Wyniki 1-5 spośród 5 dla zapytania: authorDesc:"Eunika ZIELONY"

Photoelectrical properties of photovoltaic structures based on CdTe/ZnO


  Photovoltaics continues to be one of the fastest growing industries, with annual increase beyond 40% [1]. Photovoltaic (PV) solar cells convert incoming solar radiation directly into electricity and produce electricity as each conventional source of energy, but they are very attractive for they are environment friendly. Zinc oxide (ZnO) is nowadays worldwide extensively studied for optoelectronics and photovoltaics application. It is predicted that there will be a mass production of conducting ZnO layers as transparent electrodes in solar cells. It is said that ZnO layers will soon replace indium transparent oxide (ITO) because of high cost and limited supply of indium. Yet there is another very attractive field of ZnO application. It may be used as the n-type partner for the organic materials. There is a bright future in front of the PV cells based on such a hybrid structures for their flexibility and a very low cost of production. The use of ZnO in the novel electronic and PV devices demands low or extremely low processing temperature [2-4]. There are many different technologies used to obtain ZnO layers. These are chemical vapor deposition (CVD), molecular [...]

GaAsN as a photovoltaic material - photoelectrical characterization


  GaAsN and InGaAsN materials have attracted considerable attention due to their unique physical properties and wide range of their possible application in optoelectronics, especially in infrared laser diodes for 1.3 and 1.55 mm [1, 2] and high efficiency multi-junction (MJ) solar sells [3, 4], where these low-band-gap materials can, in principle, be used to efficiently collect the lowphoton- energy portion of the solar spectrum [4]. In this paper the results of studies on the layers of GaAs1-xNx grown on (100)-oriented Si-doped n-type GaAs substrates by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy APMOVPE are presented. In the first step the layers of GaAs1-xNx were characterized with the use of optical methods, then Schottky diodes were realized and the rectifying properties of the diodes were studied with electrical methods. The diodes exhibit light-energy conversion effect. Basic parameters of the solar cells ( short-circuit current Isc, open circuit-voltage, Voc, and fill factor, FF) were determined. Obtained results confirm that the diodes are promising as efficien[...]

Struktury na bazie ZnO do detekcji światła ultrafioletowego DOI:10.15199/48.2016.09.10

Czytaj za darmo! »

W poniższej pracy, dwie struktury p-Si/n-ZnMgO zostały scharakteryzowane pod kątem zastosowania w detektorach światła ultrafioletowego (UV). Przeprowadzone zostały pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V), fotoluminescencji (PL) oraz fotoodpowiedzi. Charakterystyki I-V zostały zmierzone w 310 K i pozwoliły stwierdzić, że obie struktury posiadają właściwości prostujące. Pomiary fotoluminescencji i fotoodpowiedzi zostały przeprowadzone w temperaturze pokojowej. Została przeprowadzona dokładna analiza widm fotoluminescencji, które w jednej z próbek ujawniły pasma emisyjne świadczące o obecności defektów. Pomiary fotoodpowiedzi również zostały szczegółowo przeanalizowane, podane zostały główne wady badanych struktur oraz rozwiązania, które mogą przyczynić się do udoskonalenia struktur. Abstract. In our paper, two p-Si/n-ZnMgO structures were characterized in terms of applicability in ultraviolet light detectors. A few measurement techniques have been applied: current-voltage (I-V) characteristics, photoluminescence (PL) and photoresponsivity measurements. I-V characteristics were measured at 310 K and allowed us to conlcude, that both of investigated structures have rectifying properties. Photoluminescence and photoresposivity measurements were performed at room temperature. The analysis of PL spectra exhibited emission bands corresponding to defects in one of studied samples. Photoresponsivity spectra were also thoroughly examined - the most important disadvantages of analysed structures were given together with possible solutions, which can be applied in order to obtain well-working UV detectors. (ZnO-based structures for ultraviolet detectors). Słowa kluczowe: ZnO, Si, heterostruktury, fotoodpowiedź, detektory, UV. Keywords: ZnO, Si, heterostructures, photoresponsivity, detectors, UV. Wstęp Detektory światła ultrafioletowego (UV) przyciągają duże zainteresowanie, głównie ze względu na mnogość zastosowań w różnych dziedzinach komer[...]

Aktywność defektów w pomiarach elektrycznych i optycznych złączy fotowoltaicznych na bazie CdTe DOI:10.15199/48.2016.09.11

Czytaj za darmo! »

W niniejszym artykule przedstawione zostały wyniki badań defektów w strukturach fotowoltaicznych na bazie CdTe, otrzymanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Do charakteryzacji defektów w badanych złączach wykorzystano różne metody pomiarowe, takie jak: charakterystyki prądowo-napięciowe, niestecjonarna spektroskopia głębokich poziomów (DLTS) i fotoluminescencja (PL), mierzone w szerokim zakresie temperatur. Pokazano, że sprawności badanych diod są stosunkowo niskie, na co mają wpływ defekty występujące w ich strukturze. W oparciu o wyniki pomiarów widm DLTS i PL wyznaczono parametry defektów oraz określono źródło ich pochodzenia. Abstract. In this article the results of investigations of defects in photovoltaic structures based on CdTe grown by the molecular beam epitaxy (MBE) technique have been presented. For the characterization of defects in the studied junctions various measurement methods have been used, such as: current-voltage characteristics, deep level transient spectroscopy (DLTS) and photoluminescence (PL), measured in a broad temperature range. It has been shown that the efficiency of the investigated diodes are relatively low, what is caused by the defects present in their structure. Based on the results of the DLTS- and PL spectra the parameters of defects have been determined and their possible origin has been discussed. (Activity of defects in the electrical- and optical measurements of photovoltaic junctions based on CdTe). Słowa kluczowe: fotowoltaika, CdTe, charakterystyki I-V, fotoluminescencja, technika DLTS. Keywords: photovoltaics, CdTe, I-V characteristics, photoluminescence, DLTS technique. Wprowadzenie Na całym świecie obserwujemy wzrost zainteresowania odnawialnymi źródłami energii. Ogromne nadzieje upatruje się w energetyce słonecznej. Jedną z metod wykorzystywania energii emitowanej przez Słońce jest konwersja fotowoltaiczna. Technologia ta jest przyjazna dla środowiska i nie wymaga zasilania[...]

Parametry konwersji fotowoltaicznej dla fotoogniw plazmonicznych na bazie ZnO z nanocząstkami srebra i złota DOI:10.15199/48.2016.09.09

Czytaj za darmo! »

W pracy zbadano struktury fotowoltaiczne na bazie nanosłupków tlenku cynku pokrytych warstwą ZnMgO, a następnie warstwą ZnO:Al (AZO). Nanosłupki zostały wytworzone na podłożu krzemowym i pokryte nanocząstkami złota lub srebra. Z pomiarów transmisji i odbicia wywnioskowano, że próbki z nanocząstkami srebra odbijają znaczną ilość światła w zakresie widzialnym, co powoduje spadek wydajności kwantowej w tym zakresie. W podczerwieni próbki z nanocząstkami mają wyższą wydajność kwantową niż próbka referencyjna bez nanocząstek. Stwierdzono, że próbka z nanocząstkami złota ma najwyższą wydajność kwantową w całym zakresie czułości 400-800 nm. Ponadto jej sprawność osiąga również najwyższą wartość - 5,79%. Abstract. In this article photovoltaic structures based on ZnO nanorods covered with ZnMgO and ZnO:Al (AZO) layers were studied. The nanorods were grown on sillicon and covered with gold or silver nanoparticles. From the transmission and reflection measurments it was concluded that the samples with silver nanoparticles reflect more light in the visible spectra, which cause the decrease in external quantum efficiency for this wavelength range. In the infrared range the samples with nanoparticles have higher external quantum efficiency than the referance sample without the nanoparticles. It was also concluded, that the sample with gold nanoparticles have the highest external quantum efficiency in the wavelength range from 400-800 nm. Furthermore, the sample has the highest efficiency - 5.79%. (Parameters of photovoltaic conversion for plasmonic solar cells based on ZnO with Au and Ag nanoparticles). Słowa kluczowe: ogniwa słoneczne, ZnO, ALD, plazmonika. Keywords: solar cells, ZnO, ALD, plasmonics. Wprowadzenie W ostatnich latach nastąpił szybki rozwój nowych technologii fotowoltaicznych. Jednocześnie nieustannie wzrasta popularność baterii słonecznych w zastosowaniach nie tylko przemysłowych, ale rów[...]

 Strona 1