Wyniki 1-8 spośród 8 dla zapytania: authorDesc:"Mariusz Dudek"

Wpływ parametrów osadzania na właściwości warstw ITO wytwarzanych w procesie reaktywnego rozpylania magnetronowego typu pulse-DC

Czytaj za darmo! »

Domieszkowany cyn. tlenek indu wyst.puj.cy w literaturze pod angloj.zycznym akronimem ITO (ang. indium tin oxide) jest wysoko zdegenerowanym, z szerok. przerw. energetyczn., po.przewodnikiem typu n o relatywnie niskiej rezystancji (ƒĎ = 10.3€10.4 ƒ¶ cm) i wysokiej transmitancji w .wietle widzialnym (typowo >80%) [1, 2]. Dzi.ki tym unikatowym w.a.ciwo.ciom ITO jest jedn. z najwa.niejszych cienkich warstw z rodziny transparentnych przewodz.cych tlenkow (ang. transparent conducting oxides . TCO). Znalaz. on szerokie zastosowanie jako materia. elektrod w przyrz.dach optoelektronicznych, takich jak wy.wietlacze ciek.okrystaliczne (LCD . Lliquid Crystal Display), diody emisyjne (LED . Light- Emitting Diodes), wy.wietlacze elektroluminescyjne (ELD . Electroluminescent Displays), czy p.askie panele wy.wietlaj.ce (np. [3€5]). W.a.ciwo.ci optyczne i elektryczne ITO bardzo silnie zale.. od warunkow wzrostu warstwy. W wyniku tego wiele ro.nych technik osadzania jest u.ywanych do wytworzenia warstw o wysokiej jako.ci. Mo.na do nich zaliczy. mi.dzy innymi reaktywne odparowywanie, osadzanie za pomoc. wi.zki jonow, osadzanie metodami CVD i rozpylania magnetronowego [1, 6]. Ostatnia metoda jest szeroko wykorzystywana ze wzgl.du na dobr. powtarzalno.. i wysok. jako.. warstw oraz mo.liwo.. u.ycia dodatkowego napi.cia polaryzuj.cego pod.o.e [7€14]. Zastosowanie dodatkowego wy.adowania jarzeniowego cz.stotliwo.ci radiowej (ang. radio frequency . RF) w obszarze probki . polaryzacji RF pod.o.a, jest skutecznym sposobem prowadz.cym do wytwarzania transparentnej i przewodz.cej warstwy ITO bez dodatkowego wygrzewania w trakcie b.d. po procesie osadzania [11€14]. Nasuwa si. pytanie, czy mo.na w temperaturze pokojowej wytworzy. ITO bez wspomagania procesu plazm. RF. Interesuj.cym rozwi.zaniem jest zmiana sposobu zasilania magnetronu, a konkretnie zast.pienie sta.opr.dowego (ang. direct curre[...]

Modelowanie metodą elementów skończonych naprężeń własnych w warstwach węglowych osadzanych na stali medycznej

Czytaj za darmo! »

Wysoka wartość naprężeń mechanicznych występujących w osadzanych warstwach prowadzi poprzez pękanie i odwarstwienie do ich całkowitego zniszczenia, co znacząco organicza praktyczne wykorzystanie warstw węglowych. Od wielu lat są prowadzone badania mające na celu zredukowanie naprężeń bez pogorszenia pozostałych własności mechanicznych i biologicznych warstw poprzez modyfikacje procesu osadzan[...]

Kontrola temperatury powierzchni próbki w procesie RF PECVD przy użyciu kamery termowizyjnej

Czytaj za darmo! »

Wytwarzanie warstw w procesie plazmochemicznym PE CVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ma wiele zalet, spośród których najważniejszą jest możliwość wytworzenia fazy przejściowej zbudowanej z połączonych składników podłoża ze składnikami wzrastającej warstwy, odpowiedzialnej w szczególności za dobrą adhezję wytwarzanej warstwy do podłoża. Jednym z najważniejszych czynników, mających wpływ na grubość tworzącej się międzywarstwy w trakcie procesu osadzania warstwy węglowej jest rodzaj oraz temperatura podłoża [1-5]. Ze względu na inherentną złożoność tej technologii i konieczność optymalizacji procesu dla każdego indywidualnego układu warstwa-podłoże, procesy te nie zaistniały w pełni na skalę przemysłową. Zewnętrznie kontrolowane parametry procesu w reaktorze plazmoc[...]

Analiza przewodności cieplnej diamentu oraz cienkich warstw DLC

Czytaj za darmo! »

Diament, najbardziej fascynująca postać węgla, już od wieków rozpalał wyobraźnię ludzi przede wszystkim jako cenny surowiec sztuki jubilerskiej. Unikatowe właściwości diamentu, takie jak wysoka twardość (100 GPa), wysoki współczynnik przewodnictwa cieplnego (600÷2000 W/mK), obojętność chemiczna oraz przezroczystość sprawiły, iż obecnie jest on stosowany w najbardziej ekstremalnych warunkach w optyce, optoelektronice (lasery), mikroelektronice (układy scalone, tranzystory), przemyśle narzędziowym (wiertła, narzędzia do cięcia szkła, noże diamentowe) oraz w medycynie. Rosnące zainteresowanie diamentem w wielu branżach przemysłu sprawiło, iż od kilku dekad są prowadzone intensywne badania poświęcone wytwarzaniu w sztucznych warunkach diamentu oraz cienkich warstw, strukturą i właściwościami przypominających naturalny diament. Do najbardziej rozpowszechnionych technik wytwarzania diamentów na skalę przemysłową należy metoda detonacyjna. Jednakże ze względu na specyfikę procesu nie może być ona uży ta do kształtowania spójnej warstwy powierzchniowej na bazie diamentu. Do wytwarzania cienkich warstw zostały z powodzeniem wykorzystane procesy chemicznego oraz fizycznego osadzania z fazy gazowej. Między innymi do wytwarzania warstw polikrystalicznego diamentu od wielu lat są stosowane procesy CVD (Chemical Vapour Deposition) z gorącym włóknem oraz wspomagane wyładowaniem wysokiej częstotliwości - plazmą mikrofalową, częstotliwością radiową oraz ich równoczesnym wykorzystaniem w jednym procesie [1÷5]. W przypadku procesów PVD (Physical Vapour Deposition) do najbardziej rozpowszechnionych należy zaliczyć metodę łukową oraz rozpylanie magnetronowe [6, 7]. Właściwości warstw wytwarzanych w procesach PECVD i PVD, w zależności od zewnętrznie kontrolowanych parametrów tych procesów, zmieniają się w bardzo szerokim zakresie. Ma to swoje odzwierciedlenie w stosowanym nazewnictwie. Do najbardziej znanych należy zaliczyć określenie diamentopod[...]

Odwrotna analiza numeryczna temperatury stalowego podłoża w procesie RF PECVD

Czytaj za darmo! »

Procesy plazmochemiczne (plasma enhanced chemical vapor deposition - PECVD) są zaliczane do jednych z najbardziej rozwijanych współcześnie metod kształtowania warstwy powierzchniowej. Między innymi proces PECVD z elektrodą częstotliwości radiowej (ang. radio frequency - RF) są stosowane z powodzeniem do wytwarzania cienkich warstw o wysokich walorach użytkowych, w tym do wytwarzania warstw węglowych. Do największych zalet procesu RF PECVD należy zaliczyć możliwość wytworzenia fazy przejściowej zbudowanej z połączonych składników podłoża ze składnikami wzrastającej warstwy, odpowiedzialnej w szczególności za dobrą adhezję wytwarzanej warstwy do podłoża. Zewnętrznie kontrolowane parametry procesu w reaktorze plazmo- chemicznym, a mianowicie ciśnienie, szybkość przepływu mieszaniny gazów, moc wyładowania (gęstość mocy) oraz częstotliwość zasilającego generatora, mające fundamentalny wpływ na procesy zachodzące w fazie gazowej [1, 2], wpływają także na zachodzące oddziaływanie na granicy plazmy i powierzchni, w szczególności na wzrost temperatury podłoża w trakcie trwania procesu [3÷5]. W przypadku warstw węglowych wytwarzanych w procesie RF PECVD, temperatura podłoża również determinuje właściwości użytkowe wytwarzanej warstwy przez zmianę jej mikrostruktury oraz grubości tworzącej się międzywarstwy [6÷8]. Przekroczenie pewnej krytycznej wartości temperatury powierzchni próbki, powoduje, iż wodór celowo wprowadzony do komory lub powstały w wyniku dysocjacji gazu węglowodorowego, będącego źródłem węgla, prowadzi do przejścia od procesu osadzania do procesu trawienia warstwy węglowej [9, 10]. Zauważono, że osadzanie warstw w temperaturze powyżej 225°C (przybliżona wartość temperatury, przy której zachodzi przejście od procesu wzrostu do procesu trawienia wytwarzanej warstwy węglowej) wpływa na szybki spadek oporności elektrycznej i znaczące zmiękczenie warstw - następuje proces grafityzacji warstwy węglowej [2, 6, 11]. Dlatego osa[...]

Porównanie właściwości tribologicznych warstw węglowych nanoszonych za pomocą różnych technologii plazmowych

Czytaj za darmo! »

Warstwy węglowe, a w szczególności diamentopodobne warstwy węglowe (Diamond-Like Carbon - DLC) ze względu na posiadane właściwości fizykochemiczne, mechaniczne oraz tribologiczne (mały współczynnik tarcia oraz bardzo duża odporność na zużycie [1]) znalazły szerokie zastosowanie w wielu gałęziach życia codziennego. Warstwy węglowe mogą być wytwarzane w procesach chemicznego i fizycznego osadzania z fazy gazowej (Chemical, and Physical Vapour Deposition - CVD i PVD, odpowiednio), a także w procesach będącymi ich modyfikacjami [2÷8]. Warstwy te są wytwarzane w procesach CVD aktywowanych plazmą wzbudzaną częstotliwością radiową (Radio Frequency Plasma Enhanced CVD - RF PECVD), mikrofalową (Microwave Plasma Enhanced - MW PECVD), jak również plazmą dwóch częstotliwości - mikrofalową i częstotliwości radiowej (tzw. proces MW/RF PECVD). W zależności od zastosowanej metody oraz zewnętrznie kontrolowanych parametrów procesu wytwarzania uzyskuje się warstwy DLC o bardzo różnej strukturze, właściwościach fizykochemicznych, a co za tym idzie różnych właściwościach wytrzymałościowych i tribologicznych. Należy pamiętać, że na właściwości tribologiczne ma również wpływ rodzaj podłoża, na którym są osadzone warstwy DLC. W celu zapewnienia dobrej adhezji warstwy do podłoża, a także zredukowania naprężeń w układzie warstwa-podłoże stosuje się dodatkowe bombardowanie jonami [9] oraz dodatkową warstwę [10]. Otrzymane w ten sposób warstwy charakteryzują się szczególnymi właściwości powierzchniowymi [11, 12]. W pracy warstwy węglowe były wytwarzane na różnych podłożach z wykorzystaniem procesów RF PECVD, MW/RF PECVD oraz w procesie RF PECD wspomaganym rozpylaniem magnetronowym tytanowego targetu (tzw. proces MS/RF PECV) w celu wytworzenia odpowiedniej międzywarstwy w strukturze warstwa węglowa-podłoże. W powiązaniu z rodzajem podłoża i metodą wytwarzania warstwy węglowej były badane właściwości tribologiczne tych warstw. OPIS EKSPERYMENTU Prepar[...]

Metoda niskociśnieniowej rafinacji krzemu

Czytaj za darmo! »

Krzem jest znany ze swoich własności półprzewodnikowych, dzięki którym wraz ze wzrostem temperatury maleje jego oporność [1]. Na świecie istnieje wiele metod rafinacji krzemu. Otrzymanie krzemu o czystości 99,9999% Si daje możliwość zastosowania go w takich urządzeniach jak ogniwa słoneczne, a krzem o czystości 99,999999999% Si jest stosowany do produkcji mikroprocesorów komputerowych [2]. Mimo różnorodności metod wciąż są prowadzone badania nad uzyskaniem wysokogatunkowego krzemu o jak najmniejszym stosunku ceny surowca do jego czystości. Pierwszymi komercyjnie zastosowanymi metodami rafinacji krzemu były metody Czochralskiego, Bridgmana-Stockbargera oraz metoda topienia strefowego [3]. Obecnie dwie metody otrzymywania krzemu o dużej czystości 99,9999999% Si wiodą prym na rynku światowym. Jedną z nich jest metoda Siemensa [3] wykorzystująca trichlorosilan, wodór oraz HCl do produkcji krzemowych prętów, natomiast drugą jest metoda fluidalnego złoża, w której trichlorosilan zastąpiono silanem. W pierwszej metodzie pręty krzemowe o czystości 99,9999999% Si powstają dzięki reakcjom chemicznym zachodzącym w dwóch oddzielnych komorach reakcyjnych. Do pierwszej komory jest podawany sproszkowany krzem metalurgiczny, który w reakcji chemicznej z kwasem solnym HCl w temperaturze 589,15 K tworzy gazowy trichlorosilan. Trichlorosilan dzięki chłodnicy znajdującej się w górnej części komory ulega skropleniu i w takiej formie jest podawany wraz z wodorem do drugiej komory reakcyjnej. W wyniku reakcji chemicznej zachodzącej w temperaturze 1273,15 K powstaje czysty krzem, który osiada na specjalnym pręcie przypominającym swym kształtem odwróconą literę U, dzięki czemu dochodzi do równomiernego wzrostu objętości tego pręta. Po procesie trwającym 24 h pręt jest wyciągany z komory, kruszony i przetapiany w celu otrzymania polikrystalicznej sztaby krzemowej o prostokątnym przekroju. Krzem w takiej formie stanowi przeważnie surowiec do otrzymani[...]

 Strona 1