|
|
|
|
|
|
» Optyczny detektor skażeń HF, SO2, CO2, NO2 z wykorzystaniem interferometru Fabry'ego- Perot'a
|
|
JAROSŁAW ŁAWREŃCZYK  MAŁGORZATA JAKUBOWSKA WIESŁAW GALLEWICZ
Prezentowanym urządzeniem jest detektor gazów, działający
na zasadzie pomiaru absorpcji promieniowania podczerwonego
(ang. NDIR) przeznaczony do identyfikacji skażeń
gazami HF, SO2, CO2, NH3, oraz określenia ilości tych gazów.
Urządzenie jest przeznaczone do detekcji gazów spalinowych
ze spalarni śmieci, w tym spalarni odpadów niebezpiecznych.
Fizyczną podstawą działania urządzenia jest
absorpcja promieniowania elektromagnetycznego, przez
cząsteczki posiadające moment dipolowy, zmieniający się
podczas drgań, skutkiem tego promieniowanie o częstotliwości
drgań własnych cząsteczki jest absorbowane [1,2]. Prezentowana
metoda pomiaru posiada bardzo dużą czułość,
zależną tylko od drogi optycznej promieniowania w badanym
gazie i rodzaju gazu, dzięki czemu zbudowane urządzenie
pozwala mierzyć niewielkie stężenia rzędu pojedynczych
ppm (part per milion).
Urządzenie jest przeznaczone do pomiaru stężenia HF,
SO2, CO2, NO2, czyli gazów szkodliwych dla środowiska. Obowiązek
prowadzenia takich pomiarów, ciągle, bądź okresowo
nakłada rozporządzenie ministra środowiska [3]. Spalarnie
odpadów są zgodnie z obowiązującym prawem zobowiązane
do prowadzenia stałego monitoringu emisji wyżej wymienionych
gazów. W rozporządzeniu określono, że pomiarów takich
wymaga się m. in. w instalacjach do spalania odpadów
i instalacjach energetycznego spalania paliw. Rozporządzenie
określa, jakie substancje należy mierzyć, a także referencyjne
metody pomiaru dla limitowanych substancji. Najczęstszą
metodą pomiaru stężenia tych gazów jest prezentowana dalej
metoda absorpcji podczerwieni. Ponadto pomiar składu spalin
pozwala zoptymalizować proces spalania.
Celem badań prezentowanych w niniejszym artykule było
skonstruowanie urządzenia do pomiaru skażeń gazami HF,
SO2, CO2, NO2 oraz określenie jego czułości i rozdzielczości.
Zasada jego działania opiera się na pomiarze widma promieniowania,
absorbowanego przez badane gazy. Widmo to
bada się filtrem interferenc[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10
|
|
|
» Urządzenia mechatroniczne w procesach wytwórczych elektroniki i mikroelektroniki
|
|
|
MAŁGORZATA JAKUBOWSKA RYSZARD JEZIOR DARIUSZ PIECZERAK
Konstruowanie współczesnych urządzeń mechatronicznych dla
przemysłu elektronicznego i mikroelektronicznego posiada swoje
specyficzne cechy. Cechą charakterystyczną tej grupy urządzeń
są złożone procesy technologiczne, w których ze względu
na wysokie wymagania dokładności, wydajności i czystości
udział pracy ludzkiej musiał zostać zredukowany niemalże do
zera. Urządzenia te to przede wszystkim automaty montażowe
SMD, testery AOI, urządzenia do produkcji aktywnych podłoży
półprzewodnikowych oraz urządzenia do montażu płytkowego
i drutowego podzespołów półprzewodnikowych. Typowa struktura
urządzenia z tej grupy przedstawia się następująco: system
sterowania, elektro - mechaniczne zespoły napędowe, układy
pomiarowe, układy optyczne, układy wykonawcze. Rozwinięcie
i omówienie powyższej struktury przedstawiono dokładniej na
przykładzie automatu do montażu podzespołów SMD.
Automat do montażu powierzchniowego
Automat do montażu podzespołów SMD jest to urządzenie,
którego zadaniem jest pobieranie podzespołów elektronicznych
z podajników i układanie ich na płytkach obwodów drukowanych
PCB. Rozmieszczanie podzespołów odbywa się wg
przygotowanego programu. Program określa kolejność układania
podzespołów oraz ich położenie na płytce PCB z uwzględnieniem
rotacji kątowej. Podzespoły SMD znajdują się w podajnikach,
których konstrukcja jest ściśle związana z rodzajem
podzespołu, jego wymiarami i liczbą podzespołów umożliwiających
kompletny montaż zadanej partii płytek. Istotnymi parametrami
procesu montażu jest jego wydajność i dokładność.
Proces pobierania i układania podzespołów - w jęz. angielskim
określany jako pick & place, jest procesem pozornie prostym
i nieskomplikowanym: ssawka podciśnieniowa pobiera podzespół
SMD z podajnika, następnie zespół głowicy montażowej
zostaje przemieszczony nad właściwe miejsce ułożenia elementu
na płytce PCB, ssawka opuszcza się na powierzchnię
płytki, wyłączenie podciśnienia powoduje, że element pozost[...]
więcej»
w zeszycie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010/10
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
» Właściwości szumowe rezystorów polimerowych na bazie nanorurek węglowych
|
|
Adam Witold STADLER Zbigniew ZAWIŚLAK Marcin SŁOMA Małgorzata JAKUBOWSKA
W artykule omówiono wyniki badań właściwości elektrycznych rezystorów grubowarstwowych z kompozycji polimerowych
zawierających nanorurki węglowe. Badania rezystancji wykonano w zakresie temperatury od 77 K do temperatury pokojowej zaś pomiary szumu
niskoczęstotliwościowego w temperaturze pokojowej. Przeprowadzono identyfikację szumu oraz wyznaczono intensywność szumową C materiału
rezystywnego, która posłużyła do porównania właściwości badanych rezystorów i typowych rezystorów grubowarstwowych.
Abstract. Experimental studies of noise properties of CNT-based polymer thick film resistors have been described. Resistance has been measured
in temperature range from 77 K up to room temperature. Low-frequency noise has been tested in room temperature. Noise intensity parameter C
has been calculated, and then used for comparison properties of studied resistors with properties of other thick-film resistors. (Noise properties of
CNT-based polymer resistors).
Słowa kluczowe: nanorurki węglowe, szum 1/f, rezystor grubowarstwowy, rezystor polimerowy.
Keywords: carbon nanotubes, 1/f noise, thick-film resistor, polymer resistor.
Wprowadzenie
W ostatnich latach notuje się w mikroelektronice wzrost
zainteresowania kompozycjami polimerowymi z
nanorurkami węglowymi (ang. carbon nanotubes, CNT) ze
względu na możliwość wytwarzania z nich technikami
drukarskimi elementów funkcjonalnych o niespotykanych
dotąd właściwościach [1, 2]. W pracy [3] pokazano, że w
polimerowych rezystorach grubowarstwowych wykonanych
z kompozycji zawierającej 1% CNT obserwuje się dwa
składniki szumu rezystancyjnego: (a) szum 1/f i (b)
termicznie aktywowane źródła szumu o widmie
lorencjanowskim. Ponadto, stwierdzono, że intensywność
szumu, mierzona w pasmach dekadowych rośnie ze
wzrostem temperatury. Natomiast w tej pracy
przedstawiamy dalsze wyniki badań właściwości
elektrycznych polimerowych rezystorów grubowarstwowych
wykonanych na bazie nanorurek. Zbadano wpływ ułamka
obję[...]
więcej»
w zeszycie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011/10
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Strona 1
Następna strona »
|
Twój Profil
Twój koszyk
