Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Jolanta DZIK"

Zastosowanie metody MOM do wytwarzania ceramiki Bi4Ti3O12

Czytaj za darmo! »

Materiały o strukturze Aurivilliusa są niezwykle atrakcyjne z punktu widzenia ich właściwości oraz możliwości szerokiego zastosowania praktycznego. Właściwości tych materiałów są związane z odpowiednim doborem składu chemicznego oraz m.in. nieznacznymi deformacjami struktury krystalicznej, takimi jak np. przemieszczenia jonów pod wpływem temperatury lub pola elektrycznego, skręt oktaedrycznych łańcuchów tlenowych lub jednoczesne przemieszczenie jonów i skręt oktaedrów tlenowych. Materiały te mają punkt Curie w zakresie TC = 300÷950°C i temperaturę topnienia Tt > 1100°C. Wzór ogólny związków o strukturze Aurivilliusa ma postać: Am - 1Bi2MmO3m + 3, gdzie m oznacza liczbę warstw. Związki takie zbudowane są z przeplatających się wzajemnie w uporządkowany sposób warstw {(Bi2O2)2+} i warstw o strukturze perowskitu (Am - 1BmO3m + 1)2- [1, 2]. Tytanian bizmutu (BiT) jest materiałem ferroelektrycznym o warstwowej strukturze perowskitu (tzw. strukturze Aurivilliusa). Charakteryzuje się on wzorem Bi4Ti3O12 (m = 3) lub w ujęciu warstwowym {(Bi2Ti3O10)2-} {(Bi2O2)2+}. Na rysunku 1 przedstawiono schemat struktury krystalicznej Bi4Ti3O12 [3]. Kryształy BiT odznaczają się silną anizotropią struktury krystalicznej, a tym samym silną anizotropią właściwości fizycznych. Na przykład charakteryzują się polem koercji EC = 3,5 kV/cm (wzdłuż osi c) i EC = 50 kV/cm (wzdłuż osi a) oraz polaryzacją spontaniczną PS = 4 μC/cm2 (wzdłuż osi c) i PS = 50 μC/cm2 (wzdłuż osi a). Mała wartość pola koercji ceramiki BiT wzdłuż osi c sprzyja jej zastosowaniu zwłaszcza do budowy nieulotnych pamięci ferroelektrycznych (non-volatile RAM) ze względu na niskie wymagane wartości natężenia pola przełączającego polaryzację. Oprócz korzystnych właściwości elektrycznych BiT wyróżnia się ponadto perspektywicznymi właściwościami elektrooptycznymi [4]. Ceramika Bi4Ti3O12 znalazła szerokie zastosowanie m.in. do budowy wysokotemperaturowych przetworników piezoelektryc[...]

 Strona 1