Wyniki 1-9 spośród 9 dla zapytania: authorDesc:"Aleksy PATRYN"

Pomiary SPV krzemu stosowanego w fotowoltaice z wykorzystaniem wielokanałowego źródła optycznego


  Procesy projektowania ogniw s.onecznych wymagaj. znajomo.ci wielu parametrow charakteryzuj.cych materia.y u.yte do ich budowy. Jednym z takich parametrow jest droga dyfuzji no.nikow mniejszo.ciowych Ld. Parametr ten jest jednym z najwa.niejszych parametrow wykorzystywanych przy wyznaczaniu efektywno.ci przetwarzania energii przez ogniwa fotowoltaiczne. Metoda SPV (ang. Surface photovoltage) jest jedn. z bardziej efektywnych metod testowania parametrow materia.ow i struktur po.przewodnikowych. Nale.y do tzw. funkcjonalnych metod diagnostycznych, poniewa. wykorzystuje si. w niej to same zjawisko jak w wielu optoelektronicznych urz.dzeniach (np. fotodiody, ogniwa s.oneczne, itp.). W zwi.zku z tym za pomoc. tej metody mo.na zmierzy. parametry struktur i materia.ow, ktore s. krytyczne dla dzia.ania urz.dze. do budowy ktorych u.yto tych materia.ow i struktur. Dotyczy to w szczegolno.ci ogniw s.onecznych. Metoda SPV jest znana i wykorzystywana ju. od d.u.szego czasu [1], jej najwi.kszy rozwoj by. stymulowany przez Lile?fa i Davisa [2] oraz Goodmana [3] co doprowadzi.o do powstania szybkich metod diagnostyki jednorodno.ci rekombinacyjnej materia.ow po.przewodnikowych i pomiarow kluczowego parametru jakim jest droga dyfuzji Ld dzi.ki pomiarowi i w.a.ciwej analizie widm sygna.u SPV przy uwzgl.dnieniu niezale.nie otrzymanej, czy przez pomiar czy w wyniku oblicze., charakterystyki widmowej wspo.czynnika absorpcji optycznej badanego materia.u [4-6]. Tego typu prace przyczyni.y si. do powstania odpowiednich standardow wyznaczania drogi dyfuzji . ASTM [7]. Metody wyznaczania Ld drog. detekcji sygna.u SPV polegaj. na wzbudzaniu badanych obiektow .wiat.em monochromatycznym o ro.nej d.ugo.ci fali. Analiza charakterystyk widmowych sygna.u SPV przy znanej jednocze.nie charakterystyce widmowej wspo.czynnika absorpcji optycznej daje informacj. o drodze dyfuzji no.nikow. Przy implementacji metod SPV wyst.puj. ro.ne problemy w.a.ciwe ro.nym rodzajo[...]

Technika elipsometrii spektroskopowej jako metoda monitorowania jakości powierzchni materiałów grupy SrxBa1-xNb2O6 DOI:10.12915/pe.2014.09.07

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono możliwość zastosowania techniki elipsometrii spektroskopowej do szybkiego i nieinwazyjnego monitorowania jakości powierzchni fotorefrakcyjnych kryształów SrxBa1-xNb2O6. Przedstawiono model optyczny materiału z chropowatą warstwą powierzchniową, który umożliwia precyzyjne wyznaczenie wielkości nierówności powierzchni w procesie dopasowania symulowanych krzywych teoretycznych oraz eksperymentalnych funkcji optycznych. Otrzymane wielkości stopnia chropowatości przy pomocy techniki elipsometrii zbliżone są do odpowiednich uzyskanych techniką mikroskopii sił atomowych. Abstract. The article presents the capabilities of spectroscopic ellipsometry as a fast and nondestructive tool for monitoring of surface quality of photorefractive SrxBa1-xNb2O6 crystals. Optical model with surface roughness layer is shown which allows to determine precisly the values of surface roughness in the fitting procedure of modeled and experimental optical functions. The obtained surface roughness quantities by spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy are in good agreement. (Spectroscopic ellipsometry as a technique for surface quality monitoring of SrxBa1-xNb2O6 materials). Słowa kluczowe: elipsometria, elipsometria spektroskopowa, chropowatość powierzchni, SBN. Keywords: ellipsometry, spectroscopic ellipsometry, surface roughness, SBN. doi:10.12915/pe.2014.09.07 Wprowadzenie Obecny, dynamiczny postęp w dziedzinie materiałów elektronicznych wymusza stosowanie nowych i nieustanne ulepszanie istniejących metod i narzędzi wytwarzania oraz charakteryzacji tychże materiałów. Wśród całej palety dostępnych technik, ze względu na swą względną prostotę, możliwość z reguły szybkiej, precyzyjnej i nieinwazyjnej charakteryzacji szeregu własności fizyko-chemicznych materiałów, optyczne metody spektroskopowe pełnią szczególną rolę. Elipsometria spektroskopowa (ES, ang. spectroscopic ellipsometry), jest współcześnie jednym z najpotężniejs[...]

Determination of Cu(In,Ga)(S,Se)2-solar cell parameters from quantum efficiency spectra DOI:10.15199/48.2015.09.49

Czytaj za darmo! »

A method for calculation of the Cu(In,Ga)(S,Se)2-layer parameters (space-charge region width, diffusion length, built-in potential and concentration of non-compensated acceptors) in solar cell is proposed. The method is based on analysis of the quantum efficiency spectra within the framework of a solar-cell unidimensional model. Streszczenie. Zaproponowano metodę wyznaczania parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych (szerokość obszaru ładunku przestrzennego, długość drogi dyfuzji nośników, wbudowane pole elektryczne, koncentracja nieskompensowanych domieszek akceptorowych). Metoda bazuje się na analizie widma wydajności kwantowej ogniwa w ramkach modelu jednowymiarowego. Wyznaczanie parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych z widma wydajności kwantowej Keywords: CIGSS, space-charge region width, diffusion length, solar cell spectra, applied bias voltage. Słowy kluczowe:CIGSS półprzewodniki, szerokość obszaru ładunku przestrzennego, długość drogi dyfuzji nośników Introduction The direct band gap semiconductor solid solutions Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGSS) are an excellent basic material for high-efficiency and low-cost thin film solar cells (SCs) of the second generation. CIGSS is base absorbing layer which covered with layer of wide-gap semiconductor for creating p-n-junction. For improvement the efficiency of the CIGSS-SCs, there is required to optimize their parameters taking into account the spectral characteristics of solar radiation. This necessitates the creation of a nondestructive control system for the parameters of SCs. Despite active investigations of CIGSS-SCs and the available basic principles for modeling of the SCs spectral characteristics, nondestructive control methods (specifically those based on spectral measurements) for these parameters at various stages of the production process of CIGSS-SCs are inadequate. In this work, a method have proposed to evaluation the space charge region (SCR) width and the diffu[...]

Impedance spectroscopy study of amorphous composites x(Fe0.45Co0.45Zr0.10)+(1-x)(Al2O3)

Czytaj za darmo! »

Results of the study of ac conductivity of granular nanocomposites consisting of alloy (Fe0.45Co0.45Zr0.10) nanoparticles embedded in the amorphous matrix (Al2O3) are presented and analyzed. Measurements have been carried out on the samples with different fraction x of metal component for the frequencies 100 Hz - 1 MHz in the temperature range of 80 - 340 K. The r[...]

Determination of CdSxSe1-x thick films optical properties from reflection spectra DOI:10.15199/48.2016.09.23

Czytaj za darmo! »

Abstract. A method for determining the band gap value and the refractive index near the absorption edge from reflection spectra was tested for CdSxSe1-x films prepared using the screen-printing and sintering technique. Streszczenie: Przeanalizowano metodę wyznaczenia szerokości przerwy energetycznej i współczynnika załamania z pomiarów widma współczynnika odbicie warstw CdSxSe1-x otrzymanych metodami sitodruku i konsolidacji termicznej (sintering technique). (Wyznaczanie parametrów optycznych grubych warstw CdSxSe1-x z analizy widma odbicia). Keywords: semiconductors, CdSxSe1-x thick films, refractive index, reflection spectra. Słowa kluczowe: półprzewodniki, warstwy CdSxSe1-x, współczynnik załamania, widmo odbicia. Introduction The development of optoelectronics stimulates research of the photoelectric and optical properties of semiconductor films used in different optoelectronic devices [1-4]. The refractive index and the band gap value are some of the most important optical parameters of semiconductor films [5-6]. A method to determine the band gap value and the refractive index near the absorption edge of the thick films of semiconductor materials from optical reflection spectra, measured at different angles of incidence of the optical radiation, is theoretically justified and experimentally implemented in the present study. Verification of this method for CdSxSe1-x films of solid solution prepared using the screen-printing and sintering technique was done in the present work [7-9]. The direct band gap semiconductors like CdS, CdSe and their solid solutions are excellent materials for the development of optoelectronic and photovoltaic devices due to their high absorption coefficients and appropriate band gap [9-11]. A simple screen-printing method can be suitable for the production of low-cost large-area photosensitive devices [7-9]. Theory Let d be the thickness of the semiconductor film with a surface roughness smaller t[...]

Ab initio molecular dynamics calculations of heat conductivity for silicon related materials DOI:10.15199/48.2017.08.16

Czytaj za darmo! »

Thermal effects occurring in the active electronic elements and devices lead to their temperature increase and may change their functional characteristics. To keep these characteristics within the determined frameworks, one has to construct the corresponding devices taking into account the heat conductivity characteristics of the corresponding active and neighboring materials. Because of the large variety of these materials in modern electronics the problem of their heat characteristics determination is extremely important [1]. There are several theoretical techniques reported in the literature [2], which are used for determination of the phonon thermal conductivity. One of the often applied techniques is the molecular dynamics (MD), which can be separated into two main groups: (1) equilibrium and (2) nonequilibrium methods. In an equilibrium MD simulation, the system under investigation has a constant average temperature and an average heat flux of zero [2]. However, at each instant of time a finite heat flux exists due to instantaneous fluctuations of temperature. The popular Green-Kubo method [3, 4], based on the general fluctuation-dissipation theorem [5], relates the lattice thermal conductivity of the system to the time required for such fluctuations to dissipate. The corresponding algorithms however are not implemented in the more popular ab initio packages, for example in VASP code [6]. In the present study, we propose a new approach for the theoretical first-principles calculations of the phonon lifetime  and thermal diffusivity D of a material on the basis of the standard ab initio molecular dynamics (AMD) study. This approach has been applied to the study of heat conductivity in pure silicon and phosphorus doped silicon crystals. Some subsidiary calculations of this type were performed with diamond, sapphire (Al2O3) and silver. On the basis of the calculated thermal diffusivity D one can obtain the corr[...]

Effect of annealing on the Structure of thermal evaporated In2S3 thin films DOI:10.15199/48.2017.08.23

Czytaj za darmo! »

Thin films of III-VI materials have found applications in many areas of science and technology that include optoelectronics and photovoltaics [1, 2]. Among them, In2S3 films are excellent candidates for different applications due to their stability, attractive optical properties and photoconductor behavior [3-6]. Especially In2S3 thin films are suitable for application in solar energy photovoltaic conversion [7-9]. It may be perspective to form buffer layers for Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells, which may achieve efficiency up to 16.4% [8]. In2S3 is a n-type semiconductor that can exist in several polymorphs and this makes the physical properties of In2S3 films significantly dependent on the preparation conditions. The future improvement of solar cells therefore requires the scrupulous characterization of thin film surface and micro-structural properties (including phase composition, grain size, and roughness). X-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy are well known as most powerful techniques for structural analysis of thin solid films. Surface roughness and topography, which are used to characterize contact surfaces, were examined via Atomic Force Microscopy (AFM) [10]. In practice, the most commonly used parameters for surface roughness description are average surface roughness Ra and root mean square roughness Rrms [11, 12]. However, there are also other roughness parameters that give better surface description like skewness of the roughness profile, Rsk and kurtosis of the roughness profile, Rku. The reported data on the influence of annealing temperature on these roughness parameters of thermally evaporated In2S3 films is very meager. Earlier, the effect of the annealing temperature and the thickness of the thermally evaporated In2S3 films on their optical properties was studied in [13, 14]. However, there is to date a lack of reported studies regarding influence of annealing temperature on the topography and[...]

DC conductivity of amorphous composites x(Fe0.45Co0.45Zr0.10)+(1-x)(Al2O3) in the range of 20 - 300 K

Czytaj za darmo! »

The temperature dependency of the dc electrical conductivity σ(T) of the composites x(Fe0.45Co0.45Zr0.10)+(1-x)(Al2O3) has been studied in the range of 20 - 300 K. The ratios x was in the range of 0.418 - 0.540 corresponding to the before percolation threshold. The Sheng's model of fluctuation induced tunneling was used to fit the dependencies of[...]

Imaginary part of admittance in (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposites

Czytaj za darmo! »

Temperature and frequency dependences of the imaginary part of admittance σ′′(T, f) in granular (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposite films around the percolation threshold xC have been investigated. The films of 3 - 6 μm thickness were deposited in Ar gas atmosphere using sputtering method. The behavior of σ′′(T, f) dependences for the samples studied in the range of 100 - 340 K and 102 - 106 Hz displayed the predominance of activational conductivity mechanism for the samples with х  43 at.% and metallic one at х  48 at.%. Streszczenie. Zbadane zostały temperaturowe i częstotliwościowe zależności susceptancji (urojona część admitancji) σ′′(T, f) cienkich warstw nanokompozytów (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) w pobliżu progu perkolacji xC. Cienkie warstwy o grubości 3 - 6 μm wytworzone były w atmosferze Ar przy użyciu metody rozpylania jonowego. Określono zachowanie się zależności σ′′(T, f) dla próbek zbadanych w zakresie temperatur 100 - 340 K i częstotliwości 102 - 106 Hz wykazujące przewagę aktywacyjnego mechanizmu przewodnictwa dla próbek z х  43 at.% i przewodnictwa metalicznego dla х  48 at.%). (Urojona część admitancji w nanokompozytach (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x)) Keywords: admittance, conductivity, nanocomposites, percolation threshold. Słowa kluczowe: admitancja, konduktywność, nanokompozyty, próg perkolacji. Introduction Nowadays the synthesis and investigation of the materials, usually called the granular nanocomposites, are of a great interest for the material engineers. Particular attention is given to the nanocomposites in which granules of soft ferromagnetic alloys with sizes about some nanometres are randomly distributed in dielectric matrix. The interest to such systems is mainly due to wide possibilities of their application (e.g. for saving and recording of information[...]

 Strona 1