DARIUSZ MĄCZKA- zobacz i pobierz wszystkie publikacje autora DARIUSZ MĄCZKA w naszych czasopismach

Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"DARIUSZ MĄczka"

» Electromagnetic isotope separation in nuclear and solid state physics

DARIUSZ MĄCZKA

MARCIN TUREK

JAROSŁAW ZUBRZYCKI

Electromagnetic mass-separation involves the deflection of charged particles having different masses by a magnetic field. The atoms of separated substance has to be ionized and accelerated up to several tens or hundreds of keV. The electromagnetic separation is widely used for scientific as well as industrial purposes. The paper presents some chosen applications of the method in the field of nuclear and solid state physics. Moreover, the scope is restricted to research carried out by scientific groups at the Institute of Physics, Maria Curie Sklodowska University (UMCS), Lublin, Poland and at the Joint Institute for Nuclear Research (JINR), Dubna, Russia. The investigations of short-lived rare earth isotopes using on-line and off-line set-ups (nuclear physics) andmodifications [...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009/9

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Stanowisko do badania rozpylania jonowego wiązkami średniej energii

KRZYSZTOF PYSZNIAK

Procesem implantacji jonowej nazywamy wbijanie jonów pożądanego pierwiastka do tarczy za pomocą bombardowania jej powierzchni wiązką tych jonów. Technologie wykorzystujące implantację jonową są obecnie szeroko wykorzystywane w wielu dziedzinach nauki i techniki [1]. Podczas bombardowania tarczy wiązką jonów zachodzi również proces konkurencyjny do implantacji, a mianowicie zjawisko rozpylani[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007/10

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Komputerowe modelowanie procesu ekstrakcji wiązki z plazmowego źródła jonów

Marcin TUREK

W artykule przedstawiano badania ekstrakcji wiązki jonowej w numerycznym modelu plazmowego źródła jonów. Uzyskane zostały charakterystyki prądowo-napięciowe, zależności powierzchni menisku plazmy od napięcia ekstrakcyjnego itp. Wprowadzono pojęcia perweancji dynamicznej i efektywnej powierzchni emitującej. Abstract. Study of Ion beam extraction using numerical model of plasma ion source is pres[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008/3

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Formation of molecular ion beams for ion implantation purposes

KRZYSZTOF Kiszczak

Ion implantation has found a wide utility both in technology and scientific research. This method is based on the penetration of ions, accelerated to the energy from tens to hundreds of keV (nowadays to a few MeV) into a solid. Interaction of quick ions with the surface of solid targets causes many effects, such as sputtering of target material, electron emission, chemical reactions, excitation and ionization of target atoms, shift of lattice atoms from their equilibrium positions and, first of all, implantation of incident atoms into the lattice of the targets. As a result, changes in physicochemical properties of bombarded materials are observed. In the case of metal targets these changes concern mainly the tribologycal properties, such as friction, hardness, wearability and the geometric structure of the irradiated surface (for example, roughness). All the above-mentioned properties are important in many fields of science and technology, such as precision mechanics, optics, nuclear power and even medicine. Thus, it is obvious that ion implantation plays an important role in the modern world. Implantation into solid targets is carried out at special facilities, called ion implanters [1]. However, in many cases of implantation, it is possible to use electromagnetic isotope separators, designed mainly for nuclear physics purposes [2]. Although the ion current limit is appropriate for implantation purposes in such separators, very often the ion energy region does not meet the experimental requirements since the accelerating voltage used in separators is usually 30…100 keV. To increase the implantation energy in mass-separators it is recomended to use multicharged ions for which E = neU, where n is the ionization order, e is the electron charge, U is the ion accelerating voltage. On the other sides for low energy implantation it is possible to use molecular ions (usually diatomic molecules), as on hitting a target, the mo[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Wyznaczanie rozkładów głębokościowych domieszek metodą PIPE

Krzysztof Pyszniak

Jednym z ważnych zagadnień w inżynierii materiałów jest wyznaczanie rozkładów głębokościowych i koncentracji domieszek w ciałach stałych. Z różnym powodzeniem stosuje się w tym celu wiele metod doświadczalnych, takich jak: spektroskopia jonów wtórnych (SIMS) [1], spektroskopia rozpraszania rutherfordowskiego (RBS) [2], spektroskopia elektronów Augera (AES) [3], czy wykorzystanie znaczników radioaktywnych [4]. Kolejną metodą jest spektroskopia fotonów wzbudzanych bombardowaniem jonowym (PIPE). Polega ona na rejestracji i analizie promieniowania elektromagnetycznego, zazwyczaj w zakresie widzialnym i ultrafiolecie, powstałego w trakcie zjawisk zachodzących w czasie naświetlania powierzchni ciała stałego strumieniem jonów o energii od kilku do kilkuset kiloelektronowoltów. W trakcie bombardowania ciała stałego jonami, oprócz ich implantacji, zachodzi także, niekiedy bardzo intensywne, rozpylanie jego materiału. Spora część wybitych z tarczy atomów bądź molekuł jest w stanach wzbudzonych i przechodzi do stanu podstawowego emitując promieniowanie będąc w pewnej odległości od próbki. Świecenie to obserwowane jest w postaci jasnej poświaty, której rozciągłość wiąże się z czasami życia stanów wzbudzonych rozpylonych atomów i ich prędkościami. Obserwacja intensywności emisji charakterystycznych linii pierwiastka-domieszki podczas długotrwałych naświetleń, w trakcie których zachodzi erozja coraz to głębiej położonych warstw tarczy, pozwala na wyznaczanie m.in. profilu głębokościowego domieszki. Układ pomiarowy Stanowisko eksperymentalne służące do badania promieniowania optycznego emitowanego z tarczy bombardowanej wiązką jonów (PIPE), zbudowano na bazie implantatora jonów UNIMAS- 79. Składa się ono z komory eksp[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a