Wyniki 1-10 spośród 13 dla zapytania: authorDesc:"Daniel Gryglewski"

Metody modyfikacji warstwy radiowej systemów bezprzewodowych sieci abonenckich i wymiany danych


  Przeciętny użytkownik codziennie korzysta z co najmniej kilku urządzeń bezprzewodowych, takich jak telefon komórkowy GSM/UMTS z Bluetooth, terminal lokalizacji GPS, karta WLAN w notebooku, aparaty telefoniczne DECT i oczywiście radiowe piloty zdalnego sterowania. To tylko niektóre "gadżety" użytkowane w setkach milionów sztuk, bez których trudno sobie obecnie wyobrazić normalną pracę czy wręcz codzienne życie. Oprócz indywidualnych lub osobistych urządzeń, istotnym składnikiem infrastruktury telekomunikacyjnej, tzw. stałej, są systemy komunikacji radiowej. Są to m. in. bezprzewodowe łącza abonenckie, których użytkownicy nawet się nie domyślają, jakie medium wykorzystują. Ogromne zapotrzebowanie na usługi telekomunikacyjne, szczególnie z użyciem łączności bezprzewodowej, przyczynia się do intensywnego postępu technicznego i technologicznego w wielu dziedzinach szeroko rozumianej elektroniki, a także rozwoju istniejących standardów i systemów transmisji i opracowywania nowych. Aby zapewnić abonentom dostęp do pełnej oferty usług telekomunikacyjnych, niezależnie od miejsca pobytu i rodzaju operatora, są niezbędne łącza o bardzo dużej przepływności, integracja usług i dysponowanie wielosystemowymi terminalami. Takie podejście jest uzasadnione także względami ekonomicznymi, ponieważ - jak dotychczas - implementacja nowego standardu wymusza konstruowanie nowych urządzeń i następnie instalację infrastruktury telekomunikacyjnej odpowiedniej dla systemu wprowadzanego do eksploatacji. Przykładem jednego ze sposobów zwiększenia elastyczności i unifikacji różnych systemów jest implementacja idei radia programowalnego SDR (Software Defined Radio) dla realizacji uniwersalnego urządzenia komunikacyjnego o funkcjonalności zależnej jedynie od zaimplementowanego oprogramowania [1]. Pomimo coraz większych możliwości technicznych i technologicznych, koszty inwestycji telekomunikacyjnych są na tyle duże, że operatorzy decydują się zwykle na wym[...]

Pasywny ogranicznik diodowy na pasmo Ku


  Ogranicznik jest elementem układu zabezpieczającego wrażliwe obwody odbiornika przed zakłócającym i niszczącym oddziaływaniem środowiska elektromagnetycznego, w otoczeniu którego pracuje system radiokomunikacyjny lub radiolokacyjny. W zależności od potrzeb zabezpieczenie elementów toru odbiorczego może składać się nawet z kilku podzespołów o różnych rozwiązaniach układowych i technologicznych. Zespół układów zabezpieczających stosowany w pasmie mikrofal obejmuje: wstępne lampy zwierakowe (pre-tr tube), lampy zwierakowe (tr-tube), ograniczniki diodowe i ferrytowe [1]. Lampy zwierakowe pre-tr tube i tr tube są najbardziej odporne, wytrzymują wartości mocy wejściowej do 10 MW w impulsie, ale jednocześnie charakteryzują się najwyższym progiem ograniczania i długim czasem wyłączania nawet do 100 μs [2]. W systemach radarowych czas wyłączania lamp zwierakowych może istotnie wpływać na szerokość strefy martwej. Dla osiągnięcia akceptowalnego poziomu ograniczania zwykle nieprzekraczającego kilka mW niezbędne jest użycie kolejnych układów takich jak: ograniczniki diodowe oraz rzadziej ferrytowe, które zapewniają ostateczną ochronę obwodom odbiorczym. Do budowy ograniczników półprzewodnikowych wykorzystuje się specjalnie w tym celu wytwarzane krzemowe diody PIN tzw. ograniczające oraz znacznie mniej wytrzymałe diody Schottky’ego, stosowane w wyższych pasmach mikrofalowych. W zakresie mniejszych częstotliwości do pasma X włącznie, ograniczniki diodowe charakteryzują się bardzo krótkimi czasami przełączania, małymi stratami transmisji i całkiem niezłą wytrzymałością mocową na poziomie nawet 60 dBm w impulsie o długości 1 μs, dużą niezawodnością oraz dość prostą strukturą planarną i niewielkimi rozmiarami. Ze względu na rozproszoną architekturę radaru RSKu-10, najbardziej odpowiedni do zastosowania jest ogranicznik diodowy. Uproszczony schemat blokowy obwodów wejściowych 8-kanałowego odbiornika pokazano na rysunku 1. Ro[...]

Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky’ego SiC

Czytaj za darmo! »

Rozwój przemysłu samochodowego, lotniczego, energetycznego powoduje rosnące zainteresowanie układami półprzewodnikowymi, które są w stanie pracować w temperaturze otoczenia wyższej niż 150°C oraz są odporne na wysokie napięcia przekraczające 1000 V. Spełnienie takich wymagań oferują półprzewodniki z szeroką przerwą zabronioną, do których zalicza się węglik krzemu [1,2] (ang. SiC - Silicon Ca[...]

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC


  Pomimo stosunkowo bogatej oferty mikrofalowych tranzystorów mocy typu HEMT (High Electron Mobility Transistor) z heterozłączem AlGaN/GaN na podłożach izolacyjnych z węglika krzemu (4H-SiC) lub krzemu, polskie instytucje naukowo-badawcze prowadzą zaawansowane prace nad skonstruowaniem takich przyrządów m.in. bezpośrednio na monokrystalicznym azotku galu. Motywacją do takich działań oprócz rozwoju własnych technologii jest zabezpieczenie potrzeb krajowego przemysłu i sprostanie konkurencji firm amerykańskich i japońskich jako bezalternatywnych dostawców. Tranzystory mocy na pasma mikrofalowe są często objęte restrykcyjnymi przepisami eksportowymi, szczególnie w przypadku możliwej aplikacji w urządzeniach radiolokacyjnych. Dotychczas wytworzone w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE ) tranzystory zawierają pojedynczą celę, która składa się z dwóch elementarnych struktur z bramkami w układzie "π". Osiągnięte rezultaty stanowią punkt wyjścia do budowy przyrządów o większej liczbie równolegle połączonych cel dla zwiększenia mocy wyjściowej. Na tym etapie prac celowe jest przeprowadzenie analizy termicznej skonstruowanych struktur pod kątem możliwości i warunków integracji w chipy tranzystorów dużej mocy. Zwłaszcza, że niezawodność przyrządów półprzewodnikowych istotnie zależy od maksymalnej temperatury obszaru aktywnego - w przypadku tranzystorów GaN HEMT - kanału [1]. Zagadnienie termiczne sprowadza się do wyznaczenia czasowego przebiegu temperatury obszaru aktywnego jako odpowiedzi termicznej struktury fizycznej na pobudzenie cieplne określone przez zmienną, w ogólności, moc rozpraszaną w tranzystorze. Temperatura otoczenia stanowi wartość początkową rozkładu temperatury, a poziom mocy zasilania DC oraz rodzaj sterowania AC określają kształt charakterystyki temperaturowej. Planowany drugi etap prac będzie obejmował zbudowanie elektryczno-termicznego modelu tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem chwilowej temperatury kana[...]

Blok przemiany częstotliwości odbiornika radaru śledzącego na pasmo Ku

Czytaj za darmo! »

Skonstruowany blok przemiany częstotliwości dla radaru RSKu-10 na pasmo Ku realizuje konwersję sygnału z zakresu 17÷17,5 GHz do pasma pośredniej 70 MHz ± 4 MHz ze wzmocnieniem o regulacji w przedziale od 19 dB do 49 dB i współczynnikiem szumów mniejszym niż 6 dB. Nierównomierność wzmocnienia w pasmie 17÷17,5 GHz nie przekracza ± 0,7 dB, a w kanale pośredniej o szerokości 8 MHz wynosi ± 0,4 dB. Abstract. In this paper, the design of down-converter for Ku-band RSKu-10 radar is presented. The receiver consists of 8 identical down-converters. The input signals from the range 17÷17.5GHz are converted to 70MHz IF-band. The conversion gain is controlled within 19÷49dB dynamic range. The total noise figure of down-converter is less than 6dB. The gain flatness amounts ±0.7dB from 17GHz to 17.5GHz, and ±0.4dB within 70±4MHz IF band. (The design of down-converter for Ku-band RSKu-10 radar) Słowa kluczowe:, przemiana częstotliwości, radar śledzący, pasmo Ku, odbiornik. Keywords: frequency conversion, radar, Ku-band, receiver. Wprowadzenie Odbiornik radaru RSKu-10 na pasmo Ku w części analogowej zawiera 8 identycznych bloków przemiany częstotliwości sygnału, z których każdy składa się z filtru pasmowo-przepustowego (FPP), ogranicznika i modułów przemiany częstotliwości. Uproszczony schemat blokowy obwodów wejściowych radaru śledzącego RSKu-10 pokazano na rysunku 1. Na wejściu odbiornika dla wydzielenia pasma pracy umieszczono filtr pasmowoprzepustowy (FPP). Zadaniem ogranicznika jest ochrona wrażliwych elementów obwodów przemiany częstotliwości. W układach przemiany częstotliwości następuje konwersja sygnału sondującego z zakresu 17÷17,5 GHz do pasma pośredniej częstotliwości 70 MHz ± 4 MHz. Rys.1. Schemat blokowy 8-kanałowego odbiornika radaru RSKu-10: Ali, APi - łaty anteny Parametry toru odbiorczego Parametry toru odbiorczego podane w tabeli 1 sformułowano na postawie planowanych osiągów radaru. Tor odbi[...]

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L DOI:10.15199/48.2015.09.01

Czytaj za darmo! »

W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz. Abstract. In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT. (L-band LNA Amplifier with GaN PolHEMT). Słowa kluczowe: wzmacniacz niskoszumny, mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, układy aktywne. Keywords: LNA, amplifier, microwaves, GaN, HEMT, transistor, modeling, active devices. Wprowadzenie Przedmiotem projektu PolHEMT jest opracowanie demonstratora technologii mikrofalowych tranzystorów mocy GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN firmy Ammono z przeznaczeniem dla systemów radiolokacyjnych. Pomimo, że celem projektu PolHEMT jest wykonanie tranzystora o mocy wyjściowej 12 W w pasmie S, zdecydowano się skonstruować wzmacniacz niskoszumny (LNA) przy użyciu struktury GaN HEMT wytworzonej w/w projekcie. Zastosowanie tranzystorów GaN HEMT do budowy stopni wejściowych odbiorników radiolokacyjnych ma głęboki sens, ponieważ prowadzi do istotnego zwiększenia odporności układ[...]

Wielobitowe mikrofalowe przesuwniki fazy

Czytaj za darmo! »

Przesuwniki fazy znajdują szerokie zastosowanie w bardzo dynamicznie rozwijających się wielokanałowych systemach radiokomunikacji satelitarnej i naziemnej, w radiolokacji przy realizacjach wieloelementowych szyków antenowych i anten o selektywnie regulowanych kształtach charakterystyk promieniowania oraz jako modulatory sygnału mikrofalowego, upraszczające wielowrotowe systemy pomiarowe. Zal[...]

T/R modules for APAR

Czytaj za darmo! »

The electronically scanned arrays (ESA) offer a number of well-known system advantages such as “beam agility" - multiple independently steered beams from common antenna with quick change of beam direction without delay due to mechanical inertia, multifunctional capabilities and flexibility for user, which can define optimum way to exploit radar resources to the maximum. Therefore, the ESAs dominate over the common single-function surveillance and tracking radars. For this reason, both the military and industry are still very interested in applying phased-array technique for accurate tracking, missile guidance, identification of objects based on waveforms of echo as well as in weather forecasting and radio astronomy. The origins of phased arrays go back to the World War II[...]

Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF


  Oprawki tranzystorów stosowanych w układach mikrofalowych są istotnym elementem decydującym w znacznym stopniu o jakości gotowych przyrządów półprzewodnikowych. W wypadku obudów tranzystora wprowadzają one pasożytnicze pojemności i indukcyjności, które powodują obniżenie częstotliwości granicznej fT oraz pogarszają warunki stabilności. Ponadto można zaobserwować również efekty rezonansowe [1] wywołane niefortunnym układem rozproszonych pojemności obudowy oraz indukcyjnością połączeń drutowych. Poznanie parametrów obudów oraz ich wpływ na działanie tranzystorów pozwala na minimalizowanie takich efektów. W niniejszym komunikacie przedstawiono wyniki prac prowadzących do zaproponowania struktury i parametrów obwodu zastępczego reprezentującego elementy pasożytnicze oprawki tranzystora. Opisano w nim opartą na wykorzystaniu modeli numerycznych metodologię modelowania typowej oprawki jednego z popularnych mikrofalowych tranzystorów mocy na pasma L i S. Jako jeden z przykładów wykorzystania uzyskanych wyników można podać analizę prowadzącą do decyzji, czy zalety umieszczenia tranzystora w kosztownej obudowie równoważą pogorszenie parametrów zaciskowych w porównaniu z chipem zamontowanym bezpośrednio w układzie mikrofalowym. Przedstawione podejście jest rozwinięciem metody opisanej w [2], gdzie nie zajmowano się jednak oprawkami tranzystorów mocy, co prowadziło do innych obwodów zastępczych niż zaproponowane w niniejszej pracy. W [2] nie przeprowadzono także kalibrowania modelu numerycznego na podstawie danych pomiarowych, co postuluje się w niniejszej pracy. Testowa oprawka tranzystora mocy Do eksperymentów wybrano tranzystor MRFG 35010 firmy Freescale w oprawce określonej przez producenta jako NI- 360HF (360D). Tranzystor osiąga maksymalną moc wyjściową 10 W przy wzmocnieniu ok. 10 dB i jest przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości 1,8…3,6 GHz. Przyrząd ten jest zamknięty w obudowie z tlenku glinu (alundu) o małych[...]

Powtarzalność elektrycznej charakteryzacji oprawki zawierającej połączenia drutowe


  Oprawki przyrządów półprzewodnikowych lub układów scalonych stosowanych w układach mikrofalowych są istotnym elementem decydującym w znacznym stopniu o jakości gotowych przyrządów półprzewodnikowych. W wypadku obudów tranzystora wprowadzają one pasożytnicze pojemności i indukcyjności, które powodują obniżenie częstotliwości granicznej fT oraz pogarszają warunki stabilności. Ponadto można zaobserwować również efekty rezonansowe [1] wywołane niefortunnym układem rozproszonych pojemności obudowy oraz indukcyjnością połączeń drutowych. Poznanie parametrów oprawek oraz ich wpływ na działanie tranzystorów pozwala na minimalizowanie takich efektów. W literaturze opisano wiele sposobów charakteryzacji oprawek tranzystorowych i układów scalonych. Wydaje się, że dominującym podejściem jest opisywanie elementów pasożytniczych oprawek mniejszych niż l/10 długości fali za pomocą kilku obwodów typu "π " [2], gdzie skupiona szeregowa indukcyjność odpowiada połączeniu drutowemu o skończonej długości, a włączone równolegle pojemności opisują pojemność wyprowadzenia oprawki oraz pojemność pola kontaktowego chipu. W niniejszym komunikacie przedstawiono wyniki prac prowadzących do zaproponowania struktury obwodu zastępczego popularnej oprawki typu TO-39, która znajduje zastosowanie także w konstrukcji detektorów promieniowania (podczerwonego lub z pasma THz). Zaproponowana struktura przypomina typowy obwód typu "π " zmodyfikowany w celu dokładniejszego odwzorowania charakterystycznych cech oprawki TO-39. Zastosowane podejście wymaga zainstalowania wewnątrz badanej oprawki pojedynczego "standardu kalibracyjnego" zastępującego chip detektora (lub strukturę tranzystora). W tej roli zastosowano odcinek niesymetrycznej linii paskowej wykonanej na cienkim laminacie mikrofalowym. Na podstawie pomiarów macierzy [S] oprawki przygotowanej w ten sposób można określić parametry jej obwodu zastępczego. Przedstawione podejście jest rozwinięciem met[...]

 Strona 1  Następna strona »