Twój Profil
Kliknij, aby zalogować »
Jesteś odbiorcą prenumeraty plus
w wersji papierowej?

Oferujemy Ci dostęp do archiwalnych zeszytów prenumerowanych czasopism w wersji elektronicznej
AKTYWACJA DOSTĘPU! »

Twój koszyk

Twój koszyk jest pusty

Czasowy dostęp?

To proste!

zobacz szczegóły

r e k l a m a

ZAMÓW EZEMPLARZ PAPIEROWY!

zobacz szczegóły

Wyniki wyszukiwania

Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Piotr Billewicz"

» Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H+

Paweł Węgierek

Piotr Billewicz

W pracach [1, 2] przeanalizowano możliwość zastosowania polienergetycznej implantacji GaAs jonami H+ w celu wytwarzania izolacji pionowej w układach scalonych. Zastosowanie przez nas symulacji komputerowej do wyboru wielu dawek i energii jonów H+ pozwoliło na uzyskanie równomiernego rozkładu defektów radiacyjnych do głębokości ok. 3,5 μm, przy wykorzystaniu maksymalnej energii jonów 400 keV. Ze względu na wykorzystaną przez nas metodę badawczą, polegającą na pomiarach właściwości elektrycznych przy prądzie przemiennym przy częstotliwościach 50 Hz do 5 MHz w zakresie temperatur od LNT do 400K oraz na 15-minutowym wygrzewaniu termicznym w piecu rurowym, uzyskano optymalne warunki implantacji i stabilizacji parametrów warstw izolacji pionowej [3]. W wyniku tych badań uzyskano również wiele wyników, dotyczących mechanizmów przenoszenia ładunków w silnie zdefektowanym GaAs, z których głównym jest stwierdzenie skokowego mechanizmu przenoszenia ładunków [4] oraz opracowanie modelu tego zjawiska, zarówno przy prądzie stałym jak i zmiennym [5]. W modelu zakłada się, że po przeskoku elektronu z jednej neutralnej studni potencjału do drugiej pozostaje on w niej przez czas τ, a następnie wykonuje przeskok z prawdopodobieństwem p do studni trzeciej w kierunku określonym polem elektrycznym. Powoduje to przewodzenie przy prądzie stałym lub przy niskich częstotliwościach prądu zmiennego. Po czasie τ[...] więcej»
w zeszycie ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011/11

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Opinia absolwentów i pracodawców o jakości kształcenia na Wydziale Elektrotechniki i Informatyki Politechniki Lubelskiej

Andrzej Wac-Włodarczyk

Piotr Billewicz

Sytuacja absolwentów polskich uczelni niezbyt często jest postrzegana jako przedmiot specjalistycznych badań. Wiele szkół wyższych nie monitoruje wpływu studiów na warunki życia ludzi, którzy ukończyli proces edukacji. Ponadto, dla znacznej liczby ośrodków szkolnictwa wyższego opinia absolwentów na temat jakości i efektywności kształcenia jest także poza zakresem ich zainteresowania. Zjawisko to może niepokoić ze względu na trudność wydajnego zarządzania uczelnią lub wydziałem (w kontekście pedagogicznym) przy braku informacji dotyczących różnych aspektów życia studentów po ukończeniu edukacji, jak np. późniejszy rozwój zawodowy czy też warunki socjalne i ekonomiczne. Świadomość tych zagadnień może zaowocować wprowadzeniem określonych zmian w programach nauczania, w celu utrzy[...] więcej»
w zeszycie WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2009/12

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

» Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie

Paweł WĘGIEREK

Paweł ZHUKOWSKI

Piotr BILLEWICZ

W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom. Abstract. The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies. (Temperature testing of radiation defect activation energy in strongly defected silicon). Słowa kluczowe: defekty radiacyjne, energia aktywacji, przewodność skokowa, krzem, implantacja jonowa. Keywords: radiation defects, activation energy, hopping conductivity, silicon, ion-implantation. Wstęp Badaniom poddano krzem domieszkowany borem, o  = 0,07 ·cm, implantowany jonami Ne++ o energii E=100 keV i dawce D=2,2·10-14 cm-2. Próbki wygrzewano izochronicznie przez 15-min. w temperaturach od 323 K do 873 K ze średnim skokiem 50 K. Pomiary parametrów elektrycznych (Cp, ) wykonywano w zakre[...] więcej»
w zeszycie PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010/7

KUP TERAZ » KUP TERAZ (SMS) »

Strona 1

r e k l a m a