Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Joanna SZELĄGOWSKA"

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT DOI:10.15199/48.2018.08.20

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu (SiC) to materiał półprzewodnikowy o szerokiej przerwie energetycznej przydatny do konstrukcji wysokonapięciowych i wysokotemperaturowych elementów półprzewodnikowych, który spełnia wciąż rosnące wymagania dotyczące materiałów półprzewodnikowych stosowanych do produkcji przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy. W porównaniu z krzemem, charakteryzuje się około 2,5-krotnie większą wartością szerokości przerwy energetycznej, dużo mniejszą wartością koncentracji nośników samoistnych w temperaturze pokojowej, ponad 2- krotnie większą wartością przewodności cieplnej oraz 10- krotnie większą wartością krytycznego natężenia pola elektrycznego [5, 7]. Zalety węglika krzemu powodują, że elementy SiC, w porównaniu z elementami krzemowymi, legitymują się również korzystniejszymi wartościami parametrów eksploatacyjnych, np. większą wytrzymałością napięciową, wyższą wartością maksymalnej temperatury wnętrza oraz krótszymi czasami przełączania [6, 7]. Od 2011 r. rynek oferuje innowacyjne przyrządy półprzewodnikowe mocy nazywane w literaturze SJT (ang. Silicon Carbide Junction Transistor) [1]. SJT to wykonane z węglika krzemu tranzystory NPN BJT, o bardzo dużej wartości współczynnika wzmocnienia prądowego, które wymagają niewielkiego prądu sterującego. Charakteryzują się one relatywnie dużymi wartościami dopuszczalnego napięcia wyjściowego i dużymi gęstościami prądu, nawet w wysokiej temperaturze otoczenia, a dodatkowo dobrymi właściwościami dynamicznymi charakteryzowanymi poprzez bardzo krótkie czasy przełączania. Obecnie, wiodącym producentem rozważanych przyrządów jest firma GeneSiC [1, 9, 10, 11]. W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk statycznych i dynamicznych oraz współczynnika wzmocnienia prądowego tranzystora 2N7635-GA, wyprodukowanego przez firmę GeneSiC. Oceniono wpływ temperatury otoczenia i prądu sterującego na wartość współczynnika wzmocnienia prądowego. Przedyskutowano także wpływ temperatury[...]

 Strona 1