Wyniki 1-4 spośród 4 dla zapytania: authorDesc:"Witold J. STEPOWICZ"

Thermal stability of SiC MOS transistors


  Progress in the improvement of technical data of SiC devices is observable, however it is under expectation arising from theoretical considerations. Especially it concerns the maximum (allowable) junction temperature, what results, among other things, from difficulties to construct reliable metal - semiconductor contacts and reliable cases for SiC devices provided for operation, after some forecasts, up to 800oC. It was demonstrated [1] that for SiC MOS transistors and other SiC devices an additional thermal limitation has to be taken into consideration. This limitation results from self-heating phenomenon included in the dc model of the SiC MOS transistor. In [2] the same limitation was described for the silicon MOS transistor. The aim of this paper is to discuss the above-mentioned additional limitation of the temperature operation range of the SiC MOS transistor, resulting from its thermal stability, when the considered device operating in the linear region of its dc characteristics is supplied from the constant current source. S-type And N-type DC characteristics of semiconductor devices As known, the dc characteristics i (u) of some semiconductor devices can have their shape of the S-type or N-type as shown in Fig. 1. It can be caused by many electrical and thermal phenomena taken into account when these characteristics are derived. One of this phenomena is self-heating which causes that the junction (inner) temperature of a device differs from the ambient temperature due electrical power dissipated and non-ideal conditions of removing the heat from the device to surroundings. The dc characteristics with self-heating taken into consideration are oft called as the non-isothermal ones. For any device with the dc non-isothermal charac[...]

Wpływ zjawiska samonagrzewania w dławiku na charakterystyki przetwornicy buck

Czytaj za darmo! »

W pracy przeanalizowano wpływ zjawiska samonagrzewania w dławiku na parametry robocze i charakterystyki przetwornicy buck. Pokazano otrzymane za pomocą symulacji komputerowych zależności napięcia wyjściowego, sprawności energetycznej i temperatury wnętrza dławika w stanie ustalonym od rezystancji obciążenia oraz współczynnika wypełnienia sygnału sterującego przetwornicę. Abstract. In the paper the influence of selfheating phenomenon in the coil on the parameters and characteristics of the buck converter is analyzed. The dependences of the output voltage and the watt-hour efficiency of the considered converter as well as the inner temperature of the coil on the load resistance and the pulse-duty factor of the signal controlling this converter are considered. The theoretical considerati[...]

Element optoelektroniczny o charakterystykach i (u) typu S

Czytaj za darmo! »

Transoptor jest półprzewodnikowym elementem optoelektronicznym powszechnie stosowanym do konstrukcji różnych układów elektronicznych i energoelektronicznych. Jedną z jego zasadniczych cech jest izolacja galwaniczna między jego zaciskami wejściowymi i wyjściowymi, ponieważ do transmisji sygnału między nimi jest wykorzystywane sprzężenie optyczne. Transoptor (rys. 1a) jest więc czwórnikiem elektrycznym i posiada cztery niezależne zaciski: na wejściu znajduje się źródło promieniowania, typowo jest to dioda elektroluminescencyjna LED spolaryzowana przewodząco, emitująca promieniowanie z zakresu podczerwieni, transmitowane przez światłowód do fotodetektora, którym typowo jest fototranzystor bipolarny.Przedmiotem pracy jest transoptor 4N25 (rys. 1a), w którym diodę LED z arsenku galu włączono szeregowo w obwód kolektora krzemowego fototranzystora bipolarnego, co pokazano na rysunku 1b. Jak widać z tego rysunku, w tak utworzonym elemencie prąd diody LED jest równy prądowi kolektora fototranzystora. Powstały w ten sposób element, wskutek dodatniego elektryczno-optycznego sprzężenia zwrotnego, posiada charakterystyki statyczne i (u) typu S. Sprzężenie to powoduje, że dowolny wzrost prądu kolektora, równego prądowi diody LED, powoduje wzrost natężenia oświetlenia padającego na złącze kolektorowe, a więc wywołuje dalszy wzrost prądu kolektora oraz prądu diody. Możliwość uzyskania optoelektronicznego elementu z charakterystykami i (u) typu S wykazano w pracach [1, 2]. Prace te dotyczą wykorzystania jako fotodetektora fototranzystora lub fototranzystora Darlingtona i zawierają one jedynie wyniki pomiarów charakterystyk elementu, bez podania jego modelu. Z kolei w pracy [3] wskazano na możliwość uzyskania optycznego dodatniego sprzężenia zwrotnego w obwodzie powstałym przez odpowiednie połączenie fotorezystora i diody LED, co może być w[...]

Modelowanie wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego na charakterystyki wybranych elementów elektronicznych DOI:10.15199/48.2019.10.29

Czytaj za darmo! »

W otaczającym nas świecie wykorzystuje się coraz więcej urządzeń elektronicznych, które pracują przy coraz niższych wartościach napięcia zasilającego. W ślad za obniżaniem wartości tego napięcia maleje odporność układów elektronicznych na zakłócenia pochodzące od zewnętrznych pól elektromagnetycznych [1, 2]. Źródłem tych pól mogą być m.in. urządzenia łączności bezprzewodowej lub impulsowe układy zasilające, ale także wyładowania atmosferyczne lub oddziaływania wiatru słonecznego z atmosferą ziemską. Do oceny wpływu zewnętrznych pól elektromagnetycznych na właściwości urządzeń elektronicznych niezbędne są modele elementów elektronicznych dedykowane do programów analizy układowej uwzględniajace te zjawiska. Programem powszechnie stosowanym w analizie układów elektronicznych jest SPICE [3, 4]. Jednak wbudowane w tym programie modele elementów elektronicznych nie uwzględniają wpływu rozważanych pól elektromagnetycznych [5]. W literaturze, np. [6, 7, 8, 9] opisano koncepcję tworzenia tzw. modeli hybrydowych, które umożliwiają uwzględnienie dodatkowych, pomijanych w modelach wbudowanych w programie SPICE, zjawisk fizycznych, istotnych z punktu widzenia konkretnej aplikacji. Przykładowo, w pracach [6 - 11] pokazano sposób uwzględnienia wpływu zjawiska samonagrzewania na charakterystyki wybranych przyrządów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy zaproponowano sposób modelowania statycznych i dynamicznych charakterystyk elementów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu wpływu zewnętrznego pola elektromagnetycznego. Na przykładzie diody przedstawiono postać takiego modelu oraz zaprezentowano i skomentowano wyniki obliczeń wykonanych przy wybranych wartościach parametrów charakteryzujących zewnętrzne pole elektromagnetyczne. Koncepcja modelowania Jak zaznaczono we Wprowadzeniu, do modelowania właściwości przyrządów półprzewodnikowych przy uwzględnieniu nowych, pomijanych dotychczas zjawisk fizycznych można zastosować, znaną z li[...]

 Strona 1