Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Andrzej WOJEWÓDKA"

Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy

Czytaj za darmo! »

Przedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT. Abstract. A novel on-drive method of monitoring the ageing effects in IGBT packs is presented. The presented solution is for monitoring of the two important ageing effects encountered in IGBT packs: structure delamination as a result of thermomechanical solder fatigue and wire-bond lift-off. Th[...]

 Strona 1