Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Łukasz J. NIEWIARA"

DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller DOI:10.15199/48.2016.06.04

Czytaj za darmo! »

In this paper an investigation of voltage control system with P+ current controller for a DC-DC converter is presented. A DC-DC converter based on silicon carbide power devices were used. Synchronous buck topology is used for converter structure. Mathematical model of the converter is presented. The dependence between converter working conditions (i.e. input voltage, load current, switching frequency) and passive LC components is also given. A modified current control method based on P+ structure is considered. Proposed algorithm is compared with a traditional cascade structure based on PI type controllers. Output voltage and coil current dynamics were investigated. Experimental tests results were presented. Streszczenie: W artykule przedstawiono wyniki badań układu regulacji napięcia przetwornicy DC-DC z regulatorem prądu typu P+. Zastosowano przetwornicę DC-DC z łącznikami na bazie węglika krzemu. Przetwornica została wykonana w topologii obniżającej napięcie. Przedstawiony został model matematyczny przetwornicy. Opisano także zależność pomiędzy warunkami pracy przetwornicy (np. napięcie wejściowe, prąd obciążenia, częstotliwość kluczowania) a parametrami elementów pasywnych LC. Przedstawiono propozycję struktury zmodyfikowanego regulatora prądu typu P+. Rozważany algorytm porównano z tradycyjnym algorytmem PI. Przedstawione badanie eksperymentalne dotyczą dynamiki napięcia wyjściowego oraz prądu dławika. (Przetwornica DC-DC na bazie węglika krzemu z regulatorem prądu typu P+). Keywords: DC-DC converter, buck topology, SiC MOSFET transistors, cascade control, voltage and current control. Słowa kluczowe: przetwornica DC-DC, tranzystory SiC MOSFET, regulacja kaskadowa, regulacja napięcia i prądu. Introduction DC-DC converters are widely used in the process of electrical energy conversion. The use of switching DC-DC converters enables voltage and current conversion in an easy way. The growth of power electronics applications has increased[...]

Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT DOI:10.15199/48.2018.03.21

Czytaj za darmo! »

W ostatnich latach można zauważyć znaczny wzrost zainteresowania materiałami o tzw. szerokim paśmie wzbronionym (z ang. Wide Bandgap - WBG) pod kątem ich zastosowania w technologii półprzewodnikowych przyrządów mocy [1-3]. Tendencja ta wynika z właściwości przyrządów półprzewodnikowych wytworzonych na bazie węglika krzemu (SiC) oraz azotku galu (GaN). Analizując przebieg rozwoju energoelektroniki można zauważyć ważną tendencję obejmującą redukcję: gabarytów urządzeń, strat mocy przekształtników, a także minimalizacji niepożądanej interakcji na linii: źródło zasilania-przekształtnik i przekształtnik-odbiornik [4]. Redukcję gabarytów urządzeń można uzyskać poprzez: stosowanie mniejszych elementów pasywnych, układów chłodzenia, a także eliminację pasożytniczych parametrów obwodów takich jak np. pojemności oraz indukcyjności. Podejście takie wymusza konieczność odpowiedniego projektowania obwodów mocy oraz zastosowania zaawansowanych elementów elektronicznych. Chcąc uzyskać redukcję gabarytów układów chłodzenia konieczne jest zmniejszenie całkowitych strat mocy urządzenia, co wiąże się z ograniczeniem emisji ciepła pochodzącego z elementów obwodu mocy uczestniczących w procesie przetwarzania energii elektrycznej. Zastosowanie przyrządów półprzewodnikowych na bazie GaN pod tym względem wydaje się być jak najbardziej zasadne, zważywszy na ich bardzo dobre parametry dynamiczne oraz statyczne. Elementy te cechują się niewielkimi pojemnościami pasożytniczymi, bardzo krótkimi czasami przełączenia oraz dobrą przewodnością elektryczną - niewielka wartość rezystancji przewodzenia [1,2]. Kolejnym ich atutem jest bardzo mała energia załączania oraz wyłączania [5,6], co dodatkowo wpływa pozytywnie na redukcję generowanych strat mocy. Taki stan rzeczy pozwala na osiągnięcie wysokiej sprawności przekształtnika. Ze względu na bardzo krótkie czasy przełączeń oraz niewielką energię przełączenia możliwe jest uzyskanie bardzo wysokich częstot[...]

 Strona 1