Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"Krystian PAVŁOV"

Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC DOI:10.15199/48.2019.09.38

Czytaj za darmo! »

Ocena jakości powierzchni materiałów trawionych za pomocą metod suchego usuwania warstw wspomaganego plazmą jest jednym z ważniejszych tematów z punktu widzenia poprawności działania przyrządów wytwarzanych przy użyciu tej techniki. Podłoża krzemowe, na których opiera się większość produkcji układów półprzewodnikowych, zostały już dokładnie zbadane pod tym kątem [1]. Rozwój przyrządów mocy spowodował konieczność użycia innych materiałów. W tego rodzaju aplikacjach sięga się po materiały szerokopasmowe [2-3]. Problematyka suchego trawienia takich materiałów nie jest szeroko opisana w literaturze. Najlepsze rezultaty osiąganie są poprzez zastosowanie reaktorów ICP (ang. inductively coupled plasma) [4], które zapewniają wysoką szybkość trawienia warstw. Niestety, dostęp do tego typu urządzeń jest bardzo ograniczony. Jednakże, w wielu przypadkach proces RIE może okazać się wystarczający [5], co więcej, może pozostawić powierzchnię materiału całkowicie wolną od wad spowodowanych plazmą. Węglik krzemu (SiC) jest jednym z materiałów używanych do konstrukcji przyrządów elektroniki dużej mocy, pracujących w wysokiej temperaturze, a także wysokiej częstotliwości. Dzieje się tak z powodu szerokiego pasma energii zabronionych, dużej prędkości nasycenia nośników oraz wysokiego napięcia przebicia [6-7]. Ze względu na swoją odporność chemiczną, optymalizacja suchego procesu trawienia węglika krzemu jest niezwykle trudna pod względem jakości powierzchni. Powoduje to konieczność scharakteryzowania każdego procesu trawienia pod kątem danego zastosowania w przyrządzie półprzewodnikowym. Mokre trawienie węglika krzemu jest nieskuteczne ze względu na wysoką odporność chemiczną tego materiału. Praktycznie nie jest możliwe uzyskanie ani[...]

Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej DOI:10.15199/48.2019.10.36

Czytaj za darmo! »

Procesy odwzorowania kształtów od lat stanowią jeden z najważniejszych nurtów rozwoju mikroelektroniki, nie tylko krzemowej, ale również tej, opartej na innych półprzewodnikach [1]. Konieczność wytwarzania coraz to nowszych generacji układów scalonych, zwiększania ich możliwości poprzez poprawę prędkości działania, integracji funkcji, wymusza opracowywanie coraz to nowszych technik, zarówno w procesach litografii jak i trawienia. Rodzaj docelowej struktury i jej funkcja, narzucają parametry i przebieg procesu trawienia. Z jednej strony może to być trawienie bardzo głębokich wzorów, o różnym stosunku szerokości do głębokości a także trawienie w celu uzyskania odpowiedniego nachylenia ścian oraz jakości powierzchni po trawieniu. Wynika z tego, że każdy proces powinien być od początku zaprojektowany pod kątem konkretnej technologii. Co więcej, należy zwrócić uwagę na materiały, które są trawione, tak aby dobrać odpowiednie gazy robocze, rodzaj wzbudzenia plazmy, moc i inne parametry, czyli najogólniej mówiąc, zestaw parametrów wejściowych procesu. Ponadto dobór parametrów nie powinien być opracowywany w oderwaniu od procesu litografii, w którym definiujemy maskę, która spowodować ma uzyskanie przez nas założonych wyników (między innymi wzorów). Dlatego w projektowaniu technologii trawienia koniecznie jest uwzględnienie materiału maskującego i jego właściwości takich jak grubość, odporność na trawienie (selektywność), oraz jakość uzyskanego wzoru. W prezentowanej pracy zbadany został wpływ materiałów maskujących na dokładność odwzorowania kształtów podczas procesów plazmowego trawienia węglika krzemu. Materiał ten jest jednym z wiodących, jeśli chodzi o zastosowanie w przy[...]

 Strona 1