Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"KINGA ZAWADZKA"

Utlenianie materiału termoelektrycznego CoSb3 z warstwą Cr-5Si nanoszoną metodą PVD


  Ochrona przed Korozją, vol. 54, nr 6 323 pomocy skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM), rentgenowskiej analizy fazowej (XRD) oraz mikroanalizy rentgenowskiej (EDS). 3. Wyniki badań i dyskusja Obraz przełomu próbki z naniesioną warstwą Cr-5Si w świetle elektronów odbitych (BEI) przedstawia rys. 1. Powłoka ma jednorodną grubość, zbudowana jest z gęsto upakowanych podłużnych kryształów zorientowanych prostopadle względem powierzchni podłoża, wykazuje dobrą przyczepność i pozbawiona jest makrodefektów. Według półilościowej analizy EDS z przekrojów próbek, powłoki są jednorodne pod względem składu chemicznego i fazowego (95%at. Cr i 5%at. Si). Dyfraktogram z powierzchni próbki bezpośrednio po naniesieniu powłoki, uwidacznia dwie fazy: CoSb3 oraz α-Cr o strukturze A2. Poszerzone refl eksy świadczą o submikronowych wielkościach krystalitów tworzących powłokę. Z nielicznych dostępnych w literaturze informacji oraz systematycznych badań przeprowadzonych ostatnio przez autorów niniejszej pracy wiadomo, że CoSb3, podczas wygrzewania w atmosferze zawierającej tlen, w temperaturze powyżej 500°C, ulega utlenianiu z utworzeniem wielowarstwowej zgorzeliny, złożonej z tlenków antymonu oraz tlenków antymonowo-kobaltowych [4]. Na podstawie dyfraktogramów z powierzchni próbek z powłoką Cr-5Si utlenianych w powietrzu w temperaturze 500°C przez 80 godz., nie stwierdzono obecności tlenków charakterystycznych dla zgorzeliny narastającej na materiale niechronionym. Zarejestrowane refl eksy pochodziły od faz CoSb3, α-Cr oraz Cr2O3. Systematyczne obserwacje mikroskopowe oraz mikroanalizy rentgenowskie przełomów i zgładów,[...]

Warstwy (Cr-Si)O nanoszone techniką magnetronową na CoSb3


  Materiał podłożowy - związek międzymetaliczny CoSb3, należący do grupy skutterudytów - został otrzymany w laboratoriach Wydziału Inżynierii Materiałowej i Ceramiki AGH drogą bezpośredniej syntezy z pierwiastków oraz spiekania na gorąco. Przygotowanie powierzchni próbek do nakładania warstw metodą rozpylania magnetronowego, obejmowało polerowanie pastami diamentowymi o uziarnieniu do 1 μm, odtłuszczanie w acetonie oraz mycie w płuczce ultradźwiękowej. Do procesu osadzania wybrano targety chromowo-krzemowe o zawartości krzemu 5 oraz 40% at. Targety Cr-Si otrzymano z proszków Cr i Si zmieszanych w odpowiednim stosunku stechiometrycznym i spiekanych metodą prasowania na gorąco pod ciśnieniem 25 MPa w temperaturze 1873K (Cr-5Si) lub 1673K (Cr-40Si). Procesy rozpylania prowadzono przez 30 min. w atmosferze argonu (target Cr-5Si) oraz w atmosferze Ar+O2 (targety Cr-5Si oraz Cr-40Si) przy użyciu magnetronu WMK-50 z zasilaczem impulsowym firmy DORA. Warstwy zawierające tlen oznaczono w tekście odpowiednio, jako (Cr-5Si)O oraz (Cr-40Si)O. Ciśnienie mieszaniny reakcyjnej było utrzymywane na poziomie 7,0 - 10-3 mbar, temperatura podłoża wynosiła 473K, natężenie prądu katodowego 0,7 A, natomiast moc wydzielana na targecie wynosiła 0,63 kW. Wybrane próbki dodatkowo wygrzewano w temperaturze 673K przez 6 godz. w atmosferze argonu (10 Pa), w celu wytworzenia połączenia dyfuzyjnego, na granicy rozdziału (Cr-Si)O/ CoSb3. Próbki z warstwami poddawano utlenianiu w powietrzu w temperaturze 773 oraz 873K przez 20…[...]

 Strona 1