Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Leszek BYCHTO"

Zastosowanie wibrometru laserowego do badań dyfuzyjności cieplnej materiałów stosowanych w elektronice DOI:10.12915/pe.2014.09.05

Czytaj za darmo! »

Nowoczesne wibrometry laserowe o niespotykanej dotąd rozdzielczości, wynoszącej nawet 20pm [1], mogą znaleźć zastosowanie w badaniach właściwości cieplnych materiałów stosowanych w elektronice. Artykuł prezentuje próbę wykorzystania takiego wibrometru do wyznaczania dyfuzyjności cieplnej materiałów takich jak krzem, german i krzemogerman. Abstract. Modern laser vibrometer of unprecedented resolution of even 20pm [1] may be used in studies of thermal properties of materials used in electronics. This article presents an attempt to use of such vibrometer to determine thermal diffusivity of the materials such as silicon, germanium and silicon-germanium. (The use of laser vibrometer in research of thermal diffusivity of materials used in electronics). Słowa kluczowe: fototermika, fotoakustyka, dyfuzyjność cieplna, interferometr Michelsona, wibrometr laserowy. Keywords: photothermics, photoacoustics, thermal diffusivity, Michelson interferometer, laser vibrometer. doi:10.12915/pe.2014.09.05 Wstęp Badania właściwości cieplnych materiałów stosowanych w elektronice są istotnym zagadnieniem w konstruowaniu przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych. Szczególnie tam, gdzie mamy do czynienia z odprowadzaniem ciepła czy wytwarzaniem przyrządów składających się ze struktur wielowarstwowych, konieczny jest dobór materiałów o odpowiednich parametrach cieplnych. Dlatego ważny jest rozwój metod pozwalających na określanie tych parametrów na kolejnych etapach powstawania przyrządu, zaczynając od materiałów wyjściowych, a kończąc na produkcie finalnym. Istnieje wiele technik pomiarowych służących do wyznaczania parametrów cieplnych takich jak: przewodność cieplna κ, ciepło właściwe c, czy dyfuzyjność cieplna α. Opierają się one na rejestracji zmian pola temperaturowego (strumienia ciepła), stymulowanych generatorem ciepła. Do wzbudzania pola temperaturowego stosuje się powszechnie źródła światła, a grupa metod pomiarowych wykorzystuj[...]

Pomiary SPV krzemu stosowanego w fotowoltaice z wykorzystaniem wielokanałowego źródła optycznego


  Procesy projektowania ogniw s.onecznych wymagaj. znajomo.ci wielu parametrow charakteryzuj.cych materia.y u.yte do ich budowy. Jednym z takich parametrow jest droga dyfuzji no.nikow mniejszo.ciowych Ld. Parametr ten jest jednym z najwa.niejszych parametrow wykorzystywanych przy wyznaczaniu efektywno.ci przetwarzania energii przez ogniwa fotowoltaiczne. Metoda SPV (ang. Surface photovoltage) jest jedn. z bardziej efektywnych metod testowania parametrow materia.ow i struktur po.przewodnikowych. Nale.y do tzw. funkcjonalnych metod diagnostycznych, poniewa. wykorzystuje si. w niej to same zjawisko jak w wielu optoelektronicznych urz.dzeniach (np. fotodiody, ogniwa s.oneczne, itp.). W zwi.zku z tym za pomoc. tej metody mo.na zmierzy. parametry struktur i materia.ow, ktore s. krytyczne dla dzia.ania urz.dze. do budowy ktorych u.yto tych materia.ow i struktur. Dotyczy to w szczegolno.ci ogniw s.onecznych. Metoda SPV jest znana i wykorzystywana ju. od d.u.szego czasu [1], jej najwi.kszy rozwoj by. stymulowany przez Lile?fa i Davisa [2] oraz Goodmana [3] co doprowadzi.o do powstania szybkich metod diagnostyki jednorodno.ci rekombinacyjnej materia.ow po.przewodnikowych i pomiarow kluczowego parametru jakim jest droga dyfuzji Ld dzi.ki pomiarowi i w.a.ciwej analizie widm sygna.u SPV przy uwzgl.dnieniu niezale.nie otrzymanej, czy przez pomiar czy w wyniku oblicze., charakterystyki widmowej wspo.czynnika absorpcji optycznej badanego materia.u [4-6]. Tego typu prace przyczyni.y si. do powstania odpowiednich standardow wyznaczania drogi dyfuzji . ASTM [7]. Metody wyznaczania Ld drog. detekcji sygna.u SPV polegaj. na wzbudzaniu badanych obiektow .wiat.em monochromatycznym o ro.nej d.ugo.ci fali. Analiza charakterystyk widmowych sygna.u SPV przy znanej jednocze.nie charakterystyce widmowej wspo.czynnika absorpcji optycznej daje informacj. o drodze dyfuzji no.nikow. Przy implementacji metod SPV wyst.puj. ro.ne problemy w.a.ciwe ro.nym rodzajo[...]

Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination DOI:10.15199/48.2017.08.09

Czytaj za darmo! »

The lifetimes of carriers are measured for silicon with the use of different methods such for example as: Surface Photovoltage (SPV), Modulated Free Carrier Absorption (MFCA), Photoacoustic (PA), Microwave Photo Conductance Decay (μPCD), Photo-Thermal Radiometry (PTR) and Photoluminescence Decay (PLD). An example of the application of the photoluminescence method for determination of the minority carrier diffusion length and the lifetime both in bulk and doped silicon epitaxial layers is presented in paper [1]. Lifetimes of carriers are most often extracted from the experimental frequency or time domain characteristics of the measured signal. The characteristics are then analyzed in the appropriate theoretical model and very often compared. Various methods for characterization of the charge carrier lifetimes are reviewed in paper [2]. The problem is however that the intensities of illumination of the samples during experiments are often not given. The experimental results presented in this paper show that the influence of the intensity of illumination is essential and without this information the comparison of the experimental results of the lifetimes is not possible. Paper [3] presents the influence of light intensity on the lifetime of carriers in n-type silicon investigated by a PA method. The character of the dependence was interpreted in terms of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The idea of this PA method for determination of the lifetimes of carriers is presented in paper [4]. The experimental results illustrating the influence of ion implantation on the recombination parameters of p and n type implanted Si samples investigated by means of the PTR are presented in paper [5]. The minority carrier recombination lifetimes in ntype CdMgSe mixed crystals measured by means of the PTR method are presented in paper [6]. For the measurements of the lifetimes of minority carriers, described in this paper, two experime[...]

Mapowanie czasu życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach DOI:10.15199/48.2015.09.30

Czytaj za darmo! »

W artykule zaprezentowano tematykę bezkontaktowego mapowania czasów życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach. Opisano szczegóły techniczne dotyczące realizacji stanowiska badawczego oraz wykorzystanej metody detekcji sygnału. Przedstawiono i przedyskutowano przykładowe mapy czasów życia nośników w krzemie monokrystalicznym. W pracy omówiono również sposób wyznaczania koncentracji pułapek odpowiedzialnych za skrócenie czasu życia nośników. Abstract. In the paper the issue of a noncontact mapping of the lifetimes of carriers in semiconductor materials with the MFCA method is presented. The technical details of the construction of the experimental set-up and the applied method of detection are described. Example maps of the lifetime spatial distributions in the silicon samples are shown and discussed. In the paper the way of computation of the spatial distribution of the traps responsible for the shortening of the lifetime of carriers is also presented. (Mapping of the lifetime of carriers in semiconducting materials with the modulated free carrier absorption method). Słowa kluczowe: metody nieniszczące, technika modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach, krzem, czasy życia nośników, mapowanie parametrów rekombinacyjnych. Keywords: nondestructive methods, modulation by free carrier absorption MFCA, silicon, lifetime of excess carriers, mapping of recombination parameters. Wprowadzenie Jednymi z ważniejszych parametrów materiałów krzemowych służących do produkcji urządzeń optoelektronicznych, są parametry rekombinacyjne. W znacznej mierze decydują one o wydajności produkowanych na ich bazie urządzeń. Przykładem są ogniwa fotowoltaiczne, gdzie czasy życia nośników są niezwykle istotnym parametrem. W ostatnich latach można zaobserwować wzrost zainteresowania metodami pomiarowymi mającymi na celu wyznaczanie tych parametrów [1-3]. Jedną z technik umożliwiających [...]

 Strona 1