Największa baza artykułów technicznych online - aktualnie 66233 publikacje.
Zaawansowane »          English [ENGLISH]
  • Aktualności
  • Prenumerata papierowa
  • Baza publikacji
  • Dostęp czasowy
  • KatalogFirm
  • O Wydawnictwie
profil Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk
  Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

zegar

To proste!

zobacz szczegóły
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

baza zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"KRYSTIAN KRÓL"

» Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu
KRYSTIAN KRÓL  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  
Klasyczna technologia krzemowa ma pewne ograniczenia, które znacznie redukują możliwości jej zastosowania w przyrządach dużej mocy, pracujących w wysokich temperaturach i przy wysokich napięciach, co wynika przede wszystkim z właściwości elektrofizycznych krzemu. Jednym z fundamentalnych ograniczeń jest wzrost koncentracji samoistnej nośników wraz ze wzrostem temperatury przyrządu. Bezpośredni wpływ na to zjawisko ma szerokość przerwy zabronionej, charakterystycznej dla danego materiału. Od wielu lat bada się materiały o dużej szerokości przerwy zabronionej, które mają znacznie lepsze właściwości (np. termiczne) w wymienionych zastosowaniach niż krzem. Materiałem, który rokuje największe nadzieje na rozwiązanie tych problemów, jest węglik krzemu (SiC). Materiał charakteryzuje się dużą szerokością przerwy zabronionej (2,4…3,26 eV w zależności od politypu [1]), co umożliwia pracę przyrządów półprzewodnikowych w wysokich temperaturach, nawet do 800°C [2], wysokim krytycznym polem elektrycznym, dużą przewodnością cieplną oraz wysoką maksymalną prędkością unoszenia nośników. Ponadto materiał ten ma istotną przewagę nad innymi materiałami o szerokiej przerwie zabronionej - jako jedyny daje możliwość wytwarzania naturalnego dielektryka SiO2 w procesie utleniania termicznego. To właśnie ta cecha wywołała duże zainteresowanie węglikiem krzemu, ponieważ proces utleniania termicznego jest dobrze opanowany w technologii krzemowej. Możliwość wytworzenia dobrej jakości dielektryka jest krytyczna z punktu widzenia rozwoju przyrządów MIS (metal/dielektryk/półprzewodnik). W ostatniej dekadzie duży wysiłek i nakłady włożono w próbę wytworzenia tranzystora mocy MOSFET na węgliku krzemu z powodu jego potencjalnie znacznie lepszych właściwości w porównaniu z tranzystorem krzemowym, szczególnie w zastosowaniach związanych z szybkim przełączaniem w układach mocy przy ograniczonych stratach. Jednakże współcześnie otrzymywane tranzystory MO[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/4


 

» Temperature control for disposable lab-on-chip microsystems
JERZY KALENIK  KONRAD KIEŁBASIŃSKI  KRYSTIAN KRÓL  
The rapid development of lab-on-chip microsystems for chemical or biochemical analysis have taken place for last years. Many of analytical reactions should be carried out at defined temperature so they need temperature stabilization. The microsystems for biochemical analysis of human fluids should be disinfected thoroughly or used only once. The disposable parts of microsystem need to be very simple, cheap and environment friendly because of the large number of these components applied and disposed, for example microsystems for dialysis monitoring. The aim of this work was to elaborate very simple, cheap and environment friendly system for temperature stabilization of disposable postdialysate fluids analysis microsystem. Temperature measurement methode for lab-on-chip application In typical temperature control applications two separate elements are used - heater and temperature sensor. The disadvantage of such approach in microsystem technology is necessity of applying tw[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3


 

» Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO2 wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego
KRYSTIAN KRÓL  MAŁGORZATA KALISZ  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  
Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikowym materiałem szerokopasmowym, charakteryzującym się bardzo korzystnymi właściwościami elektrofizycznymi, w porównaniu do powszechnie wykorzystywanego krzemu, dla zastosowań w elektronice wysokotemperaturowej oraz wysokich częstotliwości. Na szczególną uwagę zasługuje przede wszystkim dziesięciokrotnie wyższa w porównaniu z krzemem wartość krytycznego pola elektrycznego, ale także duża przewodność cieplna, duża prędkość unoszenia elektronów przy wysokich wartościach pola elektrycznego oraz duża odporność na promieniowanie [1]. Jedną z podstawowych zalet tego materiału z punktu widzenia technologii wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, predysponującą go do zastosowań w mikroelektronice, jest możliwość wytwarzania naturalnego dielektryka w postaci SiO2 w procesie utleniania termicznego. Cechy tej nie posiadają inne wykorzystywane dzisiaj półprzewodnikowe materiały szerokopasmowe. Niestety, chociaż proces utleniania termicznego jest bardzo dobrze poznany w przypadku technologii krzemowej, utlenianie SiC jest procesem złożonym i wieloetapowym. Otrzymywane w ten sposób tlenki termiczne na węgliku krzemu charakteryzują się parametrami uniemożliwiającymi otrzymywanie przyrządów unipolarnych o parametrach porównywalnych z przyrządami krzemowymi. Główną przeszkodą w otrzymywaniu tlenków termicznych o dobrych właściwościach jest powstawanie zanieczyszczeń węglowych w postaci agregatów węglowych, w szczególności dimerów węglowych oraz międzywęzłowych atomów krzemu i węgla, emitowanych pod wpływem naprężeń związanych z przebudową powstającego tlenku [2]. Skutkuje to dużą gęstością aktywnych elektrycznie pułapek o poziomach energetycznych zlokalizowanych wewnątrz przerwy zabronionej SiC. W celu redukcji ilości pułapek powstających w czasie utleniania zaproponowano przeprowadzanie serii wygrzewań niskotemperaturowych w atmosferze tlenowej, prowadzonych w temperaturze niższej niż temperatura u[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/7


 

» High voltage power supply for excitation of cold emission of electrons from a carbon nanotube cathode
MATEUSZ MROCZKOWSKI  MACIEJ KISIELIŃSKI  JERZY KALENIK  KRYSTIAN KRÓL  
The goal of the Nanocafe project is preparation of a new type of cold cathode based on nanocomposite material that is nanostructural carbonaceous film. This film consists of composite nanostructural material built of carbon nanotubes, carbonaceous and metal nanocrystals. Also, a prototype of light source, using this new type of a cathode, as a source of electrons, is to be constructed. A special high voltage direct current power supply was designed and constructed. This power supply is used to power and test nanocarbon electron emitters. This device consists of four sections, al[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/8


 

» Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)
MAŁGORZATA KALISZ  KRYSTIAN KRÓL  MARIUSZ SOCHACKI  JAN SZMIDT  
Węglik krzemu (SiC) jest jednym z najbardziej obiecujących materiałów do stosowania w urządzeniach przeznaczonych do pracy w wysokich temperaturach, nawet 700…800°C [1]. Półprzewodnik ten charakteryzuje się dużymi wartościami krytycznego pola elektrycznego, przewodności cieplnej oraz maksymalnej prędkości unoszenia nośników w porównaniu z krzemem. Ponadto materiał ten, jako jedyny pośród innych materiałów o szerokiej przerwie zabronionej, może być poddany procesom utleniania termicznego, tworząc wysokiej jakości (z punktu widzenia właściwości objętościowych) dielektryk (SiO2). Dobrze znany z technologii krzemowej proces utleniania termicznego jest jednym z najlepiej opanowanych procesów technologicznych. Zdolność węglika krzemu do formowania naturalnego SiO2 wzbudziła duże zainteresowanie tym materiałem już w latach dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia. Wytworzenie wysokiej jakości dielektryka jest krytyczne z punktu widzenia zastosowania węglika krzemu w nowoczesnych przyrządach dużej mocy. Właściwości elektryczne interfejsu SiO2/SiC wytwarzanego w procesie utleniania termicznego i tworzącego strukturę MOS zależą między innymi od: przygotowania powierzchni, atmosfery utleniającej, atmosfery procesu wygrzewania po utlenianiu. W literaturze zaproponowanych zostało wiele różnych technik utleniania SiC, mających na celu poprawę tempa wzrostu warstwy tlenku oraz jakości otrzymywanego interfejsu SiO2/SiC [2-6]. Mimo to, nie powstała standardowa procedura pozwalająca wytworzyć tlenek termiczny o porównywalnych parametrach elektrycznych z tlenkiem wytwarzanym na krzemie. W niniejszym artykule zaproponowano i doświadczalnie zweryfikowano sześć różnych technologii procesu wygrzewania wysokotemperaturowego warstwy SiO2 wytwarzanej na podłożu 4H-SiC w procesie utleniania termicznego. Przeanalizowany został wpływ atmosfery i czasu procesu wygrzewania wysokotemperaturowego, prowadzonego po procesie utleniania, na jakość otrz[...] więcej»
 w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/9


 

 Strona 1 
r e k l a m a
FAIL (the browser should render some flash content, not this).

Nasze czasopisma

kofeina biogaz pasteryzacja przemysł chemiczny tworzywa sztuczne chromatografia kontakt tłuszcz znakowanie bezpieczeństwo żywności Kociołek-Balawejder antocyjany przeciwutleniacze herbata soki owocowe gmo tłuszcze błonnik ciecze jonowe mleko suplementy diety osady ściekowe przegląd elektrotechniczny bhp barwniki mikrokapsułkowanie wino ocena ryzyka aluminium hydrokoloidy Aura Opakowanie opakowania karotenoidy 7 korozja Gospodarka wodna pompy ciepła cement pompa ciepła owies informacje dla autorów konserwanty ekstrakcja led mąka kolektory słoneczne six sigma problemy jakości czekolada żywność funkcjonalna nanotechnologia soja BRC kosmetyki skrobia jęczmień audit polifenole szkło pszenica jakość żywności jogurt jakość ocena ryzyka zawodowego haccp polimery kanalizacja inżynieria materiałowa praca materiały budowlane Gluten przegląd mleczarski kawa hutnik przemysł spożywczy orkisz tytan skrobia modyfikowana rfid 6 liofilizacja żywność enzymy mięso kompozyty biopaliwa chłodnictwo opakowania inteligentne probiotyki przegląd papierniczy miód magnez opakowania aktywne olej olej rzepakowy metale ciężkie napoje energetyzujące nanomateriały piwo biomasa makaron chleb elektronika dodatki do żywności logistyka gryka pestycydy ryzyko zawodowe fermentacja pieczywo żyto miedź prebiotyki aronia inulina servqual wentylacja recykling iso atest odpady drób napoje funkcjonalne transport biofilm mrożonki FMEA kwasy tłuszczowe jakość usług analiza sensoryczna iso 9001 ekstruzja biodiesel kukurydza cukier suszenie innowacje woda pszenżyto owoce IFS żywność wygodna witamina c kaizen piroliza wołowina masło utrwalanie żywności lody sól drożdże audyt prenumerator ścieki surfaktanty błonnik pokarmowy koszty jakości soki ryż żywność ekologiczna oczyszczanie ścieków tqm witaminy ochrona przed korozją OŁÓW zarządzanie jakością opakowania szklane zioła dioksyny zeolity napoje kakao sieci neuronowe transglutaminaza wzbogacanie żywności aromaty substancje dodatkowe przyprawy reologia celuloza ryby tekstura akryloamid sok mleczarstwo bioetanol iso 22000 Manufacturing Process Automation białka serwatkowe czosnek gospodarka mięsna owoce jagodowe produkcja piwa mikotoksyny akrylamid polichlorowane bifenyle antyoksydanty PET kasza

Budownictwo i Geodezja

Elektronika, Energetyka, Elektrotechnika

Hutnictwo, Górnictwo

Przemysł lekki

Przemysł spożywczy i gastronomia

Inne gałęzie przemysłu

Tematyka ogólnotechniczna

Czasopisma wielobranżowe
platnosci
O Wydawnictwiestr Prenumeratastr Reklamastr Drukarniastr Kolportażstr Regulamin Usługstr Englishstr
© 2006-2012 Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o. Wszelkie prawa zastrzeżone
projekt, wykonanie, obsługa: Pragma Software
b