Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"Tomasz N. KOLTUNOWICZ"

Equivalent circuits for FeCoZr-Al2O3 nanocomposite films deposited in argon and argon-oxygen atmospheres

Czytaj za darmo! »

The investigation of the equivalent circuits for granular nanocomposite films was performed according to the method of the impedance spectroscopy. The films, consisted of the Fe0.45Co0.45Zr0.10 ferromagnetic alloy nanoparticles embedded into amorphous dielectric alumina matrix, were deposited in pure argon or argon and oxygen mixture. The temperature dependences of active and reactive components in the equivalent circuits for the (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposite films are compared and analyzed. The presence of the inductive part in the equivalent circuits for the samples deposited in Ar gas below and beyond percolation threshold is shown. It is revealed that the equivalent circuits of the (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposites produced in argon + oxygen gas mixture show more strong inductive contribution than ones sputtered in pure argon. Streszczenie. Przeprowadzono badania układów zastępczych ziarnistych nanokompozytowych warstw zgodnie z wymaganiami metody spektroskopii impedancyjnej. Warstwy, złożone z ferromagnetycznych stopów nanocząstek Fe0,45Co0,45Zr0,10 osadzonych w amorficznym podłożu dielektrycznym, zostały wytworzone w atmosferze czystego argonu lub mieszaninie argonu i tlenu. Dokonano analizy porównawczej temperaturowych zależności składowej czynnej i biernej w układach zastępczych nanokompozytowych warstw (Fe0,45Co0,45Zr0,10)x(Al2O3)(1-x). W przypadku próbek powyżej oraz poniżej progu perkolacji wytworzonych w atmosferze argonu wykazano obecność składowej indukcyjnej w układzie zastępczym. Zaobserwowano również, że układy zastępcze nanokompozytów (Fe0,45Co0,45Zr0,10)x(Al2O3)(1-x) wytworzonych w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu charakteryzują się znacznie silniejszym udziałem indukcyjności w porównaniu z warstwami naniesionymi w atmosferze czystego argonu. (Układy zastępcze dla nanokompozytowych warstw FeCoZr-Al2O3 wytworzonych w atmosferze argonu oraz argonu i tlenu). Keywords: equivalent circuits,[...]

Sensor for analysis of engine knock control system DOI:10.15199/48.2015.08.19

Czytaj za darmo! »

Niniejszy artykuł dotyczy zjawiska niepożądanego spalania detonacyjnego w silnikach spalinowych. Jednostka sterująca silnika monitoruje te detonacje używając piezoelektrycznych czujników. Dzięki kontroli czujnikami spalania stukowego detonacje mogą być obiektywnie zmierzone po prostu na zewnątrz samochodu. Jeśli ten komponent zapewni małą amplitudą napięcia wyjściowego mogłoby się zdarzyć, że w obszarze zapłonu silnika wystąpiłoby spalanie. Artykuł dotyczy konstrukcji prostego urządzenia do wykrywania tego zaburzenia. (Czujnik do analizy systemu kontrolnego spalania stukowego) Abstract. This paper deals with the phenomenon of the undesirable detonation combustion in internal combustion engines. A control unit of the engine monitors these detonations using piezoelectric knock sensors. With the control of these sensors the detonations can be objectively measured just outside the car. If this component provides small amplitude of the output voltage it could happen that there would have been in the areas of the engine ignition combustion. The paper deals with design of a simple device for the detection of this disorder. Słowa kluczowe: czujniki spalania stukowego; diagnostyka; urządzenie do kontroli. Keywords: knock sensor; diagnostic; testing device. Introduction A knock sensor allows the engine to run with the ignition tim-ing as far advanced as possible. The computer will continue to advance the timing until the knock sensor detects pinging. At that point the computer retards the ignition timing just enough for stop the pinging. The knock sensor responds to the spark knock caused by pre-detonation of the air/fuel mixture. As the flame front moves out from the spark plug ignition point, pressure waves in the chamber crash into the piston or cylinder walls resulting in a sound known as a knock or ping. This is caused by using a fuel with a low octane rating, overheating, or over advanced timing. Sometimes it can be caused by hot carbon[...]

The delay line with a surface acoustic wave for an oscillator of electric signals in some sensors DOI:10.15199/48.2018.03.38

Czytaj za darmo! »

As selective elements of oscillators of harmonic vibration besides the band-pass filters are also used delay lines (DL) and resonators as a perspective a coustic-electric components based on surface acoustic waves (SAW). From the stability point of view we can classify these oscillators among the ones with volume acoustic waves and LC oscillators. In the article, the DL with SAW for single - mode oscillators. The oscillator with delay line The basic principle of function of oscillator with delay line is represented on the next figure (Fig. 1). The delay line (4) with SAW plugged in the feedback of amplifier (2) is a basic element. Circuits (1, 3) serve to match impedance of the abovementioned to the impedance of the electronic circuitry. Fig.1. Bloc diagram of oscillator. Because the previous signal from the input to the output of DL is delayed, examined oscillators are ones with delayed feedback. The theory of these oscillators is well known in the literature [1]. Different situation is in the case of DL with SAW, where DL themselves have narrow transmission band and their parameters differ fundamentally in this range. Physical distinctiveness of functioning of listed components which are related with phenomena of excitation, extension and reflection of SAW cause that in addition to delay, the DL´s have specific frequency dependencies of input and output admittances. Their replacement with the lumped elements RLC circuit or broad - band DL with outer selective LC is mentioned only very general. The oscillator with mismatched delay line The used delay line with SAW as a selective element of oscillator can be symmetrical or non-symmetrical. Symmetrical DL is characterized by the same input and output IDT while non-symmetrical DL has the input IDT with small number of electrodes (broadband) and output IDT with big number of electrodes (narrowband). In the contribution we will only deal with the symmetrical DL. For simpl[...]

Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2

Czytaj za darmo! »

In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 - 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 - 245 K and 105 - 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples. Streszczenie. W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 - 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 - 245 K i 105 - 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach. (Właściwości elektryczne monokryształów TlGaSe2 and TlInS2). Keywords: layered crystals, phase transition, DC resistance, AC conductance. Słowa kluczowe: kryształy warstwowe, przejście fazowe, rezystancja stałoprądowa, zmiennoprądowa przewodność. Introduction The ternary compounds TlGaSe2 and TlInS2 belong to the group of chalcogenide semiconductor-ferroelectric crystals with layered structure which are crystallized in monoclinic structure. These crystals have received a great deal of attention due to their optical and electrical properties in view of the possible optoelectronic device application. In recent years there is a growing interest to their study due to the coexistence of ferroelectric and semiconductor properties, as well as the presence of structural phase transformations in some of these compounds. In particular, it has been established that, on cooling, some of undoped TlGaSe2 and TlInS2 crystals exhibit a sequence of structural phase transitions which accompanied by peculiarities on temperature dependencies of different properties - dielectric, elastic, acoustic, thermal, optical, etc., at temperatures ranges of ~ 90 - 140 K and ~ 242 - 253 K for TlGaSe2 and ~ 190 - 195 [...]

Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition

Czytaj za darmo! »

The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed. Streszczenie. Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu. (Gigantyczny efekt magnetorezystywności w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni wytworzonych przy użyciu metody nanoszenia elektrochemicznego). Keywords: Ion implantation, granular materials, nanostructures, magnetoresistance. Słowa kluczowe: implantacja jonowa, ziarniste materiały, nanostruktury, magnetorezystancja. Introduction At the present time commercially produced magnetic nanosensors, memory nanocells, etc. are not free from such limitations as too high sensitivity to temperature, fairly high costs, poor properties at high frequencies and relatively large sizes. Therefore, of special interest is the development of the methods to create nanostructures and/or their arrays exploiting the giant (GMR) or tunneling (TMR) magnetoresistive effects [1]. The GMR/TMR effects are created in the artificially layered systems composed of a large number of magnetic/nonmagnetic layers, forming some kind of a superlattice [2]; multilayer structures in spin valve configurations [3]; point contacts between two ferromagnetic nanowires [4]; nanobridges fabricated from ferromagnetic semiconductors [5]; etc. Another approach to the fabrication of the arr[...]

Magnetotransport in nanostructured Ni films electrodeposited on Si substrate

Czytaj za darmo! »

The study of electrical resistivity  and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR. Streszczenie. W pracy przedstawiono badania rezystywności  i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza. (Magnetoprzewodzenie w nanostrukturalnych cienkich warstwach Ni osadzanych galwanicznie na podłożu Si). Keywords: granular materials, nanostructures, magnetoresistance. Słowa kluczowe: ziarniste materiały, nanostruktury, magnetorezystancja. Introduction In spite of the discovery of Giant Magnetoresistive (GMR) effect [...]

Synthesis and properties of doped ZnO ceramics DOI:10.15199/48.2016.11.56

Czytaj za darmo! »

In our work, we studied zinc oxide ceramic samples doped with aluminum and gallium. Structure peculiarities of ceramics depending on their synthesis regime were investigated by the SEM, EDX, XRD, and Raman spectroscopy methods. It was demonstrated that at some technological conditions the formation of indesirable phases of zinc aluminate or gallate may occur preventing an uniform material doping and reducing quality of samples. Single-phase ZnO ceramics were produced when the nanostructured alumina powders were used as a dopant source. The correlations between the synthesis regimes of ZnO ceramics and their electrophysical parameters essential for thermoelectric figure-of-merit (electrical conductivity and Seebeck coefficient) have been established. The best electrophysical characteristics were obtained when the nanostructured alumina produced by combustion in isopropyl alcohol was used as a dopant. Conductivity and Seebeck coefficient of such ceramics are equal to 3·103 S/m and -0.27 mV/K, respectively, corresponding to the power factor of 2.2·10-4 W/(m·K2). Streszczenie. W naszej pracy zbadaliśmy próbki ceramiki tlenku cynku domieszkowanej aluminium oraz galem. Specyfikę struktury ceramiki zależącą od warunków syntezy zbadano metodami SEM, EDX, XRD oraz spektroskopią Ramana. Zaprezentowano, że dla niektórych warunków technologicznych tworzą się niepożądane fazy glinianu cynku lub galusanu zapobiegając jednolitemu domieszkowaniu materiału oraz zmniejszając jakość próbek. Jednofazowa ceramika ZnO została uzyskana w czasie, gdy nanostrukturalny proszek tlenku aluminium był używany jako źródło domieszki. Określono powiązania pomiędzy warunkami otrzymywania ceramiki ZnO oraz jej elektro-fizycznymi parametrami niezbędnymi do termoelektrycznego współczynnika jakości (przewodnictwo elektryczne oraz współczynnik Seebeck`a). Najlepsze elektrofizyczne charakterystyki otrzymano, gdy używano jako domieszkę nanostrukturalny tlenek aluminiu[...]

Physical and mechanical properties of nanostructured (Ti-Zr-Nb)N coatings obtained by vacuum-arc deposition method DOI:10.15199/48.2016.08.49

Czytaj za darmo! »

By vacuum-arc evaporation of multielement Ti+Zr+Nb cathode in nitrogen atmosphere, (Ti-Zr-Nb)N coatings have been deposited on steel substrates. The coatings are characterized by a columnar structure with nanosized (10-63 nm) crystallites of the main FCC nitride phase (Ti-Zr-Nb)N. Such coatings seem to having prospects as protective ones for couples of friction and cutting tools. Streszczenie. Metodą próżniowo-łukowego osadzania z katod systemu Ti+Zr+Nb w atmosferze azotu otrzymano powłoki na podłożach (Ti-Zr-Nb)N. Powłoki charakteryzują się słupową strukturą z nanowymiarowymi (10-63 nm) kryształami w podstawie których jest FCC faza azotku Ti-Zr-Nb)N. (Fizyko-mechaniczne właściwości powłok (Ti-Zr-Nb)N otrzymanych metodą próżniowo-łukową). Keywords: vacuum-arc evaporation, hardness, wear, adhesion strength. Słowa kluczowe: próżniowo-łukowe osadzanie, twardość, zużycie, przyczepność. Introduction During the exploitation the surface layer of machine parts and mechanisms subjected to heavy mechanical, thermal and chemical resistance. The loss of efficiency in most cases occurs from the surface as a result of wear, erosion, corrosion, and so on. A significant resource increase of capacity lies in the material of which made parts. To provide complex high performance properties very promising can be the use of multi coatings based on carbides, borides, nitrides and silicides of transition metals [1-5]. The stability of the structure and composition, as well as high performance multi-element nitride systems provide improvement of physical and mechanical characteristics of the surface and use of them as a protective film prevents the penetration of harmful impurities in the surface layers of articles [6-8]. Currently, the most widely used are methods of ion-plasma deposition of coatings, in particular vacuumarc and magnetron sputtering [9-13]. In this work features of formation of ion-plasma coatings by spraying a multi-element systems b[...]

 Strona 1