najbardziej brzemiennych w skutki dla polskiego
rynku gazowego i PGNiG SA, należy zaliczyć następujące instrumenty
regulacyjne:
Możliwą interwencję w relacje kontraktowe pomiędzy sprzedawcą
(PGNiG) a - w pierwszej fazie - kupującym znaczne wolumeny
gazu klientem (firmą dystrybucyjną, odbiorcą przemysłowym,
producentem energii, itp.), natomiast w drugim etapie
- wszystkich klientów, odnoszącą się do takich kwestii jak:
● Rozdzielenie przesyłu i dystrybucji od obrotu - zakaz umów
kompleksowych, który pozwoli np. wprowadzić zasadę
"moce przesyłowe podążają za kupującym" (capacity goes
with customer).
● Długości trwania kontraktów na dostawy gazu - poprzez
wprowadzenie ograniczenia czasu trwania dla dotychczasowych
umów długoterminowych dla dużych klientów, np.
- dla dostaw powyżej 50% całości zapotrzebowania danego
podmiotu, a kontrakt nie może być dłuższy niż dwa lata, dla
80% nie dłuższy niż rok, itd. - lub w wersji bardziej drastycznej
- ustawowe ograniczenie czasu obowiązywania
wszystkich umów na dostawy gazu do 6, 12 lub 24 miesięcy
(wariant duński)dla wszystkich klientów. W bardziej negatywnym
scenariuszu limity czasu trwania, dla umów długoterminowych,
mogą obowiązywać tylko firmę dominującą na
rynku, w tym przypadku PGNiG.
● Ograniczeń w [...]
więcej»
w zeszycie
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA 2012/3
|
|
|
» System zaawansowanej analizy sygnałów do pomiaru właściwości mechanicznych powierzchni w mikroskopii sił atomowych
|
|
Andrzej SIKORA Łukasz BEDNARZ
W niniejszym artykule zaprezentowano opracowany moduł diagnostyczny, który pozwolił na rozszerzenie możliwości pomiarowych
komercyjnego mikroskopu sił atomowych. Zaimplementowane rozwiązanie sprzętowo-programowe pozwala na detekcję skrętnych wychyleń belki
skanującej. W efekcie możliwe jest zrekonstruowanie krzywej spektroskopii sił, co umożliwia szybkie, wysokorozdzielcze mapowanie właściwości
powierzchni takich jak sztywność, adhezja czy rozpraszanie energii..
Abstract. In this paper, the development of diagnostic upgrade for commercial atomic force microscope is presented. By designing and
implementing electronic and software solution, the torsional oscillations of the cantilever detection was possible. As the consequence, the force
spectroscopy curve could be reconstructed allowing to perform fast, high-resolution mapping of mechanical properties of the sample such stiffness,
adhesion or energy dissipation. (System for advanced signal analysis in measurements of surface’s mechanical properties in atomic force
microscopy).
Słowa kluczowe: mikroskopia sił atomowych, techniki pomiarowe, przetwarzanie sygnałów.
Keywords: atomic force microscopy, measurement techniques, signal processing, harmonic analysis.
Wstęp
Mikroskopia sił atomowych w ostatnich latach stała się
niezwykle popularnym narzędziem badawczym.
Różnorodność trybów pomiarowych, pozwalających
uzyskać szereg informacji na temat budowy i właściwości
powierzchni (mechanicznych, elektrycznych,
magnetycznych, termicznych), stanowi olbrzymi potencjał
badawczy materiałów i struktur w mikro- i nanoskali. Rozwój
technik pomiarowych pozwala na otrzymanie bardziej
miarodajnych wyników oraz na zwiększanie rozdzielczości
przestrzennej. Idea działania mikroskopii sił atomowych
polega na obserwacji oddziaływań pomiędzy wykonanym z
krzemu ostrzem skanującym a powierzchnią próbki. Ze
względu na mały promień krzywizny ostrza skanującego
(pojedyncze nanometry lub dziesiątki nanometr[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/11a
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
» Wyznaczanie parametrów sygnału okresowego w przenośnym systemie tomografii impedancyjnej pni drzew
|
|
|
ANDRZEJ SIKORA PRZEMYSŁAW KRYLA WOJCIECH ZMYŚLONY
Jedną z cieszących się dużą popularnością bezinwazyjnych
metod diagnostycznych w technice i naukach biologicznych
jest tomografia. Technika ta pozwala uzyskać obraz przekroju
danego obiektu bez uszkadzania jego struktury. Realizowane
jest to poprzez wykonanie odpowiedniej liczby pomiarów wielkości
fizycznej zależnej od właściwości budowy wewnętrznej
obiektu. W szerokiej grupie technik tomograficznych wyróżnić
można, między innymi, tomografię impedancyjną. Do obiektów
wymagających bezinwazyjnej oceny struktury wewnętrznej
zalicza się między innymi drzewa, które ze
względu na wiele czynników (bezpieczeństwo
osób, ekologia, ekonomia) do tej pory badane
były z wykorzystaniem różnych technik [1-4].
Aby możliwe było uzyskanie odpowiedniej
jakości danych pomiarowych, konieczne jest
zastosowanie przyrządu pomiarowego, pozwalającego
na pomiar impedancji z możliwie dużą
rozdzielczością [5]. W przypadku urządzeń stacjonarnych
istnieje relatywnie niewiele ograniczeń,
które jednak w przypadku rozwiązań przenośnych,
stosowanych w terenie, mają istotny
wpływ na ostateczną postać urządzenia.
Kluczowymi cechami i wymaganiami stawianymi
na etapie projektowania mobilnego
urządzenia tomograficznego są: ograniczony
pobór mocy, niewielkie gabaryty, praca w szerokim
zakresie warunków klimatycznych, prosta
obsługa (wysoki poziom zautomatyzowania),
cena pozwalająca na stosowanie sprzętu w terenie
z uwzględnieniem zwiększonego ryzyka
jego uszkodzenia, zniszczenia lub kradzieży.
W odróżnieniu od stacjonarnych przyrządów pomiarowych,
których złożone konstrukcje i duża wydajność przetwarzania
pozwalają na uzyskiwanie wysokiej jakości wyników, urządzenia
mobilne mogą mieć gorsze parametry użytkowe, jeśli
tylko ich eksploatacja nie jest uciążliwa i uzyskiwane rezultaty
pracy dostarczają wystarczająco dużo informacji. Dlatego też
konieczne jest przeanalizowanie możliwych rozwiązań i dokonanie
optymalnego, ze względu na wszystk[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/9
|
|
|
» Surface morphology study and dielectric properties of polyesterimide nanocomposite
|
|
BARBARA GÓRNICKA ANDRZEJ SIKORA DAMIAN WOJCIESZAK
It is now well known that nano-structuring of composites affect
significantly on their dielectric properties as well the surface
morphology [1-6]. On the other hand, the new generation of
dielectrics, i.e. polymers modified with nanofillers, due to their
special structure may influence on a better understanding of
the phenomena that appear in dielectrics [1].
The polyesterimide impregnating varnish (T) have been
modified by incorporation of hydrophilic fumed nanosilica
(SiO2) at a low loading (1.5% by weight) using our special
method. The influence of nanostructuring of composites on
the thermally stimulated depolarization currents, temperature
characteristic of tan δ and partial discharges resistance as
well the nanoscale surface morphology were investigated.
Experimental
The thermally stimulated depolarization current (TSDC), partial
discharge (PD) resistance, temperature characteristic of
tan δ and surface morphology have been investigated for both
pure (T) and nanofilled (T+ SiO2) varnishes.
In the thermally stimulated depolarization current (TSDC)
investigation at 120oC, a static voltage 100 V and 200 V was
applied to a sample for a time 40 minutes and then temperature
was decreased for a time 20 min to ambient temperature.
The voltage was switched off and the sample was
shortcircuited for a time 30 min to eliminate the rapid space
charge relaxation and stabilize the sample. Then during a linear
temperature increase 2 oC/min, the return to equilibrium
of the previously oriented charges generated a depolarization
current which was recorded, as a function of temperature, with
a electrometer (Keithley 6517[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3
|
|
|
|
|
|
» Nanoskopowa analiza orientacji domen magnetycznych z wykorzystaniem technik bliskiego pola
|
|
Mariusz OZIMEK Andrzej SIKORA Dominika GAWORSKA-KONIAREK Wiesław WILCZYŃSKI
NiFe thin films deposited onto Si substrate at room temperature via impulse magnetron sputtering. Magnetron deposition was carried out
in sputtering power 550 W and different argon pressure (0.4, 1.0, 4.0 Pa). The ferromagnetic layers thicknesses were 80, 150 and 120 nm
respectively. The samples were characterized by X-Ray diffraction. Effect of sputtering parameters on domain structure, as explored by magnetic
force microscopy (MFM), was focused. The investigation showed a variety of magnetic domain microstructures (Utilisation of Near Field
Microscopy for Nanoscopic Analysis of Magnetic Domain Orientation).
Streszczenie. Cienkie warstwy NiFe otrzymano na szkle kwarcowym za pomocą impulsowego rozpylania magnetronowego. Proces nakładania
prowadzono przy stałej mocy (550 W) i różnym ciśnieniu gazu roboczego (0,4, 1,0, 4,0 Pa). Zbadano strukturę domenową otrzymanych warstw za
pomocą mikroskopii sił magnetycznych (MFM). Grubość powłok zawierała się w przedziale od 80 do 150 nm.
Keywords: magnetic force microscopy, magnetic domains, thin films Ni-Fe, magnetron sputtering.
Słowa kluczowe: mikroskopia sił magnetycznych, domeny magnetyczne, cienkie warstwy Ni-Fe, rozpylanie magnetronowe.
Wstęp
Nanotechnologia, będąca nowym kierunkiem nauki,
powstałym w wyniku intensywnego jej rozwoju umożliwia
prowadzenie badań na poziomie mikro- i nanoskopowym.
Stosowanie nieustannie rozwijanych, nowoczesnych
narzędzi badawczych pozwala na określenie właściwości
materiałów trudnych lub niemożliwych do opisania za
pomocą tradycyjnych metod.
Mikroskopia bliskiego pola, w szczególności mikroskopia sił
atomowych (AFM, ang. Atomic Force Microscopy)
dostarcza informacji na temat różnych właściwości
powierzchni badanego obiektu [1, 2]. Możliwe jest to dzięki
pomiarowi sił Van der Waalsa, lepkości, magnetycznych i
elektrostatycznych występujących między badaną
powierzchnią, a skanującym ostrzem znajdującym się w
odległości od uła[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/4
|
|
|
|
Strona 1
Następna strona »
|
Twój Profil
Twój koszyk
