Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Szymon SOKÓŁ"

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L DOI:10.15199/48.2015.09.01

Czytaj za darmo! »

W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz. Abstract. In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT. (L-band LNA Amplifier with GaN PolHEMT). Słowa kluczowe: wzmacniacz niskoszumny, mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, układy aktywne. Keywords: LNA, amplifier, microwaves, GaN, HEMT, transistor, modeling, active devices. Wprowadzenie Przedmiotem projektu PolHEMT jest opracowanie demonstratora technologii mikrofalowych tranzystorów mocy GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN firmy Ammono z przeznaczeniem dla systemów radiolokacyjnych. Pomimo, że celem projektu PolHEMT jest wykonanie tranzystora o mocy wyjściowej 12 W w pasmie S, zdecydowano się skonstruować wzmacniacz niskoszumny (LNA) przy użyciu struktury GaN HEMT wytworzonej w/w projekcie. Zastosowanie tranzystorów GaN HEMT do budowy stopni wejściowych odbiorników radiolokacyjnych ma głęboki sens, ponieważ prowadzi do istotnego zwiększenia odporności układ[...]

 Strona 1