Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Tomasz Kotwica"

Analiza właściwości antystatycznych mieszanin tlenków Hf oraz Ti o małej zawartości tytanu DOI:10.15199/13.2018.7.6


  Antystatyczność jest jedną z istotnych właściwości materiałów. Określa zdolność do rozpraszania ładunku elektrycznego zgromadzonego na powierzchni materiału. Materiały określane mianem antystatycznych nie gromadzą nadmiarowego ładunku elektrycznego na swojej powierzchni, a więc takiego, który pochodzi z zewnętrznych źródeł jak np. elektryzowanie przez pocieranie czy też z wyładowania koronowego. Gromadzenie ładunku może powodować powstawanie wyładowania elektrostatycznego ESD (ang. Electrostatic Discharge). Wyładowanie to zazwyczaj skutkuje uszkodzeniem elementów elektronicznych ze względu na powstawanie przebić elektrycznych. Jeśli ESD powstanie w obszarze występowania pyłów lub gazów łatwopalnych może spowodować wybuch, a więc również stanowić zagrożenie dla zdrowia i życia człowieka. Na powierzchni materiałów antystatycznych zmniejszone jest osiadanie różnego rodzaju cząsteczek w postaci np. drobin kurzu czy też pyłów. Ma to istotne znaczenie między innymi w fotowoltaice, gdzie zakurzenie powierzchni ogniw znacząco wpływa na sprawność konwersji energii lub w sprzęcie elektronicznym ze względu na zmniejszenie jego walorów estetycznych [1-3]. Z tego powodu prowadzone są obecnie prace nad rozwojem nowych materiałów o właściwościach antystatycznych [4]. Badane są na przykład antystatyczne pokrycia kopuł samolotowych [5], nieulegające naelektryzowaniu tkaniny wielofunkcyjne [6], czy też nowoczesne farby do włosów [7]. Jednym z interesujących kierunków badań właściwości antystatycznych jest wykorzystanie elektretów, czyli materiałów gromadzących i przechowujących ładunek elektryczny [8-10]. Część eksperymentalna Badane warstwy naniesione zostały w procesie rozpylania magnetronowego na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO2). Procesy nanoszenia przeprowadzone zostały z wykorzystaniem wielotargetowego stanowiska, pozwalającego na jednoczesne rozpylanie kilku materiałów. Wykorzystano targety metaliczne Ti oraz Hf o wysokiej cz[...]

Analiza właściwości strukturalnych oraz powierzchni cienkiej warstwy mieszaniny tlenków (Ti-Cu) Ox z liniowym gradientem rozkładu pierwiastków DOI:10.15199/13.2018.7.7


  Ze względu na unikatowe właściwości nowe materiały o gradientowym rozkładzie pierwiastków są ciągle poszukiwane oraz badane w różnych ośrodkach naukowych [1, 2]. Jedną z metod wytwarzania tego typu warstw jest rozpylanie magnetronowe [np. 3, 4], w którym wykorzystuje się jednocześnie osadzanie różnych materiałów, tzw. współrozpylanie [np. 5]. Dzięki wykorzystaniu tej techniki można wytwarzać warstwy o dowolnie zadanym gradiencie [6]. Warstwy gradientowe mają szerokie spektrum zastosowań, poczynając od powłok optycznych do zastosowań w transparentnej elektronice [7], czujników gazów [8], aż po struktury memrystorowe [9]. Dzięki możliwości zadania gradientowego rozkładu pierwiastków w warstwie możliwe jest uzyskanie pożądanych parametrów optycznych, jak i elektrycznych oraz mechanicznych. Dodatkowo możliwe jest uzyskiwanie różnych typów powierzchni oraz struktury krystalicznej. Niniejsza praca poświęcona jest badaniom powierzchni oraz struktury cienkich warstw wytworzonych przy zastosowaniu rozpylania magnetronowego z zadanym gradientem rozkładu wybranych pierwiastków - tytanu oraz miedzi. Wyniki badań Cienkowarstwowe struktury mieszaniny tlenków tytanu oraz miedzi zostały wytworzone przy użyciu wielomagnetronowego stanowiska do rozpylania w Wydziałowym Zakładzie Technologii Próżniowych i Diagnostyki Nanomateriałów Politechniki Wrocławskiej. W celu uzyskania gradientowego rozkładu elementów w objętości struktury, zastosowano konfokalny układ 3 magnetronów: dwóch magnetronów z targetem Ti i jednego z targetem Cu [4, 6]. Magnetrony z targetem z tytanu były zasilane pełną mocą dostarczaną przez zasilacze, natomiast moc zasilania dostarczana do środkowego magnetronu z targetem z miedzi była zmienn[...]

Właściwości antystatyczne nanokrystalicznych cienkich warstw na bazie tlenków tytanu i kobaltu DOI:10.15199/13.2017.7.3


  Antystatyczność jest właściwością materiału, określająca zdolność do zapobiegania gromadzeniu się na jego powierzchni ładunku elektrycznego [1]. Gromadzenie ładunku na powierzchni materiałów może powodować wiele negatywnych zjawisk np. zmianę parametrów pracy ogniw fotowoltaicznych w wyniku pokrycia ich powierzchni warstwą kurzu i zanieczyszczeń, pogorszenie jakości widzenia w przypadku soczewek okularowych lub wyświetlaczy w wyniku przyciągania cząsteczek kurzu. Może to też prowadzić do pogorszenia parametrów lub uszkodzenia elementów elektronicznych wrażliwych na przebicia w wyniku powstania wyładowania elektrostatycznego [2-3]. Rozwój technologii powoduje zwiększenie liczby dziedzin życia codziennego i przemysłu, w których właściwości antystatyczne odgrywają ważną rolę. Powoduje to również wzrost liczby badań i publikacji dotyczących zjawiska elektrostatycznego oraz sposobów zapobiegania gromadzenia się ładunku i ochrony przed negatywnymi skutkami zgromadzonego ładunku. Prowadzone prace badawcze dotyczą stosowania materiałów różniących się zawartością elementów i sposobem budowy materiału [4] czy rodzajem zastosowanych pierwiastków [6]. Ze względu na wspomnianą możliwość występowania wyładowania elektrostatycznego ESD (ang. Electrostatic Discharge) powstaje wiele prac dotyczących praktycznego zastosowania materiałów antystatycznych np. jako nieelektryzujące pokrycia podłóg, antystatyczna odzież i narzędzia, pojemniki i opakowania na wrażliwe elektrostatycznie elementy elektroniczne a nawet specjalne filtry i systemy klimatyzacji [7-12]. Niniejsza praca dotyczy badania właściwości antystatycznych, mikrostruktury oraz rezystancji powierzchniowej cienkich warstw będących mieszaniną tlenków tytanu i kobaltu o podobnym składzie, ale różniących się rozkładem pierwiastków w strukturze. Elektronika 7/2017 15 Rys. 1. Profile zastosowanych zmian PWM w procesie rozpylania magnetronowego: a) liniowy, b) w kształcie litery V oraz c[...]

Memrystor - brakujący element elektroniczny DOI:10.15199/13.2016.7.3


  Określenie memrystor odnosi się do klasy dwukońcówkowych, pasywnych elementów elektronicznych, charakteryzujących się nieliniową zależnością prądowo-napięciową z pętlą histerezy oraz zdolnością do zapamiętywania swojego stanu (oporu elektrycznego) [1]. Właściwości memrystorów opisane zaostały w pracy Leona Chua w 1971 roku [2]. Jednakże prawdziwy rozgłos memrystor zyskał w 2008 roku za sprawą publikacji naukowców z laboratoriów firmy Hewlett Packard [3]. Odkrycie memrystora zweryfikowane zostało następnie krytycznie w 2015 roku. Niniejsza praca zawiera przegląd dotyczący podstawowych właściwości i potencjalnego zastosowania memrystorów. W artykule zamieszczono również przykłady właściwości cienkowarstwowych struktur na bazie tlenków metali przejściowych, dla których obserwowany jest efekt histerezy na charakterystykach prądowo-napięciowych. Słowa kluczowe: memrystor, pasywne elementy elektroniczne.Podstawowe właściwości me mrystorów Zrozumienie, czym jest memrystor wymaga odniesienia się do właściwości znanych trzech pasywnych elementów elektronicznych: kondensatora (Ewald Georg von Kleist 1745), rezystora (Georg Simon Ohm 1827) i induktora (Michael Faraday 1831) oraz zależności wiążących właściwości tych elementów z takimi podstawowymi wielkościami w elektronice, jak: napięcie (u), prąd (i), ładunek elektryczny (q) i strumień magnetyczny (j). Zależności te przedstawione zostały na rys. 1. Z grafu przedstawionego na rys. 1. wynika, że może istnieć również prosta zależność miedzy ładunkiem elektrycznym a strumieniem magnetycznym. Zależność ta zaproponowana została w 1971 roku przez Leona Chua [2] w postaci: dφ = Mdq, (1) gdzie: M - memrystancja. Memrystor jest elementem, którego stan może być kon[...]

 Strona 1