Wyniki 1-3 spośród 3 dla zapytania: authorDesc:"Agnieszka Walkiewicz-Pietrzykowska"

Otrzymywanie i właściwości cienkich warstw a-SiC:H nanoszonych w procesie RP-CVD z tetrametylodisilaetylenu

Czytaj za darmo! »

Warstwy węglika krzemu ze względu na swoje unikatowe właściwości optyczne [1], elektryczne [2, 3] i mechaniczne [4, 5] od lat cieszą się szerokim zainteresowaniem. Materiał ten charakteryzuje się dużą odpornością termiczną, chemiczną, wysoką twardością [6÷9] oraz odpornością na przenikanie czynnika korodującego. Warstwy węglika krzemu mogą być efektywnie wytwarzane z prekursorów krzemoorganicznych, stosując różne metody chemicznego nanoszenia z fazy gazowej (CVD), w tym również procesy plazmowe CVD (konwencjonalny oraz selektywny proces plazmowy CVD). Spośród wymienionych metod selektywny proces plazmowy CVD (remote plasma CVD) jest szczególnie atrakcyjny ze względu na możliwość wytwarzania jednorodnych chemicznie i morfologicznie materiałów cienkowarstwowych oraz łatwość kontroli parametrów procesu wzrostu warstwy. Selektywny proces plazmowy CVD różni się zasadniczo od konwencjonalnego procesu plazmowego: wzbudzanie plazmy i wzrost warstwy odbywają się w przestrzennie oddzielonych strefach. Plazma jest wytwarzana w atmosferze prostego gazu reaktywnego, jak np.: H2, [10, 11], N2 [10, 12], O2 [10], albo gazu szlachetnego, jak np.: Ar [13], He [10] i jest ona źródłem jednorodnego, elektrycznie obojętnego inicjatora, którym mogą być powstałe w rezultacie dysocjacji atomy wodoru, tlenu, azotu lub wzbudzone atomy gazu szlachetnego o znanej energii wzbudzenia. Separowane z plazmy atomy inicjatora wpływają do zasilanej substratem strefy wolnej od plazmy, gdzie następuje inicjowanie procesu CVD. W pracy przedstawione są rezultaty badań nad wytwarzaniem amorficznego węglika krzemu (a-Si:C:H) z 1,1,4,4-tetrametylodisilaetylenu (TMDSE) w selektywnym procesie plazmowym, inicjo[...]

Osadzanie i właściwości materiałów cienkowarstwowych otrzymywanych w procesie RP-CVD z różnych prekursorów krzemoorganicznych

Czytaj za darmo! »

Cienkie warstwy węglika krzemu a-SiC:H i węgloazotku krzemu a-SiCN:H ze względu na swoje unikatowe właściwości użytkowe od lat cieszą się szerokim zainteresowaniem. Warstwy te charakteryzują się dobrą odpornością termiczną, duża twardością, małym współczynnikiem tarcia i odpornością na działanie kwasów i zasad. Warstwy węglika krzemu i węgloazotku krzemu są najczęściej otrzymywane metodami chemicznego nanoszenia z fazy gazowej (CVD), takimi jak np. proces fotochemiczny [1], termochemiczny [2], plazmochemiczny [3] oraz stosowany przez autorów prezentowanej pracy selektywny proces plazmowy CVD [4÷11]. Selektywny proces CVD nanoszenia cienkich warstw wyróżnia się spośród pozostałych metod łatwością kontroli parametrów procesu oraz jakością i jednorodnością powstających materiałów. Powłoki a-SiC:H i a-SiCN:H były otrzymywane z różnych jednoźródłowych prekursorów krzemoorganicznych (silany, karbosilany, silazany i aminosilany) różniących się między sobą strukturą i budową chemiczną. W prezentowanej pracy przedstawiono wyniki badań cienkich warstw węglika krzemu a-SiC:H i węgloazotku krzemu a-SiCN:H otrzymanych z różnych jednoźródłowych prekursorów krzemoorganicznych w selektywnym procesie CVD inicjowanym atomowym wodorem. Zakres badań obejmował określenie wpływu temperatury na strukturę chemiczną i właściwości fizyczne i fizykochemiczne powstających cienkich warstw. Część Doświadczalna Warstwy wytwarzano w selektywnym procesie plazmowym CVD inicjowanym atomowym wodorem. Stosowano następujące parametry procesu: ciśnienie panujące w reaktorze p = 85 Pa, szybkość przepływu gazu nośnego - wodoru F(H2) = 100 sccm (standardowy centymetr sześcienny na minutę), szybkość przepływu prekursora F = 0,3÷0,8 sccm, moc mikrofalowa zasilania plazmy P = 120 W. Warstwy były osadzane na modelowych podłożach z krystalicznego krzemu (c-Si) i stali chirurgicznej, na podłożach o złożonej geometrii w celu zbadania konforemności odwzorowania powierzchn[...]

 Strona 1