Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"WOJCIECH BANDURSKI"

» Wrażliwość odpowiedzi na skok jednostkowy na zmiany parametrów RLC połączeń w układach VLSI

AGNIESZKA WARDZIŃSKA

WOJCIECH BANDURSKI

Coraz szybsze działanie obwodów scalonych powoduje, że wpływ wewnętrznych połączeń staje się coraz bardziej znaczący i pomijanie ich w analizie układów VLSI, może okazać się obarczone bardzo dużym błędem. W związku z tym potrzebne są narzędzia umożliwiające badanie połączeń. Część takich badań poświęcona jest ekstrakcji parametrów RLC, część skupia się na budowaniu odpowiednich modeli, wiele z nich analizuje układy połączeń sprzężonych. Jest też grupa badań poświęcona analizie pojedynczego połączenia [1]. Symulacja pojedynczego połączenia pozwala przewidzieć przeniki oraz czasy opóźnienia i może być pierwszym krokiem w analizie systemów VLSI. W związku z tym badania obejmujące modelowanie i symulację pojedynczego połączenia stanowią ważna podgrupę w rozwoju układów VLSI. W układach VLSI można wyróżnić m.in. połączenia wyższych warstw, które muszą być modelowane jako linia transmisyjna RLC, jako że indukcyjność takich linii jest relatywnie duża w porównaniu do rezystancji. Odpowiedź skokowa dla takiego modelu połączenia może zostać uzyskana metodami heurystycznymi np. z wykorzystaniem metody momentów [2], ale może zostać także wyprowadzona dzięki metodzie skal wielokrotnych [3]. Metoda ta pozwala na uzyskanie wyrażenia określającego czas przejścia przez próg odpowiedzi skokowej dla układu bramka-połączenie-bramka. Wyrażenie na czas przejścia przez próg przedstawione w tzw. "zamkniętej formie" jest bardzo użytecznym narzędziem w estymowaniu opóźnień w systemach połączeń. Wpływ zmian parametrów na funkcjonalność systemu może zostać wyrażone za pomocą wrażliwości. Pozwala ona wyróżnić parametry najistotniejsze z punktu widzenia poprawnego działania systemu. Może także zostać wykorzystana do wyróżnienia parametrów, które można pominąć z punktu widzenia analizy systemu. Obliczanie wrażliwości dla systemu VLSI przedstawione zostało m.in. w [4, 5]. W przypadku kiedy bezpośrednie wyrażenie na odpowiedź systemu nie jest znane oblicz[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/12

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Simulation and modelling of planar EMI/RFI Filters

Piotr RYDLICHOWSKI

WOJCIECH BANDURSKI

In th e paper discussion and analysis of the new prototypes of the planar lowpass power filters is presented. Basic structure is shown in Fig. 1 (not in scale). In [2] variations of considered basic structure are proposed and analyzed. Presented in [2] alternative structures were expected to provide information needed for accurate and efficient numerical and analytical simulation. Target application of discussed structures is suppression of RF-EMI interference in power electronic devices. Such interferences are found primarily in integrated high power converters (power densities 13 W/cm3 and above). Interferences are also induced by electromagnetic coupling between electronic devices during switching and by inductance and capacitance in electronic devices and in module package. Popular technologies used in aerospace industry prefer filters structures that are integrated (for convenience) with coaxial cables. Together with new devices and technologies a need has occur to design new, small, planar lowpass filter for Integrated Power Electronic modules (IPEMs). Such modules with kilowatt powers and high power densities can emit significant RF-EMI interferences. Proposed filters for radio frequency (RF) modules should satisfy three main prerequisites: 1) because structure should be physically small the speed of electromagnetic wave must be reduced to fraction of its free-space velocity value, 2) structure should be electrically and mechanically able to handle power from 1 kW to 10 kW at 300 V to 500 V and 30 A, 3) filter cut-off slope should be as steep as possible (e.g., > 40 dB/decade). Prototype structure described in [1] satisfies specified above requirements. Manufacturing technology of this kind of filters and experimental measurements of the amplitude characteristics are presented and discussed. Amplitude characteristics a[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a