Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"Paweł GÓRECKI"

Metody modelowania sygnałów zmodulowanych w programie SPICE DOI:10.15199/13.2016.1.7


  Od wielu lat w łączności morskiej istotną rolę odgrywają różne rodzaje transmisji radiowej. W związku z kluczową rola tej łączności dla całego przemysłu morskiego, na jej temat odbyło się wiele konferencji i opublikowano wiele artykułów [1, 2]. Jednakże nie są autorowi znane żadne publikacje opisujące komputerowe modele dla programu SPICE nadajników stosowanych w służbie morskiej. Program SPICE w swoim bogatym zbiorze elementów wbudowanych ma tylko jedno źródło dedykowane do opisu sygnałów zmodulowanych - SFFM [3, 4]. Istotnym ograniczeniem jest możliwość zrealizowania przez użytkownika tylko modulacji częstotliwości. Inne rodzaje modulacji mogą być modelowane układowo, to znaczy, że niezbędne jest sformułowanie modelu układu, na którego wyjściu uzyskany będzie pożądany sygnał. Celem artykułu jest przedstawienie możliwości zastosowania programu SPICE do modelowania różnych rodzajów modulacji na przykładzie modelu dwuwstęgowej modulacji amplitudowej z górną wstęgą boczną, kluczowanej sygnałem niskoczęstotliwościowym, wykorzystywanej w emisji H2A. Emisja ta jest wykorzystywana np. w nadajnikach awaryjnych średniofalowych, które są przeznaczone do modulowania, a następnie emitowania sygnału fonicznego. W kolejnych rozdziałach przedstawiono źródła sygnałów zmodulowanych, a także sposoby ich wytwarzania przy wykorzystaniu źródeł sygnałów niezmodulowanych, a także przykładowy model źródła sygnału zmodulowanego. Źródła sygnału zmodulowanego wbudowane w programie SPICE Jak wspomniano we wprowadzeniu, w programie SPICE odnaleźć można tylko[...]

Wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT DOI:10.15199/48.2018.09.11

Czytaj za darmo! »

Półprzewodnikowe przyrządy mocy są powszechnie stosowane w impulsowych układach zasilających oraz analogowych układach elektronicznych o działaniu ciągłym [1, 2, 3]. W zakresie wysokich napięć i prądów, powszechnie stosowane są tranzystory IGBT [2]. W literaturze można znaleźć informacje o wielu typach tranzystorów IGBT takich jak np. punch-through (PT), non-punch-through (NPT), fieldstop IGBT. Opis tych technologii można znaleźć m. in. w pracy [4]. Na rynku są też dostępne typy tranzystorów, które są oznaczane wyłącznie numerem generacji np. IGBT4 [5]. Z inżynierskiego punktu widzenia, oprócz parametrów granicznych opisujących dopuszczalne wartości prądu kolektora oraz napięcia kolektor-emiter, istotne znaczenie mają parametry dynamiczne. Najistotniejszymi spośród nich są czasy włączania i wyłączania tranzystora. To one decydują o wartościach energii strat włączania i wyłączania, które w typowych warunkach pracy tranzystora mają istotny wpływ na wartość całkowitych strat energii w jednym okresie pracy tego tranzystora stosowanego w układach impulsowych. Energia tracona w tranzystorze wydziela się na nim w postaci ciepła, a jej nadmiar może skutkować uszkodzeniem elementu w wyniku przekroczenia dopuszczalnej temperatury wnętrza [6, 7, 8]. Jak powszechnie wiadomo, parametry i charakterystyki przyrządów półprzewodnikowych silnie zależą od temperatury. Na skutek zjawisk termicznych, między innymi zjawiska samonagrzewania, temperatura wnętrza przyrządu półprzewodnikowego Tj przekracza, czasem znacząco, wartość temperatury otoczenia Ta. Parametrem opisującym związek między temperaturą wnętrza elementu półprzewodnikowego a wydzielaną w nim mocą jest rezystancja termiczna [9]. Celem pracy jest zbadanie wpływu temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na parametry dynamiczne wybranego tranzystora IGBT. Zaprezentowano zmierzone przebiegi czasowe napięcia kolektor-emiter, prądu kolektora oraz mocy wydzielanej w tranzysto[...]

Porównanie właściwości eksploatacyjnych wybranych typów lamp LED

Czytaj za darmo! »

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych wybranych typów lamp LED ilustrujące wpływ napięcia zasilania na ich właściwości użytkowe. Zbadano wpływ napięcia zasilania na luminancję oświetlanej powierzchni, na temperaturę badanej żarówki w stanie ustalonym oraz na współczynnik zawartości harmonicznych prądu zasilającego. Uzyskane wyniki porównano z wynikami analogicznych pomiarów przeprowadzonych dla klasycznej żarówki. Abstract. In the paper the results of measurements of selected types LED lamps illustrating the influence of the supply voltage on their application proprieties were presented. The influence of the supply voltage on the luminance of lighted up area, the temperature of the investigated lamp at the steady-state and on the coefficient of total harmonic distortion of the supply current was investigated. The obtained results were compared with results of analogous measurements performer for the classical bulb. (Comparison of exploitive properties of selected types of LED lamps) Słowa kluczowe: lampy LED, parametry eksploatacyjne, półprzewodnikowe źródła światła Keywords: lamp LED, exploitation parameters, solid state light sources Wprowadzenie Obecnie na rynku dostępnych jest wiele rodzajów elektrycznych źródeł światła takich jak: żarówki, świetlówki kompaktowe, lampy sodowe, żarówki halogenowe czy lampy LED. Wartości parametrów eksploatacyjnych wymienionych źródeł światła istotnie różnią się między sobą, podobnie jak ich ceny [1, 2]. Najpopularniejsze i najtańsze są obecnie żarówki. Jednak zgodnie z uregulowaniami prawnymi obowiązującymi w Unii Europejskiej i w Australii klasyczne żarówki powinny zniknąć z rynku do roku 2016 [3]. Podobne uregulowania prawne obowiązują w Chinach i w USA [3]. Podstawową wadą żarówek jest niska wartość skuteczności świetlnej, powodująca, że zaledwie kilka procent energii elektrycznej pobieranej przez żarówkę jest zamieniane na ciepło, a dodatkowo czas pracy tych źródeł światła typo[...]

Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką DOI:10.15199/48.2017.07.19

Czytaj za darmo! »

Półprzewodnikowe przyrządy mocy są powszechnie używane w impulsowych układach przetwarzania energii elektrycznej oraz w analogowych układach elektronicznych pracujących w trybie ciągłym [1, 2]. W zakresie wysokich napięć i prądów stosowane są często tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT - ang. Insulated Gate Bipolar Transistor) [1]. Elementy te zawierają wejściową strukturę MOS oraz wyjściowy tranzystor bipolarny. Na etapie projektowania układów elektronicznych stosuje się symulację komputerową w celu zweryfikowania poprawności projektu. Wiarygodność uzyskanych wyników obliczeń zależy od dokładności zastosowanych modeli [3, 4, 5, 6]. Najwyższą dokładnością charakteryzują się modele mikroskopowe uwzględniające czasowe i przestrzenne rozkłady wielkości charakteryzujących właściwości tych elementów, ale wysoki stopień złożoności czyni praktycznie niemożliwym zastosowanie tych modeli do analizy układów zawierającą dużą liczbę przyrządów półprzewodnikowych [3, 7]. W związku z tym, w analizach układów elektronicznych, typowo stosowane są modele skupione przyrządów półprzewodnikowych opisujące zależności pomiędzy zaciskowymi napięciami i prądami przyrządu [3, 5, 6, 8]. Jak powszechnie wiadomo, charakterystyki i parametry elementów półprzewodnikowych silnie zależą także od temperatury [3, 4]. Jednym z powszechnie stosowanych programów do analizy układów elektronicznych jest program SPICE. W bibliotekach tego programu można znaleźć liczne modele, różnych elementów elektronicznych, m. in. IGBT. W celu zastosowania takiego modelu dla konkretnego elementu elektronicznego, należy uprzednio przeprowadzić estymację wartości jego parametrów, np. w programie Model Editor, który jest częścią pakietu SPICE. Oprócz modeli zawartych w bibliotekach programu SPICE również na stronach internetowych producentów elementów półprzewodnikowych można odnaleźć inne formy modeli rozważanych elementów. Niestety, modele te typowo mają stosunkow[...]

Modelowanie właściwości elektrolizera w programie SPICE DOI:10.15199/13.2017.10.4


  Obecnie, coraz większą uwagę poświęca się ochronie środowiska i rozwojowi technologii wytwarzania energii elektrycznej i cieplnej przy niskiej emisji CO2 [1, 2]. Wodór należy do coraz powszechniej wykorzystywanych ekologicznych źródeł energii, a jego wielką zaletą jest to, iż produktem jego spalania jest para wodna [3] i energia elektryczna lub cieplna [4]. Obecnie głównym problemem technologii wodorowych jest efektywne wytwarzanie i magazynowanie tego gazu [2, 7]. W literaturze [5-8] opisywane są 3 podstawowe metody wytwarzania wodoru: przetwarzanie gazu ziemnego [5], przetwarzanie biomasy [8] i elektroliza wody [1, 2, 6, 7, 8]. Elektroliza zasługuje na specjalną uwagę, ponieważ umożliwia produkcję wodoru w miejscu, gdzie ma on być wykorzystany, a jednocześnie w tym procesie nie powstają niebezpieczne odpady [1]. Według danych opublikowanych przez Amerykański Departament Energii [8] w latach 2011-2020 jest oczekiwane obniżenie kosztów elektrolizy o 50% i uzyskanie ceny 2 dolarów za kilogram wodoru. Uzyskanie zakładanych wskaźników wymaga optymalizacji systemów wytwarzania wodoru, w tym optymalizacji systemów ich zasilania. W klasycznej wersji, elektrolizę wykonuje się dla roztworu wodnego KOH [6, 7] przy zasilaniu ze źródła prądu stałego. Jednak z literatury [4, 7, 9] wynika, że z punktu widzenia źródła zasilania elektrolizer może być traktowany jako nieliniowy obwód RC lub RLC. Dlatego musi istnieć co najmniej jedna wartość częstotliwości, przy której moduł impedancji elektrolizera osiąga minimum, a prąd zasilania - maksimum. A jak wynika z prawa Faradaya, masa produkowanego wodoru jest proporcjonalna do tego prądu. Efektywne projektowanie układów elektronicznych wymaga zastosowania narzędzi komputerowych do modelowania i analizy takich układów. W literaturze opisywane są różne modele elektrolizerów. Przykładowo, w pracy [2] przedstawiono opis procesu elektrolizy oraz stałoprądowy model elektrolizera umożliwiający wyznac[...]

 Strona 1