Wyniki 1-10 spośród 14 dla zapytania: authorDesc:"Krzysztof Zymmer"

Książki DOI:

Czytaj za darmo! »

Mieczysław Nowak, Roman Barlik Poradnik inżyniera energoelektronika. Tom1 Wydawnictwo WNT, Warszawa 2014, wyd. II zmienione; 400 str., 253 rys.) Mieczysław Nowak, Roman Barlik, Jacek Rąbkowski Poradnik inżyniera energoelektronika. Tom 2 Wydawnictwo WNT, Warszawa 2015, wyd. II zmienione; 523 str., 634 rys.) Nakładem Wydawnictwa NT ukazały się dwa tomy Poradnika inżyniera energoelektronika, poświęconego analizie, projektowaniu, konstrukcji i eksploatacji urządzeń energoelektr[...]

Nowe książki Mieczysław Nowak, Roman Barlik - Poradnik inżyniera energoelektronika. Tom1 Wydawnictwo WNT, Warszawa 2014, wyd. II zmienione; 400 str., 253 rys.) Mieczysław Nowak, Roman Barlik, Jacek Rąbkowski - Poradnik inżyniera energoelektronika. Tom 2 Wydawnictwo WNT, Warszawa 2015, wyd. II zmienione; 523 str., 634 rys.) DOI:

Czytaj za darmo! »

W prezentowanym Poradniku przedstawiono główne zasady, którymi należy kierować się przy analizie i projektowaniu, a także konstrukcji i eksploatacji urządzeń energoelektronicznych. Jego pierwowzorem jest wydany w 1998 r. również przez WNT Poradnik inżyniera energoelektronika, napisany przez M. Nowaka i R. Barlika. Podzielona na dwa tomy obecna wersja Poradnika została jednak przez Autorów w istotny sposób zmieniona zarówno co do ujęcia redakcyjnego jak i treści. W tomie pierwszym, po krótkiej przedmowie, zamieszczono dwa rozdziały. Rozdziale pierwszym, w sposób bardzo zwięzły został scharakteryzowany materiał zawarty w poszczególnych rozdziałach całego Poradnika. Obszerny rozdział drugi tego tomu poświęcono uk[...]

Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością


  Prace badawcze nad nowymi materiałami półprzewodnikowymi prowadzone w latach 90-tych ubiegłego wieku doprowadziły w efekcie do produkcji przyrządów półprzewodnikowych o właściwościach istotnie korzystniejszych od odpowiednich przyrządów bazujących na krzemie [1, 2]. Dotyczy to zwłaszcza parametrów dynamicznych (przejściowych) szczególnie istotnych przy przekształcaniu energii z wysoką częstotliwością, a także temperatury pracy. Jednym z nowych materiałów stosowanych obecnie w technice półprzewodnikowej jest węglik krzemu. Diody Schottky`ego wytwarzane na bazie tego materiału osiągają napięcie 1200 V i prądy rzędu kilkudziesięciu i więcej amperów. Przykładowo firma Infineon oferuje moduły tranzystorowe (IGBT) z unipolarnymi diodami zwrotnymi (SiC) o prądzie 360 A i napięciu 1200 V [10], podczas gdy odpowiednie napięcie unipolarnych diod krzemowych nie przekracza 250 V. Z kolei amerykańska firma Powerex prezentuje na razie jako sygnalne moduły tranzystorowo diodowe (MOSFET-SiC) [11] o prądzie 100 A i napięciu 1200 V. Tak więc można już na bazie tych przyrządów projektować przekształtniki o mocy kilkunastu, a przy łączeniu równoległym elementów kilkudziesięciu kilowatów pracujące z częstotliwością wyższą niż umożliwiają to odpowiednie przyrządy bazujące na krzemie. Ponieważ przyrządy te są elementami stosunkowo nowymi ważne jest poznanie ich właściwości zwłaszcza przez badania eksperymentalne prowadzone w przekształtnikach o różnych topologiach. Uzyskane wyniki będą stanowiły istotny materiał pomocny przy opracowywaniu konkretnych urządzeń o różnym przeznaczeniu. W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań diod unipolarnych SiC oraz tranzystorów współpracujących z tymi diodami w procesie komutacji prądu, prowadzonych w układzie testującym o częstotliwości zmienianej w granicach 10…200 kHz. Zaprezentowano także dane porównawcze dotyczące własności dynamicznych diod unipolarnych SiC oraz ultraszybkich bipolarnych dio[...]

Wyznaczanie temperatury struktury przyrządu półprzewodnikowego w warunkach przeciążeń i zwarć

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono wygodny sposób wyznaczania temperatury struktury półprzewodnikowej przyrządów energoelektronicznych uzyskiwanej przez badania symulacyjne modelu cieplnego przyrządu. Opisano też sposób wykorzystania tej temperatury dla określania zagrożeń uszkodzeniem diod i tyrystorów w warunkach przeciążeń i zwarć oraz doboru zabezpieczeń przeciwzwarciowych. Summary. The paper presents a convenient way of determining the temperature of a semiconductor structure of an power electronic devices obtained during simulation investigations of a thermal model of the device. A method of using this temperature for determining hazards of damage for diods and thyristors in conditions of overloads and short circuits, a nd for selection of short circuit protection. (A convenient way of determining the temperature of a semiconductor structure of an power electronic devices) Słowa kluczowe: przyrządy energoelektroniczne, stany zwarciowe, temperatura struktury Keywords: semiconductor power devices, short-circuit conditions, temperature of the structure Wprowadzenie Wszystkie właściwości przyrządów energoelektronicznych takich jak diody i tyrystory, a także tranzystory w istotny sposób zależą od temperatury struktury. Pomimo tego, że tranzystory są coraz powszechniej wprowadzane do układów energoelektronicznych to diody i tyrystory nadal są stosowane zwłaszcza na przekształtnikach dużej mocy ze względu na niskie ceny jednostkowe oraz dużą przeciążalność prądową i wytrzymałość zwarciową. Diody i tyrystory wykazują kilkakrotną w stosunku do obciążenia znamionowego przeciążalność prądową zależną od czasu trwania danego cyklu przeciążeniowego. Przeciążalność ta deklarowana jest przez producentów w formie zależności prądowo-czasowej określonej liczbą półsinusoidalnych impulsów prądowych o danej amplitudzie i czasie trwania 10 ms (50 Hz) lub/i 8,3 ms (60 Hz). Natomiast przebieg prądu w diodach i tyrystorach, w czasie występujących w układach en[...]

Doc. dr inż. Janusz Wdowiak (1926-2018) DOI:


  Doc. dr inż. Janusz Wdowiak, wielce zasłużony człowiek dla elektrotechniki polskiej, zmarł 16 czerwca 2018 r. w wieku 92 lat. Całe życie przepracował w Instytucie Elektrotechniki, przyczyniając się do rozwoju techniki przekształtnikowej (energoelektroniki). Pracę zawodową rozpoczął w 1949 r. jeszcze jako student, w czasie organizacji i budowy przemysłu krajowego. Szczególnie duży wkład wniósł przy uruchamianiu produkcji prostowników dla trakcji elektrycznej na PKP, komunikacji miejskiej, górnictwa oraz potrzeb przemysłu metalowego. Urodził się w Warszawie w rodzinie inteligenckiej. W czasie okupacji kontynuował naukę na tajnych kompletach. Egzamin dojrzałości złożył w maju 1944 r. w Państwowym Gimnazjum i Liceum im. Stanisława Staszica w Warszawie. Od 1 sierpnia 1944 r. 18-letni Janusz Wdowiak walczył w powstaniu warszawskim jako szeregowy Armii Krajowej (125. Pluton AK Warszawa, II Baon Pancerny). Po upadku powstania został wywieziony do obozu jeńców wojennych w Fallingbostel (Niemcy), gdzie przebywał do kwietnia 1945 r. Mieszkanie jego rodziny zostało spalone 10 sierpnia 1944 r. Tragedią dla doc. Janusza Wdowiaka była wiadomość o zamordowaniu matki w obozie Bergen Belsen w Niemczech w 1945 r. Po powrocie w 1946 r. z obozu jeńców wojennych przez kilka miesięcy pracował w Dyrekcji Okręgu Poczt i Telegrafów w Warszawie. Jesienią 1946 r. rozpoczął studia w Państwowym Konserwatorium Muzycznym oraz na Wydziale Elektrycznym Politechniki Warszawskiej, które ukończył w 1950 r. Konieczność podjęcia pracy zawodowej zmusiła Go do przerwania studiów muzycznych. W 1950 r. został przeniesiony do Zakładu Trakcji Elektrycznej, co [...]

Wyższe harmoniczne w liniach elektroenergetycznych zasilających podstacje trakcyjne prądu stałego

Czytaj za darmo! »

W wielu krajach europejskich w układach zasilania trakcji elektrycznej - zarówno miejskiej, jak i kolejowej - stosowane są systemy prądu stałego. Systemy tego rodzaju realizowane są na ogół przy zastosowaniu zespołów prostownikowych z prostownikami diodowymi. Prostowniki te generują do zasilającej sieci elektroenergetycznej wyższe harmoniczne prądu, a do sieci trakcyjnej prądu stałego wyższe harmoniczne napięcia. Harmoniczne te powodują dodatkowe straty mocy w transformatorach, liniach zasilających, odbiornikach po stronie prądu stałego, a także mogą wywoływać zakłócenia w pracy układów sterowania i obwodów głównych innych przekształtników energoelektronicznych. Istnieje kilka sposobów ograniczania ilości wyższych harmonicznych w sieci prądu zmiennego i prądu stałego, jak fil[...]

Charakterystyka wybranych właściwości modulacji 2P-SVPWM, 3P-SVPWM oraz VSVPWM dla falownika 4L-DCC

Czytaj za darmo! »

W artykule scharakteryzowano trzy rodzaje modulacji szerokości impulsów dla czteropoziomowego przekształtnika z diodami poziomującymi 4L-DCC: modulację dwufazową (2P-SVPWM), trójfazową (3P-SVPWM) oraz bazującą na koncepcji wektorów wirtualnych (VSVPWM). Algorytmy modulacji zrealizowano z wykorzystaniem funkcji kształtu elementu trójkątnego. Opisano mechanizmy równoważenia napięć w obwodzie pośredniczącym bazujące na redundantnych stanach falownika oraz scharakteryzowano możliwości kompensacji nierównomierności rozkładu napięć w obwodzie pośredniczącym. Abstract. A comparison of three kind of PWM modulation (2P-SVPWM, 3P-SVPWM and VSVPWM) for 4-level diode-clamped converter is presented. Each PWM algorithm’s implementation is based on the shape function of triangle element. Relating to proposed modulations DC-link voltage balancing methods are also considered. The balancing methods are based on redundant states of the converter. The analysis an algorithm compensation ability of capacitors voltage fluctuation was made and attached. (Two-phase SVPWM, three-phase SVPWM and VSVPWM modulation algorithm implementation for 4-level diode-clamped converter). Słowa kluczowe: PWM, SVPWM, VSVPWM, 4L-DCC, przekształtniki wielopoziomowe Keywords: PWM, SVPWM, VSVPWM, 4L-DCC, multilevel converters Wstęp Od ponad trzech dekad obserwuje się rozwój wielopoziomowych topologii, co między innymi przekłada się na wzrastającą liczbę aplikacji dużej mocy i średniego napięcia [1, 2]. Coraz powszechniejsze jest zastosowanie przekształtnikowych układów wielopoziomowych o wyjściu beztransformatorowym [3, 4]. Dąży się przy tym zarówno do uzyskania napięcia o małej zawartości wyższych harmonicznych, jak i do minimalizacji liczby elementów mocy. Realizacji i zastosowaniu układów o nowych topologiach i z coraz większą liczbą poziomów napięcia na wyjściu towarzyszą prace nad stworzeniem wydajnych technik modulacji szerokości impulsów [5, 6, 7]. Wraz ze wzroste[...]

Budowa i sterowanie układu równoważenia napięć w obwodzie pośredniczącym czteropoziomowego przekształtnika 4L-DCC

Czytaj za darmo! »

W artykule opisano budowę nowego układu równoważenia napięć w obwodzie pośredniczącym czteropoziomowego przekształtnika 4L-DCC (ang. Four Level Diode Clamped Converter) oraz zaproponowano dwa alternatywne algorytmy modulacji szerokości impulsów - modulację PD-PWM (ang. Phase Disposition PWM) oraz PO-PWM (ang. Phase Opposition PWM). Zawarto rozważania dotyczące realizacji układu regulacji napięć kondensatorów obwodu pośredniczącego. Abstract. A new DC voltage balancing circuit for 4L-DCC converter are presented. Two proposed alternate pulse width modulation implementation Phase Disposition PWM and Phase Opposition PWM are discussed. The concept of feedback control loop is also considered. (Control and construction of multilevel DC voltage balancing circuit for 4L-DCC converter). Słowa kluczowe: PO-PWM, PD-PWM, 4L-DCC, równoważenie napięć, przekształtniki wielopoziomowe Keywords: PO-PWM, PD-PWM, 4L-DCC, voltage balancing, multilevel converters Wstęp Wielopoziomowe topologie przekształtników bazujące na technologii IGBT umożliwiają praktyczną realizację falowników napięcia stosowanych w napędach w obszarze napięć średnich bez konieczności stosowania transformatorów [1,2]. Przykładem takiego rozwiązania jest czteropoziomowy przekształtnik z diodami poziomującymi 4L-DCC [3]. Obwód pośredniczący takiego przekształtnika zbudowany jest z trzech szeregowo połączonych kondensatorów, jednakże taka konstrukcja obwodu pośredniczącego nie gwarantuje równego rozkładu napięć w całym zakresie głębokości modulacji i współczynnika mocy obciążenia. Opracowane dotychczas metody algorytmiczne bazujące na odpowiednim zastosowaniu redundantnych stanów przekształtnika rozwiązują problem jedynie częściowo i rozpatrywane są najczęściej przy założeniu idealnej symetrii układu oraz niezmiennej i równej pojemności wszystkich kondensatorów obwodu DC. Obecnie można wyróżnić dwa sposoby eliminacji tego ograniczenia. Pierwszy sposób polega na użyciu modulacji b[...]

 Strona 1  Następna strona »