Wyniki 1-10 spośród 27 dla zapytania: authorDesc:"Włodzimierz JANKE"

Wybrane problemy analizy i sterowania impulsowych przetwornic napięcia stałego

Czytaj za darmo! »

Przetwornice napięcia stałego są typowymi układami energoelektronicznymi. Zagadnienia energoelektroniki lokują się na granicy elektroniki i elektrotechniki. W układach energoelektronicznych, odwrotnie niż w typowych układach elektronicznych głównym celem jest przetworzenie energii, a informacje niesione przez sygnały sterujące spełniają funkcje pomocnicze. Intensywny rozwój elektroniki i el[...]

Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu jest materiałem półprzewodnikowym, który stwarza szanse na poprawę parametrów elementów energoelektronicznych. Pierwsze produkowane seryjnie elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu, czyli diody z barierą Schottky’ego pojawiły się na rynku w r. 2001. W licznych opracowaniach naukowo-technicznych i notach aplikacyjnych przedstawione są zalety elementów z SiC na tle właściwości tradycyjnych elementów krzemowych. Celem analiz przedstawionych w tej pracy jest pokazanie, że część optymistycznych opinii na temat zalet elementów z węglika krzemu jest przesadzona. Jednocześnie elementy te są kilkakrotnie droższe od elementów krzemowych o zbliżonych parametrach. Abstract. Silicon carbide is recognized as a very promising semiconductor material, especially for applications in power electronics. The first SiC device - Schottky Barrier Diode is commercially available since 2001. There are many papers, conference presentations and application notes discussing the advantages of SiC power devices over the traditional silicon devices. According to the analysis presented in this paper, some opinions concerning the advantages of SiC devices are exaggerated. On the other hand the SiC devices are very expensive as compared to silicon ones, therefore the proper choice of semiconductor device for given power electronic circuits is an involved task. (The advantages and limitations of silicon carbide power devices) Słowa kluczowe: Węglik krzemu, Energoelektronika, Ograniczenia termiczne. Keywords: Silicon carbide, Power electronics, Thermal limitations. Wstęp Parametry węglika krzemu jako materiału półprzewodnikowego stwarzają szansę na wytwarzanie elementów o bardzo korzystnych właściwościach, zwłaszcza dla zastosowań w energoelektronice. Jest to jednak materiał trudny w obróbce technologicznej. Hodowla monokryształów SiC przydatnych do wytwarzania elementów półprzewodnikowych została opracowana na przełomie lat 80-tych i 90-tych XX wi[...]

Techniki opisu impulsowych przetwornic napięcia stałego

Czytaj za darmo! »

Impulsowe przetwornice napięcia stałego są obszerną grupą układów energoelektronicznych. Jednym z podstawowych zagadnień w analizie i projektowaniu tych układów jest tworzenie opisów (modeli) bloków głównych, przydatnych do projektowania bloków sterujących. Techniki opisu omawiane w pracy odnoszą się bezpośrednio do bloków głównych impulsowych przetwornic napięcia stałego z modulacją szerokości impulsów (PWM), ze stałą częstotliwością kluczowania, ale mogą być też użyte w opisie innych układów energoelektronicznych. Typowe techniki opisu przetwornic opierają się na uśrednieniu przebiegów prądów i napięć na okres kluczowania. Istnieją dwie odmiany takich opisów oparte na uśrednieniu równań stanu oraz oparte na tworzeniu uśrednionego modelu zestawu idealnych przełączników. Są one uważane za równoważne, ale nie zawsze prowadzą do takich samych wyników. W pracy omówiono te techniki uśredniania, wskazując między innymi na pewne nieformalności, które mogą prowadzić do błędów. Zasygnalizowano inne możliwości tworzenia opisów przetwornic napięcia przydatnych w projektowaniu. Abstract. DC-DC power converters are a broad class of power electronic circuits. Typical converter consists of a power stage and a control subcircuit. In the designing process of control subcircuit, the proper model of power stage should be used. The models of PWM DC-DC converters working with constant switching frequency, are discussed in the paper. Such models are formulated for currents and voltages averaged for switching period. There are two approaches to averaged model derivation: the state-space averaging and the application of averaged model of a switch pair. In the discussion of the above methods, some informalities in the creation of switch pair model, which may be a source of errors, are pointed out. Other possible approaches to the modeling of DC-DC converters are briefly outlined. (The description methods of DC-DC power converters). Słowa kluczowe: przetwornice napię[...]

DWUNASTA KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI

Czytaj za darmo! »

Dwunasta Krajowa Konferencja Elektroniki odbyła się w dniach 10.06 - 13.06.2013 - w Darłówku Wschodnim. Referaty prezentowane w formie ustnej lub plakatowej były podzielone na tradycyjne grupy tematyczne: Materiały i technologie elektroniczne, Elementy elektroniczne, Układy analogowe, Układy cyfrowe, Energoelektronika, Optoelektronika, Szumy, zakłócenia, ograniczenia cieplne i niezawodność, Zastosowania układów elektronicznych, Systemy elektroniczne w mec[...]

W dniach 9-13.06.2014 roku w hotelu JAN w Darłówku Wschodnim odbyła się TRZYNASTA KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI

Czytaj za darmo! »

Referaty prezentowane w formie ustnej lub plakatowej były podzielone na tradycyjne grupy tematyczne: Materiały i technologie elektroniczne, Elementy elektroniczne, Układy analogowe, Układy cyfrowe, Energoelektronika, Optoelektronika, Szumy, zakłócenia, ograniczenia cieplne i niezawodność, Zastosowania układów elektronicznych, Systemy elektroniczne w mechatronice, zorganizowano także sześć Sesji Specjalnych: 1. Przezroczyste półprzewodniki tlenkowe (nowa klasa materiałów półprzewodnikowych dla przezroczystej elektroniki, optoelektroniki, fotowoltaiki i technik sensorowych). Organizatorzy: Prof. dr hab. Marek Godlewski - Instytut Fizyki PAN - Warszawa Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska - ITE - Warszawa 2. Zobrazowanie i pomiary w podczerwieni - krajowe potrzeby i możliwości[...]

14 Krajowa Konferencja Elektroniki DOI:

Czytaj za darmo! »

W dniach 8.06-12.06.2015 roku w hotelu JAN w Darłówku Wschodnim odbyła się CZTERNASTA KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI. Referaty prezentowane w formie ustnej lub plakatowej były podzielone na tradycyjne grupy tematyczne: Materiały i technologie elektroniczne, Elementy elektroniczne, Układy analogowe, Układy cyfrowe, Energoelektronika, Optoelektronika, Szumy, zakłócenia, ograniczenia cieplne i niezawodność, Zastosowania układów elektronicznych, Systemy elektroniczne w mechatronice. Oprócz tego zorganizowano siedem Sesji Specjalnych wyszczególnione poniżej. 1. Rozwój ogniw fotowoltaicznych i paliwowych w Polsce Organizatorzy: Dr hab. Agnieszka Iwan - prof. IEL Dr inż. Grzegorz Paściak -dyrektor IEL Wrocław Instytut Elektrotechniki, Odd[...]

CZTERNASTA KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI KKE'15 DOI:

Czytaj za darmo! »

W dniach 8.06-12.06.2015 roku w hotelu JAN w Darłówku Wschodnim odbyła się CZTERNASTA KRAJOWA KONFERENCJA ELEKTRONIKI. Referaty prezentowane w formie ustnej lub plakatowej były podzielone na tradycyjne grupy tematyczne: Materiały i technologie elektroniczne, Elementy elektroniczne, Układy analogowe, Układy cyfrowe, Energoelektronika, Optoelektronika, Szumy, zakłócenia, ograniczenia cieplne i niezawodność, Zastosowania układów elektronicznych, Systemy elektroniczne w mechatronice. Oprócz tego zorganizowano siedem Sesji Specjalnych wyszczególnione poniżej. 1. Rozwój ogniw fotowoltaicznych i paliwowych w Polsce Organizatorzy: Dr hab. Agnieszka Iwan - prof. IEL Dr inż. Grzegorz Paściak -dyrektor IEL Wrocław Instytut Elektrotechniki, Oddział [...]

Czynniki ograniczające dokładność wyznaczania transmitancji impulsowych przekształtników napięcia DOI:10.15199/48.2018.08.08

Czytaj za darmo! »

Impulsowe przekształtniki napięcia stałego są bardzo szeroko stosowane i systematycznie udoskonalane. Poprawę właściwości przekształtników osiąga się dzięki postępom w technologii wytwarzania elementów i w metodach projektowania. Głównym zadaniem impulsowego przekształtnika napięcia jest utrzymywanie stałej wartości napięcia na obciążeniu pomimo występowania czynników zakłócających, którymi mogą być składowe zmienne napięcia wejściowego oraz prądu obciążenia. Typowy, impulsowy przekształtnik napięcia stałego składa się z bloku głównego i bloku sterującego. W opisie bloku głównego przekształtnika stosuje się często transmitancje małosygnałowe. Posługiwanie się transmitancjami małosygnałowymi jest wygodne na etapie projektowania przekształtnika. W wielu pozycjach literaturowych (np. [1] - [4]) dyskutuje się sposoby projektowania bloku sterującego przekształtnika oparte na wykorzystaniu znajomości jego transmitancji małosygnałowych. Jakość zaprojektowanego przekształtnika zależy miedzy innymi od tego, z jaką dokładnością są znane jego transmitancje. Dokładność ta jest ograniczona z powodu czynników omawianych w niniejszej pracy. Przedstawione rozważania odnoszą się do przekształtników pracujących z wykorzystaniem modulacji szerokości impulsów (PWM). Określenia, wyznaczanie i zastosowanie transmitancji małosygnałowych Najczęściej stosowane małosygnałowe transmitancje przekształtników określa się w literaturze anglojęzycznej jako "input-to-output" lub "audio susceptibility" Hg oraz "control-to-output" Hd [1], [3], [4]. Inną, często stosowaną transmitancją jest impedancja wyjściowa Zo. Rzadziej używaną jest admitancja (lub impedancja) wejściowa bloku głównego przekształtnika. Definicje wymienionych transmitancji, można, w oparciu o rysunek 1, wyrazić wzorami: (1)   g 0 o g V H s V    (2)   V 0 o d g H s V    (3) 0; [...]

Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych

Czytaj za darmo! »

Diody Schottky’ego z węglika krzemu (SiC) stanowią obiecującą grupę elementów - ze względu na swoją szybkość działania, połączoną z dużymi wartościami napięć przebicia oraz potencjalnymi możliwościami pracy w szerokim zakresie temperatur. Ze względu na ostatnią z wymienionych cech, pożądane jest prawidłowe uwzględnienie efektów termicznych w symulacjach układów z tymi diodami. O jakości wyników symulacji w dużej mierze decyduje dobór parametrów w modelach elementów, co zostanie pokazane w niniejszej pracy. Proponuje się również model dla symulatorów obwodowych, umożliwiający uwzględnienie wpływu samonagrzewania na charakterystyki statyczne. W pracy omówiono standardowy opis diod Schottky’ego w programie PSPICE, podano przykładowe parametry modeli oraz charakteryst[...]

Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes


  Silicon carbide electronic devices seem to be able to operate in very high temperature, and high power density regions, therefore the thermal limitations of those devices should be carefully analyzed. According to some mentions in the literature [1-3] the junction temperature limit for SiC devices may be surprisingly low - only 110°C for some set of parameters assumed. The main object of the investigations presented in this paper, is a SiC Schottky Barrier Diode (SBD), the most mature and widely applied SiC device. In studying the thermal limitations, the self-heating effect, resulting in the junction temperature rise over the ambient temperature, should be taken into account. In the high current region of operation (where the self-heating is important), the parasitic series resistance RS of a diode strongly influences the shape of its I-V characteristics and the value of dissipated power. The values of diode series resistance depend on the particulars of a manufacturing process. The purpose of this paper is to investigate the influence of series resistance value on the thermal limitations involved with the self-heating occurring in a diode. The calculations and theoretical analysis are supported by results of measurements. Parasitic series resistance of SiC SBD The voltage drop VD across a diode conducting forward current I consists of two terms: ideal M-S junction voltage VJ, and the voltage drop across a regions beyond junction including semiconductor layer, contacts between the different metal layers, internal and external wire connections etc. It is usually described as: (1) where RS is an equivalent series resistance of a diode. The resistance of the semiconductor layer is usually the main term of RS. For increasing current, the second term in Eqn (1) increases faster than the first term so, for sufficiently high currents, the dependence of VD on I is nearly linear. It should be pointed out, that in contrary to p-n [...]

 Strona 1  Następna strona »