Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Mirosław MAGNUSKI"

Weryfikacja pomiarowa podatności wzmacniaczy operacyjnych na zaburzenia radioelektryczne DOI:10.15199/48.2018.02.20

Czytaj za darmo! »

Wzmacniacze operacyjne są szeroko stosowane w konstrukcji wejściowych obwodów wzmacniających i filtrujących urządzeń mierzących mikrowoltowe sygnały elektryczne małych częstotliwości (np. w sprzęcie medycznym), gdzie pożądana jest mała i stabilna w czasie wartość offsetu napięcia stałego toru. Wrażliwość wzmacniaczy operacyjnych na zaburzenia elektromagnetyczne o częstotliwościach radiowych jest odnotowana w literaturze, gdzie znaleźć można zarówno wyniki prac teoretycznych jak i eksperymentalnych. [1]-[11]. Zburzenia radioelektryczne o stałej w czasie obwiedni powodują wzrost składowej stałej obserwowanej na wyjściu wzmacniacza, za który to efekt odpowiada głównie wzmacniacz różnicowy znajdujący się na jego wejściu. Obserwowany podczas pomiarów przyrost składowej stałej jest, w szerokim zakresie zmian wartości napięcia w.cz., proporcjonalny do kwadratu amplitudy sygnału zaburzenia, co jest zgodne z przewidywaniami teoretycznymi [5]-[8]. Parametrem charakteryzującym odporność wzmacniacza na zaburzenia radioelektryczne w.cz. jest tzw. EMIRR (EM Interferences Rejection Ratio) [2], [3], podawany przez niektórych producentów w notach katalogowych. Jest on liczbowo równy ilorazowi amplitudy sygnału w.cz. do wywołanej przez ten sygnał zmiany wejściowego napięcia niezrównoważenia wzmacniacza. Parametr EMIRR powinien być wyznaczony dla amplitudy napięcia zaburzenia równego 100 mV, oddzielnie dla każdego z wyprowadzeń wzmacniacza. Znajomość parametru EMIRR pozwala, zakładając kwadratową zależność pomiędzy zmianą offsetu wzmacniacza a poziomem sygnału w.cz., na wyznaczenie odpowiedzi wzmacniacza na zaburzenia o znanej amplitudzie. W literaturze można jednak znaleźć doniesienia sugerujące, że EMIRR nie jest wystarczający do opisu zachowania wielu rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych w obecności sygnałów w.cz. [4]. Fakt ten jest jednym z powodów podjęcia prac opisanych w niniejszym artykule. W opinii autorów główną słabością para[...]

Akustyczne badania polimeru typu RR-P3HT do wykrywania DMMP w powietrzu DOI:10.15199/48.2018.06.12

Czytaj za darmo! »

Wykorzystanie linii opóźniającej z akustyczną falą powierzchniową (AFP) jako metody umożliwiającej wykrywanie bardzo małych koncentracji związków chemicznych w mieszaninach gazowych, jest przykładem interdyscyplinarności współczesnej nauki i techniki. Istotą jest tutaj poszukiwanie nowych materiałów wrażliwych na obecność danej substancji np. w powietrzu, a także rozwój technologii cienkowarstwowych umożliwiający wytwarzanie warstw i struktur sensorowych na piezoelektrycznych modułach z AFP, których podstawowymi elementami są tzw. przetworniki międzypalczaste [1]. Zminiaturyzowanie tych przetworników przełożyło się na znaczne zwiększenie częstotliwości działania czujników z AFP. Obecnie częstotliwości pracy takich czujników znajdują się w przedziale od pojedynczych MHz aż do kilku GHz. Osiągnięto w ten sposób istotne zwiększenie tzw. czułości masowej w zakresie bezwzględnym, tzn. większe zmiany częstotliwości dla tej samej koncentracji substancji podlegającej detekcji i tych samych pozostałych parametrach (warstwa sensorowa, temperatura oddziaływania, parametry otoczenia, itd.) [2,3]. Miniaturyzacja czujnika wymaga jednakże budowy bardziej skomplikowanych czy zaawansowanych technicznie urządzeń elektronicznych, umożliwiających uzyskanie mierzalnych sygnałów pomiarowych. Obecnie moduły z AFP produkowane są przez wiele firm jako filtry wąskopasmowe np. do telefonii komórkowej i dostępne są w handlu, natomiast układ badawczy i pomiarowy dla detekcji gazowej należy zaprojektować i opracować samodzielnie [4,5]. W czujnikach gazowych z AFP mechanizm wykrywania koncentracji badanego gazu lub par związku chemicznego polega na oddziaływaniu jego cząsteczek z odpowiednio dobraną, wrażliwą na jego obecność sensorową warstwą aktywną. Procesy oddziaływania pomiędzy cząsteczkami gazu i warstwy to zjawiska kinetyczne głównie sorpcja (w objętości) i adsorpcja (na powierzchni), wynikające z pułapkowania cząsteczki w warstwie lub na jej [...]

Efekty nieliniowe w obwodach wejściowych aparatury elektromedycznej a odporność na zaburzenia promieniowane DOI:10.15199/48.2017.01.55

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono wyniki prac nad zagadnieniem odporności aparatury elektromedycznej na zaburzenia promieniowane. Omówiono zjawisko detekcji obwiedni sygnałów w.cz. przez wzmacniacze operacyjne oraz wyjaśniono pojęcie współczynnika EMIRR opisującego ilościowo to zjawisko. Zamieszczono wyniki pomiarów odporności na zaburzenia w.cz. wybranych typów wzmacniaczy operacyjnych i przykładowego urządzania elektromedycznego. Abstract. In this work the results of researches on immunity to radiated RF disturbances of a set of single operational amplifiers and medical devices circuitry equipped with mentioned amplifiers are presented. EMI rejection ratio (EMIRR) for operational amplifiers is introduced and explained. The results of measurement of immunity of selected operational amplifiers and exemplary medical device are presented and discussed. (Radiated immunity of medical devices versus nonlinear performance of analog input circuit). Słowa kluczowe: aparatura medyczna, kompatybilność elektromagnetyczna (EMC), wzmacniacze operacyjne. Keywords: medical equipment, electromagnetic compatibility (EMC), operational amplifiers. Wstęp Wymagania wysokiej niezawodności sprzętu elektromedycznego wiążą się z koniecznością wykazania podczas badań kompatybilności elektromagnetycznej (KEM) odpowiedniego poziomu odporności na zaburzenia promieniowane. Zgodnie z obowiązującym w krajach Unii Europejskiej prawem, wszystkie urządzenia medyczne wprowadzane do obrotu na jej obszarze muszą spełniać wymagania zasadnicze dyrektywy 93/42/EEC [1]. Według zharmonizowanej z dyrektywą normy PN-EN 60601-1- 2:2007 [2], dotyczącej KEM aparatury elektromedycznej, należy wykazać, że urządzenie jest zdolne do poprawnej pracy bez pogorszenia parametrów technicznych w polu o natężeniu 3V/m, a dla urządzeń podtrzymujących funkcje życiowe pacjenta - 10V/m. Badania przeprowadza się w zakresie częstotliwości od 150kHz do 2,5GHz, przy czym sygnałem narażenia jest przebieg s[...]

 Strona 1