Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Marcin Góralczyk"

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu DOI:10.15199/13.2018.1.4


  Od ponad piętnastu lat mikrofalowe tranzystory HEMT (High Electron Mobility Transistor) wytwarzane z azotku galu (GaN) są oferowane przez większość producentów mikrofalowych przyrządów półprzewodnikowych. Powszechnie znane właściwości GaN oraz cechy heterostruktury AlGaN/GaN umożliwiają seryjną produkcję tranzystorów GaN HEMT, które w zakresie przetwarzania sygnałów wielkiej częstotliwości i dużej mocy górują nad innymi rodzajami tranzystorów. Okres prawie 20. lat jest na tyle długi, żeby można było dokonać pewnej oceny dojrzałości technologii azotkowej na podstawie przeglądu parametrów komercyjnie dostępnych tranzystorów i układów scalonych. Początkowo dynamika rozwoju technologii AlGaN/GaN HEMT, od opracowania do wdrożenia, była dość imponująca, zważywszy, że pierwszy laboratoryjnie wytworzony tranzystor GaN HEMT pojawił się w 1993 roku. Jednak w ostatnich latach można zaobserwować niewielki regres głownie w jakości oferowanych tranzystorów, mimo poszerzenia asortymentu o tranzystory wysokonapięciowe - napięcie drenu w punkcie pracy wynosi 40÷50 V. Jednym z objawów tej sytuacji jest niespełnianie przez tranzystory specyfikacji podawanej przez producenta. Od niedawna także pojawił się formalny wymóg otrzymania licencji eksportowej przy zakupie podzespołów GaN HEMT z USA lub, gdy firma spoza USA wykorzystuje amerykańskie "know-how" nawet w niewielkim stopniu. Jedną z przyczyn są aplikacje azotku galu na potrzeby militarne i kosmiczne. Docierające informacje wskazują na intensywne prace nad udoskonaleniem technologii GaN HEMT np. poprzez ograniczenie defektów i procesów pułapkowania elektronów. W tym kontekście należy podkreślić wpływ podłoża półizolacyjnego, na którym wzrasta warstwa epitaksjalna GaN. Obecnie w przypadku elementów mikrofalowych takim podłożem jest węglik krzemu (SiC), który zastępuje podłoże macierzyste, czyli monokrystaliczny [...]

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L DOI:10.15199/48.2015.09.01

Czytaj za darmo! »

W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz. Abstract. In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT. (L-band LNA Amplifier with GaN PolHEMT). Słowa kluczowe: wzmacniacz niskoszumny, mikrofale, GaN, HEMT, tranzystor, modelowanie, układy aktywne. Keywords: LNA, amplifier, microwaves, GaN, HEMT, transistor, modeling, active devices. Wprowadzenie Przedmiotem projektu PolHEMT jest opracowanie demonstratora technologii mikrofalowych tranzystorów mocy GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN firmy Ammono z przeznaczeniem dla systemów radiolokacyjnych. Pomimo, że celem projektu PolHEMT jest wykonanie tranzystora o mocy wyjściowej 12 W w pasmie S, zdecydowano się skonstruować wzmacniacz niskoszumny (LNA) przy użyciu struktury GaN HEMT wytworzonej w/w projekcie. Zastosowanie tranzystorów GaN HEMT do budowy stopni wejściowych odbiorników radiolokacyjnych ma głęboki sens, ponieważ prowadzi do istotnego zwiększenia odporności układ[...]

 Strona 1