Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"ŁUKASZ BARTNIK"

Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV

Czytaj za darmo! »

Artykuł przedstawia wyniki prac prowadzonych na styku mikroelektroniki i informatyki, dotyczących wykorzystania metod optymalizacji globalnej w zadaniu ekstrakcji parametrów tranzystorów MOS. Ekstrakcja polega na dopasowywaniu charakterystyk napięciowo-prądowych, uzyskanych za pomocą modelu tranzystora, do danych pomierzonych. Pierwsze badania [2] prowadzone były z wykorzystaniem jednowymiarowego, numerycznego modelu Pierreta-Shieldsa, ze względu na jego stosunkowo prostą obliczeniowo postać, niewielką liczbę parametrów oraz fakt, że jedno wyrażenie opisuje cały zakres pracy tranzystora MOS. Model ten nie nadaje się jednak do opisu submikronowych struktur MOS ponieważ nie uwzględnia wielu istotnych zjawisk, np. efektów występujących w tranzystorach z krótkim kanałem, jonizacji[...]

 Strona 1