Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Anis SAAD"

Determination of CdSxSe1-x thick films optical properties from reflection spectra DOI:10.15199/48.2016.09.23

Czytaj za darmo! »

Abstract. A method for determining the band gap value and the refractive index near the absorption edge from reflection spectra was tested for CdSxSe1-x films prepared using the screen-printing and sintering technique. Streszczenie: Przeanalizowano metodę wyznaczenia szerokości przerwy energetycznej i współczynnika załamania z pomiarów widma współczynnika odbicie warstw CdSxSe1-x otrzymanych metodami sitodruku i konsolidacji termicznej (sintering technique). (Wyznaczanie parametrów optycznych grubych warstw CdSxSe1-x z analizy widma odbicia). Keywords: semiconductors, CdSxSe1-x thick films, refractive index, reflection spectra. Słowa kluczowe: półprzewodniki, warstwy CdSxSe1-x, współczynnik załamania, widmo odbicia. Introduction The development of optoelectronics stimulates research of the photoelectric and optical properties of semiconductor films used in different optoelectronic devices [1-4]. The refractive index and the band gap value are some of the most important optical parameters of semiconductor films [5-6]. A method to determine the band gap value and the refractive index near the absorption edge of the thick films of semiconductor materials from optical reflection spectra, measured at different angles of incidence of the optical radiation, is theoretically justified and experimentally implemented in the present study. Verification of this method for CdSxSe1-x films of solid solution prepared using the screen-printing and sintering technique was done in the present work [7-9]. The direct band gap semiconductors like CdS, CdSe and their solid solutions are excellent materials for the development of optoelectronic and photovoltaic devices due to their high absorption coefficients and appropriate band gap [9-11]. A simple screen-printing method can be suitable for the production of low-cost large-area photosensitive devices [7-9]. Theory Let d be the thickness of the semiconductor film with a surface roughness smaller t[...]

Imaginary part of admittance in (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposites

Czytaj za darmo! »

Temperature and frequency dependences of the imaginary part of admittance σ′′(T, f) in granular (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) nanocomposite films around the percolation threshold xC have been investigated. The films of 3 - 6 μm thickness were deposited in Ar gas atmosphere using sputtering method. The behavior of σ′′(T, f) dependences for the samples studied in the range of 100 - 340 K and 102 - 106 Hz displayed the predominance of activational conductivity mechanism for the samples with х  43 at.% and metallic one at х  48 at.%. Streszczenie. Zbadane zostały temperaturowe i częstotliwościowe zależności susceptancji (urojona część admitancji) σ′′(T, f) cienkich warstw nanokompozytów (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x) w pobliżu progu perkolacji xC. Cienkie warstwy o grubości 3 - 6 μm wytworzone były w atmosferze Ar przy użyciu metody rozpylania jonowego. Określono zachowanie się zależności σ′′(T, f) dla próbek zbadanych w zakresie temperatur 100 - 340 K i częstotliwości 102 - 106 Hz wykazujące przewagę aktywacyjnego mechanizmu przewodnictwa dla próbek z х  43 at.% i przewodnictwa metalicznego dla х  48 at.%). (Urojona część admitancji w nanokompozytach (Fe0.45Co0.45Zr0.10)x(Al2O3)(1-x)) Keywords: admittance, conductivity, nanocomposites, percolation threshold. Słowa kluczowe: admitancja, konduktywność, nanokompozyty, próg perkolacji. Introduction Nowadays the synthesis and investigation of the materials, usually called the granular nanocomposites, are of a great interest for the material engineers. Particular attention is given to the nanocomposites in which granules of soft ferromagnetic alloys with sizes about some nanometres are randomly distributed in dielectric matrix. The interest to such systems is mainly due to wide possibilities of their application (e.g. for saving and recording of information[...]

Gigantic magnetoresistive effect in n-Si/SiO2/Ni nanostructures fabricated by the template-assisted electrochemical deposition

Czytaj za darmo! »

The study of the carrier transport and magnetotransport in n-Si/SiO2/Ni nanostructures with granular Ni nanorods embedded into the pores in SiO2 was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction up to 8 T. In n-Si/SiO2/Ni nanostructures at temperatures of about 25 K a huge positive MR effect is observed. Possible mechanisms of the effect is discussed. Streszczenie. Przeprowadzono badania mechanizmu przenoszenia ładunków i magnetoprzewodzenia w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni z ziarnistymi nanocząstkami Ni rozmieszczonymi w porach SiO2 w zakresie temperatur 2 - 300 K oraz przy indukcji magnetycznej do 8 T. W nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni w temperaturze około 25 K zaobserwowano bardzo wyraźny dodatni efekt MR. Omówiono prawdopodobne mechanizmy pojawienia się opisanego efektu. (Gigantyczny efekt magnetorezystywności w nanostrukturach n-Si/SiO2/Ni wytworzonych przy użyciu metody nanoszenia elektrochemicznego). Keywords: Ion implantation, granular materials, nanostructures, magnetoresistance. Słowa kluczowe: implantacja jonowa, ziarniste materiały, nanostruktury, magnetorezystancja. Introduction At the present time commercially produced magnetic nanosensors, memory nanocells, etc. are not free from such limitations as too high sensitivity to temperature, fairly high costs, poor properties at high frequencies and relatively large sizes. Therefore, of special interest is the development of the methods to create nanostructures and/or their arrays exploiting the giant (GMR) or tunneling (TMR) magnetoresistive effects [1]. The GMR/TMR effects are created in the artificially layered systems composed of a large number of magnetic/nonmagnetic layers, forming some kind of a superlattice [2]; multilayer structures in spin valve configurations [3]; point contacts between two ferromagnetic nanowires [4]; nanobridges fabricated from ferromagnetic semiconductors [5]; etc. Another approach to the fabrication of the arr[...]

Magnetotransport in nanostructured Ni films electrodeposited on Si substrate

Czytaj za darmo! »

The study of electrical resistivity  and magnetoresistance MR in nanogranular Ni films was performed over the temperature range 2 - 300 K and at the magnetic field induction B up to 8 T. The Ni layers having a thickness of about 500 nm were prepared by electrodeposition on n- Si wafers. According to an X-ray diffraction study, a strongly textured face-centered cubic structure was formed in the as-deposited films with an average grain sizes of about 10 - 70 nm. Experiments have demonstrated that the magnetic field and temperature dependences of the MR effect in Ni films shown two main peculiarities: (1) dependencies on the mutual orientations of vectors B, current and the film plane; (2) two contributions to the MR - negative anisotropic magnetoresistance and positive Lorentz-like MR. Streszczenie. W pracy przedstawiono badania rezystywności  i magnetorezystancji MR w cienkich nanoziarnistych warstwach Ni, które wykonano w temperaturach z przedziału 2 - 300 K oraz indukcji pola magnetycznego B większej od 8 T. Warstwy Ni posiadały grubość około 500 nm i zostały wykonane za pomocą galwanizacji na wafle krzemu n-Si. Według dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego, w nowo wytworzonych cienkich warstwach uformowała się regularna struktura powierzchniowo centrowana o średniej wielkości ziaren 10 - 70 nm. Doświadczenia wykazały, że w cienkich warstwach Ni w zależności od MR i temperatury występują dwie główne cechy szczególne: (1) zależność od wzajemnej orientacji wektorów: indukcji pola magnetycznego B, kierunku prądu i płaszczyzny cienkiej warstwy, (2) dwie składowe MR - ujemna anizotropowa i dodatnia typu Lorenza. (Magnetoprzewodzenie w nanostrukturalnych cienkich warstwach Ni osadzanych galwanicznie na podłożu Si). Keywords: granular materials, nanostructures, magnetoresistance. Słowa kluczowe: ziarniste materiały, nanostruktury, magnetorezystancja. Introduction In spite of the discovery of Giant Magnetoresistive (GMR) effect [...]

 Strona 1