Wyniki 1-9 spośród 9 dla zapytania: authorDesc:"ROMAN KOZŁOWSKI"

Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Czytaj za darmo! »

Właściwości monokryształów SiC, zwłaszcza szeroka przerwa zabroniona, doskonałe przewodnictwo cieplne oraz duże natężenie pola elektrycznego powodującego przebicie, sprawiają, że materiał ten jest bardzo przydatny do wytwarzania nowej generacji przyrządów elektronowych pracujących w zakresie wielkich częstotliwości, dużych mocy i w podwyższonej temperaturze. Parametry tych przyrządów silnie [...]

Zastosowanie graficznego środowiska programistycznego w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o dużej rozdzielczości

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono sposób automatyzacji systemu pomiarowego do badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej w oparciu o graficzne środowisko programistyczne LabVIEW. Opisano funkcjonalność aplikacji sterującej procesem pomiaru w szerokim zakresie temperatur (20 - 750 K). Potencjalne możliwości badawcze systemu pomiarowego zilustr[...]

Zastosowanie metod inteligencji obliczeniowej do analizy struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono wyniki badań centrów defektowych w półizolującym monokrysztale fosforku indu (InP), przeprowadzonych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS (Photo-Induced Transient Spectroscopy) z zastosowaniem maszyny wektorów nośnych SVM (Support Vector Machine) [1,2] oraz maszyny wektorów istotnych RVM (Relevance Vector Machine) [3] do aproksymacji powierzchni widmowej Laplace’a, otrzymanej poprzez numeryczne przekształcenie relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zmierzonych w zakresie temperatur 30...320K. Linie grzbietowe fałd występujących na powierzchni widmowej określają temperaturowe zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych [4-6]. Celem zastosowania nowych metod aproksymacji jest stworzenie możliwości wyznaczania p[...]

Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych. Abstract. An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure[...]

Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze. Abstract. An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued. (An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials) Słowa kluczowe: inteligentny system pomiarowy, baza wiedzy, niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa, centra defektowe, materiały półizolujące. Keywords: intelligent measurement system, knowledge base, PITS, defect center, semi - insulating materials. Wstęp - inteligentne systemy elektryczne Inteligentne systemy elektryczne, o różnym stopniu komplikacji i zaawansowania technicznego, tworzone są obecnie w wielu dziedzinach nauki i tec[...]

Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs

Czytaj za darmo! »

Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs. Abstract. Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed. ( Transient photoconductivity of semi - insulating GaAs). Słowa kluczowe: kinetyka fotoprzewodnictwa, materiały półprzewodnikowe. Keywords: photocurrent kinetic, semiconductor materials. Wstęp W ostatnich latach prowadzone są intensywne badania mające na celu uzyskanie materiałów półprzewodnikowych o nowych właściwościach umożliwiających wytwarzanie przyrządów dla nowych rozwiązań układowych w energoelektronice. No[...]

Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych


  Przedstawiona w niniejszej pracy idea krawędziowego przetwornika fotowoltaicznego współpracującego z kolektorem fluorescencyjnym nawiązuje do rozwiązań proponowanych w latach siedemdziesiątych ubiegłego wieku, które dotyczyły oświetlanych krawędziowo wielozłączowych ogniw VMJ (ang. Vertical Multi- Junctions), utworzonych przez bezpośrednie połączenie szeregu pojedynczych płytek krzemowych zawierających złącze p-n [1-3]. Zasadniczą zaletą ogniwa VMJ jest możliwość pracy przy bardzo wysokiej gęstości mocy padającego promieniowania [4-5]. Dla wytworzenia struktury krzemowej przeznaczonej do konstrukcji krawędziowego ogniwa fotowoltaicznego zastosowano metodę epitaksjalnego osadzania warstw krzemowych. Struktura czynna ogniwa została otrzymana w procesie epitaksji Wnioski Zastosowana technologia wytwarzania ogniw słonecznych pozwala na otrzymanie ogniwa o sprawności 14,2%, co świadczy o możliwości zastosowania jej w produkcji seryjnej. Dodatkowo badania własności optycznych ogniw pokazują, że w zakresie długości fali od 500…1000 nm znajduje się ponad 80% fotonów biorących udział w generacji par elektron‑dziura. Wzrost sprawności ogniwa uzyskano dzięki teksturowaniu przedniej powierzchni krzemowej płytki w roztworze 30% KOH pozwalającemu na zwiększenie powierzchni czynnej ogniwa słonecznego dzięki wytworzeniu na ich powierzchni nierównomiernie rozłożonych piramid. Uzyskana rezystancja właściwa świadczy o dobrym omowym kontakcie elektrody przedniej z krzemem. Literatura Rys. 5. Wewnętrzna wydajność kwantowa - EQE dla krzemowego ogniwa słonecznego, EQE_Si dla wzorca (fotodioda krzemowa Hamamatsu) Fig. 5. Internal quantum efficiency of solar cell - EQE for a silicon solar cell, EQE_Si for a standard (silicon photodiode Hamamatsu) Rys. 6. Topografia elektrody przedniej oraz strefy jej połączenia z podłożem krzemowym (SEM) Fig. 6. Topography of front electrode and its connection zone with Si substrate (SEM) [1] Dobrzań[...]

Luminescencyjne koncentratory energii promieniowania słonecznego w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni


  Koncentrator luminescencyjny wykonywany jest w formie płyty lub folii polimerowej zawierającej centra luminescencyjne. Padające promieniowanie słoneczne jest absorbowane przez te centra. Koncentrator pracuje jako światłowód emitując promieniowanie do umieszczonego na krawędzi koncentratora ogniwa fotowoltaicznego. Stosowanie koncentratorów luminescencyjnych umożliwia zastąpienie materiału półprzewodnikowego tanim polimerem, co wiąże się z obniżeniem kosztów wytworzenia energii elektrycznej. Ideę koncentratora luminescencyjnego LSC (ang. Luminescent Solar Concentrator) przedstawia rys. 1. W ostatnich latach zespoły badawcze z Wielkiej Brytanii, Holandii i Niemiec realizując program Unii Europejskiej "Fullspectrum", zajmują się problematyką koncentratorów luminescencyjnych. W prowadzonych obecnie badaniach stosowane są znacznie trwalsze i sprawniejsze barwniki perylenowe.. Ponadto, jako centra luminescencyjne w polimerowych koncentratorach LSC można wykorzystać kropki kwantowe oraz nanomateriały domieszkowane jonami ziem rzadkich [3]. Luminescencyjny koncentrator słoneczny powinien charakteryzować się następującymi właściwościami: - silną absorpcją promieniowania w zakresie długości fal do 950 nm oraz maksimum emisji ~1000 nm, - minimalnymi stratami w wyniku reabsorpcji, - bliską jedności wartością kwantowej sprawności luminescencji (FQY), - wysoką odpornością na warunki atmosferyczne. Wybór barwników O wyborze barwników organicznych decydowały następujące parametry: sprawność fluorescencji, przesunięcie stokesowskie determinujące straty związane z reabsorpcją, skuteczność wprowadzania barwnika w matrycę PMMA oraz trwałość fotochemiczna [6-8]. Wytypowano kilka rodzajów barwników, tak aby absorpcja zachodziła dla możliwie szerokiego zakresu widma światła słonecznego. Kierując się tymi kryteriami wyselekcjonowano z dwudziestu kilku dostępnych na rynku barwników następujące barwniki: dcm-pyran, coumarin 151 i styryl9 M. W f[...]

Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu DOI:10.12915/pe.2014.08.053

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami. Abstract. We demonstrate the method of simulating the resistivity of monocrystalline silicon as a function concentrations of six kinds of defect centers with various properties. The potentialities of the simulator are exemplified by the results obtained for the nitrogen-doped high resistivity silicon single crystal before and after irradiation with high-energy neutrons. (Modelling of defect centers influence on the resistivity of silicon single crystals). Słowa kluczowe: Si, rezystywność, centra defektowe, badania symulacyjne. Keywords: Si, resistivity, defect centers, simulation studies . doi:10.12915/pe.2014.08.53 Wstęp Monokrystaliczny krzem o wysokiej rezystywności (ρ ≥ 2 kΩcm) jest obecnie szeroko stosowany do wytwarzania detektorów półprzewodnikowych wykorzystywanych w wielu dziedzinach nauki i techniki. W szczególności należy wymienić detektory wykorzystywane w energetyce jądrowej i technice kosmicznej, a także detektory cząstek o wysokiej energii powstających w wyniku zderzeń protonów przyspieszanych do prędkości zbliżonych do prędkości światła. Jednym z głównym problemów ograniczających obszar zastosowań detektorów krzemowych jest zachodząca podczas pracy degradacja ich parametrów wskutek powstawania w materiale radiacyjnych centrów defektowych [1, 2]. W wyniku przeprowadzonych dotychczas badań powstała duża baza wiedzy o właściwościach elektrycznych i strukturze mikroskopowej defektów radiacyjnych w monokryształach krzemu [2-8]. Należy jednak dodać, że wartości energii aktywacji oraz koncentracji radiacyjnych [...]

 Strona 1