Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"Łukasz CHROBAK"

Implementacja wzmacniacza fazoczułego na specjalistycznej karcie przetworników analogowo-cyfrowych NI PCI-4461


  Wzmacniacz fazoczuły jest powszechnie znany pod nazwą Lock-In. Stosowany jest do pomiarów słabych sygnałów periodycznych zatopionych w szumie, czyli dla sygnałów, dla których stosunek sygnału do szumu jest znacznie mniejszy od jedności. Implementacja wzmacniacza fazoczułego na procesorze sygnałowym została omówiona w pracy [1]. Programowa realizacja wzmacniacza lock-in wykorzystana do pomiarów pojemności została przedstawiona w pracy [2]. Programowe symulacje wzmacniacza tego typu omówiono w pracy [3]. Implementacja programowa wielokanałowego wzmacniacza lock-in została zaprezentowana w pracy [4]. Realizacja wzmacniacza fazoczułego na bazie mikrokontrolera została przedstawiona w pracy [5]. W artykule tym przedstawiono szczegóły dotyczące implementacji programowej wzmacniacza fazoczułego na karcie przetworników NI PCI-4461. Schemat blokowy typowego dwukanałowego wzmacniacza fazoczułego został przedstawiony na rysunku poniżej. Podstawą działania wzmacniacza jest detekcja fazoczuła. Do wzmacniacza fozoczułego podawany jest mierzony sygnał oraz sygnał referencyjny, który następnie przekazywany jest do generatora wewnętrznego. W pierwszym kroku sygnał mierzony poddawany jest wzmocnieniu. W kolejnym kroku w każdym z kanałów generowane są dwa ortogonalne sygnały referencyjne o częstotliwości odpowiadającej częstotliwości podanego do wzmacniacza sygnału referencyjnego. Następnie w każdym z kanałów następuje modulacja sygnału wejściowego sygnałem referencyjnym. Sygnały reprezentujące komponenty sygnału w dwóch ortogonalnych fazach odniesienia podawane są na filtry dolnoprzepustowe. Z otrzymanych składowych uzyskiwana jest Elektronika 12/2012 107 poszukiwana wartość amplitudy i fazy na zadanej częstotli[...]

Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych


  Parametry rekombinacyjne materiałów krzemowych są jednymi z ważniejszych, których znajomość jest niezbędna przy projektowaniu urządzeń optoelektronicznych (np. ogniw słonecznych, fotodetektorów, itp.). W ostatnich latach można zaobserwować wzrost zainteresowania nieniszczącymi metodami do wyznaczania parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych [1-4]. Jedną z nich jest metoda MFCA (ang. Modulated Free Carrier Absorption), która umożliwia wyznaczenie czasu życia nośników, współczynnika dyfuzji nośników, a także prędkości ich rekombinacji powierzchniowej. Jej podstawy teoretyczne, a także przykładowe charakterystyki częstotliwościowe amplitudowe i fazowe uzyskane na płytkach krzemowych przedstawiono w pracy [5]. Modyfikację metody MFCA opartą na przestrzennej separacji wiązki wzbudzającej nośniki i wiązki sondującej przedstawiono w pracach [6, 7]. Wpływ szerokości wiązki sondującej na sygnał MFCA przedstawiono w pracy [8]. Porównanie czułości dwóch odmian metody MFCA opartych na pomiarze sygnału MFCA w funkcji częstotliwości modulacji oraz w funkcji odległości wiązki wzbudzającej i wiązki sondującej przedstawiono w pracy [9]. Rozkład przestrzenny nośników w modelu 3D niezbędny do obliczeń wielkości sygnału MFCA przedstawiono w pracy [10]. Wyniki badań, porównujących metodę MFCA z metodą pomiarową bazującą na wykorzystaniu mikrofal, zweryfikowane pomiarami fotoprzewodnictwa przedstawiono w pracy [11]. Przedstawione w niniejszej pracy zagadnienia dotyczące metody MFCA są ciągle aktualne i znajdują się w spektrum zainteresowań naukowców z międzynarodowych jednostek naukowych [12-14]. Znajomość parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych jest wysoce pożądana, zwłaszcza przy projektowaniu i wytwarzaniu ogniw słonecznych. Idea metody MFCA polega na wzbudzaniu nośników z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa w wyniku absorpcji światła lasera wzbudzającego oświetlającego próbkę. W wyniku tego uzyskuje się dyfuzyjne fale[...]

Badania wybranych materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni DOI:10.15199/48.2016.09.32

Czytaj za darmo! »

W artykule przedstawiono wyniki badań materiałów optoelektronicznych z wykorzystaniem fototermicznej radiometrii w podczerwieni (PTR). Opisane zostały szczegóły dotyczące wykorzystanej techniki badawczej. Badania przeprowadzono na próbkach krzemu i krzemu - germanu. Omówiono szczegóły techniczne dotyczące wymagań sprzętowych na potrzeby stanowiska badawczego. W pracy przedyskutowano możliwości interpretacyjne płynące z zastosowania opisanej metody badawczej oraz opisanych modeli matematycznych sygnału PTR. Abstract. In this paper the experimental results of the photothermal radiometry (PTR) investigations of the optoelectronic materials have been presented. The details concerning the used technique have been described. Investigations have been performed on the silicon and silicongermanium samples. Details of the experimental set-up have been discussed. In this work the interpretation abilities connected with the usage of the described experimental method and the described PTR signal mathematical models have been discussed. (Investigations of chosen optoelectronic materials with the photothermal infrared radiometry). Słowa kluczowe: badania nieniszczące, radiometria w podczerwieni, krzem, krzem-german, parametry rekombinacyjne, czas życia nośników. Keywords: Nondestructive testing, photothermal infrared radiometry, silicon, silicon-germanium, recombination parameters, carriers lifetime. Wprowadzenie Materiały optoelektroniczne są w ciągłym spektrum zainteresowań badawczych. Ich parametry np. rekombinacyjne mają istotny wpływ na wydajność i sprawność urządzeń oraz elementów realizowanych na ich podstawie. Urządzenia te przykładowo wykorzystywane są w pozyskiwaniu energii z odnawialnych źródeł. Metoda fototermicznej radiometrii w podczerwieni jest jedną z metod pozwalających na uzy[...]

Obrazowanie obszarów implantowanych w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni DOI:10.15199/48.2017.08.24

Czytaj za darmo! »

Podstawy teoretyczne dotyczące radiometrii w podczerwieni, zostały przedstawione w pracach [1-3]. Składowa periodyczna sygnału PTR może być opisana, jako suma komponentów termicznego i plazmowego: (1) 1 2 1 2 1 2 0 0 ( , , , ) ( , , , , , , ) ( , , , , ) d d T N PTR f  V V  C  T x f  V V    dx C  n x f  V V dx gdzie: f - częstotliwość modulacji, τ - czas życia nośników, V1,2 - prędkość rekombinacji powierzchniowej, α - dyfuzyjność termiczna, λ - przewodnictwo cieplne. Komponent termiczny jest to periodyczna składowa promieniowania termicznego próbki będąca wynikiem jej periodycznego oświetlania wiązką laserową i periodycznej zmiany jej temperatury. Komponent plazmowy jest to składowa periodyczna stałego promieniowania termicznego próbki zmodulowana periodycznie zmienną koncentracją nośników. Przykładowe zastosowania omawianej metody w badaniach materiałów optoelektronicznych przedstawiono w pracach [4-[...]

Mapowanie czasu życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach DOI:10.15199/48.2015.09.30

Czytaj za darmo! »

W artykule zaprezentowano tematykę bezkontaktowego mapowania czasów życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach. Opisano szczegóły techniczne dotyczące realizacji stanowiska badawczego oraz wykorzystanej metody detekcji sygnału. Przedstawiono i przedyskutowano przykładowe mapy czasów życia nośników w krzemie monokrystalicznym. W pracy omówiono również sposób wyznaczania koncentracji pułapek odpowiedzialnych za skrócenie czasu życia nośników. Abstract. In the paper the issue of a noncontact mapping of the lifetimes of carriers in semiconductor materials with the MFCA method is presented. The technical details of the construction of the experimental set-up and the applied method of detection are described. Example maps of the lifetime spatial distributions in the silicon samples are shown and discussed. In the paper the way of computation of the spatial distribution of the traps responsible for the shortening of the lifetime of carriers is also presented. (Mapping of the lifetime of carriers in semiconducting materials with the modulated free carrier absorption method). Słowa kluczowe: metody nieniszczące, technika modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach, krzem, czasy życia nośników, mapowanie parametrów rekombinacyjnych. Keywords: nondestructive methods, modulation by free carrier absorption MFCA, silicon, lifetime of excess carriers, mapping of recombination parameters. Wprowadzenie Jednymi z ważniejszych parametrów materiałów krzemowych służących do produkcji urządzeń optoelektronicznych, są parametry rekombinacyjne. W znacznej mierze decydują one o wydajności produkowanych na ich bazie urządzeń. Przykładem są ogniwa fotowoltaiczne, gdzie czasy życia nośników są niezwykle istotnym parametrem. W ostatnich latach można zaobserwować wzrost zainteresowania metodami pomiarowymi mającymi na celu wyznaczanie tych parametrów [1-3]. Jedną z technik umożliwiających [...]

 Strona 1