Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"SŁAWOMIR SZOSTAK"

Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization

Czytaj za darmo! »

Characterization of semiconductor devices is usually based on very simple models [e.g. 1]. The advantage of this approach is that the procedures of parameter extraction are very straightforward (e.g. plotting the experimental data in such a coordinate system that a more or less straight line is obtained and then determining the desired parameters from the intercept with either axis or from t[...]

Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV

Czytaj za darmo! »

Artykuł przedstawia wyniki prac prowadzonych na styku mikroelektroniki i informatyki, dotyczących wykorzystania metod optymalizacji globalnej w zadaniu ekstrakcji parametrów tranzystorów MOS. Ekstrakcja polega na dopasowywaniu charakterystyk napięciowo-prądowych, uzyskanych za pomocą modelu tranzystora, do danych pomierzonych. Pierwsze badania [2] prowadzone były z wykorzystaniem jednowymiarowego, numerycznego modelu Pierreta-Shieldsa, ze względu na jego stosunkowo prostą obliczeniowo postać, niewielką liczbę parametrów oraz fakt, że jedno wyrażenie opisuje cały zakres pracy tranzystora MOS. Model ten nie nadaje się jednak do opisu submikronowych struktur MOS ponieważ nie uwzględnia wielu istotnych zjawisk, np. efektów występujących w tranzystorach z krótkim kanałem, jonizacji[...]

 Strona 1