Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Piotr POKRYSZKA"

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN DOI:10.15199/48.2018.09.07

Czytaj za darmo! »

Rezystancja powierzchniowa jest parametrem określającym rezystancję kwadratowego wycinka cienkiej warstw. Wytwarzanie warstw odbywa się metodami np. osadzania z fazy gazowej (PVD) lub osadzanie z par chemicznych związków metaloorganicznych (MOCVD). Rezystancja powierzchniowa jest oznaczana symbolem RS jak również R□ (rezystancja na kwadrat). Przedstawiony parametr jest niezależna od skali badanej próbki, dlatego często jest wykorzystywany do porównania parametrów elektrycznych przyrządów wykonanych w różnej skali np tranzystorów HEMT. Rezystancję powierzchniowa wykorzystuję się również w celu określenia jednorodności warstw rezystywnych i przewodzących, obszarów dyfuzyjnych i implantowanych, cienkich warstw homo- i hetero- epitaksjalnych osadzanych na izolacyjnych podłożach i obszarów z dwuwymiarowym gazem elektronowym (2DEG). Tranzystory AlGaN/GaN często są wykorzystywane w energetyce i telekomunikacji [1, 2]. Aby uzyskać dobre parametry elektryczne przyrządu ważny jest precyzyjny pomiar rezystancji powierzchniowej na podłożu AlGaN/GaN z dwuwymiarowym gazem elektronowym [3]. W niniejszej pracy przedstawiono pomiary spektralne badanej heterostruktury,które porównano z pomiarami fotoluminescencji. W dotychczasowych pracach badano wpływ światła [4, 5, 6] na heterostrukturę AlGaN/GaN, ale nie przeprowadz[...]

 Strona 1