Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Michał ZELLNER"

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET DOI:10.15199/48.2018.03.10

Czytaj za darmo! »

Ze względu na krótkie czasy przełączeń tranzystory MOSFET predysponowane są do zastosowań w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach energoelektronicznych. W falownikach rezonansowych pracujących w zakresie częstotliwości kilkunastu i kilkudziesięciu megaherców pojemności wyjściowe tranzystorów MOSFET nabierają szczególnie istotnego znaczenia. Ich wartości są bowiem niepomijalne dla zachodzących procesów rezonansowych a przepływające przez nie prądy są na poziomie prądów innych elementów obwodu głównego. Rezultatem dużej wartości prądu przepływającego przez pojemność wyjściową tranzystora MOSFET są straty mocy i jego dodatkowe nagrzewanie się. Problematyka dotycząca pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET, w szczególności strat mocy i rezystancji zastępczej związanych z jej przeładowywaniem jest przedmiotem niniejszej pracy. Projektowanie i optymalizacja właściwości falowników rezonansowych z uwzględnieniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystorów MOSFET przedstawiona została w kilku pracach, np. [1], [2], [3], [4], [5], [6], [7] i [8]. W części z tych opracowań ([1], [5], [6], [7] i [8]) rozważano straty mocy związane z przeładowywaniem tej pojemności, przy czym jedynie w pracy [1] zaproponowano metodę wyznaczenia tych strat, natomiast w pozostałych pracach problematyka ta została pominięta. Karty katalogowe tranzystorów MOSFET nie podają żadnych informacji umożliwiających oszacowanie strat mocy towarzyszących przeładowywaniu ich pojemności wyjściowej. W ramach niniejszej pracy przedstawiono nową i efektywniejszą metodę wyznaczania strat mocy i rezystancji zastępczej tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia - strat mocy i rezystancji związanych z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej. W porównaniu z metodą opisaną w pracy [1] zaproponowana metoda różni się umiejscowieniem w układzie pomiarowym tranzystora badanego, który pierwotnie przyłączony równolegle do tranzystora roboczego przeniesiony został d[...]

 Strona 1