Wyniki 1-10 spośród 37 dla zapytania: authorDesc:"A. NOGA"

Emisja zaburzeń promieniowanych przez obwody drukowane – przykład analizy numerycznej

Czytaj za darmo! »

Artykuł poświęcono analizie wpływu nieciągłości płaszczyzny masy w wielowarstwowych obwodach drukowanych na poziom promieniowania elektromagnetycznego i jakość sygnałów w układzie. Do wyznaczenia poziomów emisji zaburzeń promieniowanych zastosowano metody numeryczne. Wykonano analizę testowego obwodu drukowanego dla kilku konfiguracji linii pobudzanych rzeczywistymi sygnałami cyfrowymi. Abstract. This paper describes influence of the multilayer PCB layout on radiated emissions level and quality of signals in the circuit. Numerical methods are used for analysis of radiated emissions level from a few testing PCB’s excited by real digital waveforms. (Influence of the multilayer PCB layout on radiated emissions level and quality of signals in the circuit). Słowa kluczowe: obwody dr[...]

Szerokopasmowa analiza impedancji obwodów zasilania w wielowarstwowych obwodach drukowanych

Czytaj za darmo! »

Artykuł poświęcono analizie impedancji obwodów zasilania w obwodach drukowanych (PCB - Printed Circuit Board). Wykonano symulacje dla kilku testowych konfiguracji PCB, a wyniki obliczeń numerycznych porównano z wynikami pomiarów wykonanych z zastosowaniem wektorowego analizatora obwodów. Przebadano wpływ wybranych parametrów układu na przebieg impedancji obwodu zasilania. Abstract. In this paper the power integrity problems of printed circuit board (PCB) are investigated. Power distribution network (PDN) impedance of a few testing configurations of PCB is numerically analyzed and compared with measurements. An influence of selected parameters of the circuit on PDN impedance is examined. (Power integrity problems of printed circuit board) Słowa kluczowe: obwody drukowane, obwody zasilania, integralność obwodów zasilania. Keywords: printed circuit board (PCB), power delivery network (PDN), power integrity (PI). Wstęp W wielowarstwowych obwodach drukowanych, jakie powszechnie stosuje się obecnie w zaawansowanych urządzeniach elektronicznych, obwody zasilania wykonywane są najczęściej w postaci płaszczyzn masy i zasilania [1, 2], jak to pokazano przykładowo na rysunku 1. Obwody te powinny zapewnić stabilne i pozbawione zakłóceń napięcie, niezależnie od zmian poboru prądu, co wymaga oczywiście niskiej impedancji sieci zasilającej [1]. Zmienny w czasie i impulsowy charakter prądu pobieranego przez układy cyfrowe pociąga za sobą konieczność zapewnienia niskiej impedancji w szerokim paśmie częstotliwości, do czego służyć mają kondensatory odsprzęgające, umieszczane przeważnie w bezpośrednim sąsiedztwie wyprowadzeń zasilania układów cyfrowych. Zbyt duża impedancja sieci zasilającej powodować może spadki napięcia zasilania do poziomu niższego niż wymagany do prawidłowej pracy urządzeni[...]

Warunki geotechniczne podłoża na terenie śluzy Rudziniec po powodzi w 2010 r.


  W artykule przedstawiono warunki geotechniczne w podłożu śluzy Rudziniec dla potrzeb projektowanej jej modernizacji po powodzi z 2010 r. Śluza ta jest zlokalizowana w strefie krawędzi tarasów rzecznych doliny rzeki Kłodnicy i Kanału Gliwickiego, gdzie występowały procesy osuwiskowe, z powodu znacznej infiltracji opadów atmosferycznych i nadmiernego zwilgocenia gruntów.Śluza Rudziniec jest zlokalizowana na Kanale Gliwickim w pobliżu miejscowości Rudziniec, w województwie śląskim. Jest to śluza dwukomorowa bliźniacza o długości 71,40 m i szerokości 12,00 m oraz wysokości ścian komór 10,05 m. Przy stanie normalnym głębokość wody na progu górnym wynosi 3,10 m, a głębokość dla wody na progu dolnym - 3,15 m. Spad wody natomiast jest przy 6,25 m. Przy projektowanych pracach modernizacyjnych śluzy Rudziniec po powodzi z 2010 r., nasyp budowlany stanowi dla wykonawców istotny problem, ze względu na potencjalne procesy osuwiskowe, które w tym nasypie występowały już kilkakrotnie w przeszłości [1]. Na przykład w 1983 r., w czerwcu, powstało tu osuwisko koło śluzy Rudziniec, w pobliżu progu dolnego śluzy, na odcinku gdzie dolny awanport przechodził w regularny kanał żeglugowy. Osuwisko spowodowało uszko- Rys. 1. Lokalizacja śluzy Rudziniec na Kanale Gliwickim 284 Gospodarka Wodna nr 7/2012 dzenie drogi dojazdowej na długości ok. 50 m, a także naruszyło równowagę skarpy i jej zmiany linii brzegowej, które zagrażały bezpieczeństwu odbywającej się żeglugi na Kanale Gliwickim. Wykonane w 2010 r. we wrześniu badania geotechniczne wykazały zmiany strukturalne i wilgotnościowe w gruntach nasypowych i rodzimych gruntach in situ. Rozpoznanie warunków geotechnicznych ma tu istotne znaczenie nie tylko pod k[...]

Analiza wpływu połączeń radiatora z płaszczyzną odniesienia na poziomy emisji promieniowanej

Czytaj za darmo! »

W artykule omówiono wpływ liczby i rozmieszczenia poła˛czen´ radiatora z płaszczyzna˛masy na poziom emisji promieniowanej. Analize˛ przeprowadzono dla kilku konfiguracji układu, dla których pokazano wyniki pomiarów i oblicze´n numerycznych. Abstract. Influence of the number of ground points and its location on heat sink radiation is presented. The analysis is performed for a few heat sink configurations and some numerical and experimantal reasults are also presented. (Analysis of the influence of heat sink ground connection on radiated emission). Słowa kluczowe: Radiatory, zaburzenia promieniowane, kompatybilno´s´c elektromagnetyczna. Keywords: Heat sinks, radiated emissions, electromagnetic compatibility. Wprowadzenie Wraz ze wzrostem szybko´sci taktowania układów scalonych (IC), zwi˛eksza si ˛e ich stopie ´n scalenia przy jednoczesnym zmniejszaniu napi˛e´c zasilania. Przekłada si ˛e to wszystko na coraz wi˛eksze straty mocy w postaci ciepła. Obecnie moc wytracana, w postaci ciepła, przez układy o bardzo du˙zym stopniu scalenia (VLSI, ASIC, uP) przekracza 130 W. Zapewnienie bezpiecznej temperatury pracy urza˛dzen´ wymaga zatem stosowania wydajnych radiatorów o coraz to wi˛ekszych rozmiarach i specjalizowanej geometrii. Zwie˛kszaja˛c liczbe˛ z˙eber i zmieniaja˛c ich kształt zwi˛eksza si ˛e współczynnik konwekcji, co w znacznym stopniu wpływa na efektywno´s´c rozpraszania energii/ciepła. W wi˛ekszo´sci przypadków kształt typowego radiatora zbli˙zony jest jednak do prostopadło´scianu z o˙zebrowaniem pionowym i poziomym. Obecnie wymiary radiatorów przekraczaja˛ 160×140×150 mm (długo´s´c × szeroko´s´c × wysoko´s´c). Współczesne układy przetwarzaja˛ sygnały z cze˛stotliwos ´ciami dochodza˛cymi do 4,2 GHz. Dla takich cze˛stotliwo ´sci długo´s´c fali λ jest mniejsza ni˙z 7,5 cm. Rozmiary IC s ˛ a zwykle na tyle małe, ˙ze nawet dla tak du˙zych cze˛stotliwos´ci pracy same układy nie moga˛ byc´ z´ródłem zaburze´n promieniowanych. Je[...]

Influence of heat sink dimensions and source location on the radiated emission DOI:10.12915/pe.2014.07.029

Czytaj za darmo! »

In this paper, influence of heat sink dimensions and source location on radiated emission is presented. Some numerical and experimental results show radiated electric field for different heat sink configurations. Streszczenie. W artykule omówiono wpływ zmiany lokalizacji pobudzenia i zmiany rozmiarów radiatorów na poziom emisji promieniowanej. Analizę przeprowadzono dla kilku konfiguracji źródła ciepła i radiatora, dla których pokazano wyniki pomiarów i obliczeń numerycznych. (Wpływ rozmiarów radiatora i miejsca włączenia pobudzenia na poziom emisji promieniowanej). Keywords: Heat sinks, numerical modeling, electromagnetic compatibility, radiated emissions, EMI. Słowa kluczowe: Radiatory, model numeryczny, kompatybilność elektromagnetyczna, zaburzenia promieniowane. doi:10.12915/pe.2014.07.29 Introduction The continuing growth of IC (Integrated Circuit) performance, i.e. scale of integration and clock speed, results in high power consumption. Nowadays, the power dissipated by the processors reaches level of 130W and still increases. It causes huge heat generation by modern IC (CPU, VLSI, ASIC, etc.). Each of them have a limited operating temperature, and usually the heat needs to be dissipated through a heat sink. On the other hand, the rapid switching capability of modern semiconductor devices results in very fast voltage and current variations. Therefore the high-speed IC may be the source of EMI (ElectroMagnetic Interferences). The capacitive couplings between IC and the heat sink are responsible for common-mode currents and voltages which act on conducting structures such as heat sinks [1]. Since, wavelength of these signals are comparable to heat sink dimensions, the heat sinks can be very effective non intuitive antennas. For this reason, heat sink design has become one of the major concerns in electromagnetic compatibility [1,2] of ICs and electronic modules. The level of electromagnetic (EM) field radiated by heat sink[...]

Implementacja metody momentów z wykorzystaniem kart graficznych i architektury CUDA DOI:10.15199/48.2015.03.08

Czytaj za darmo! »

W artykule omówiono możliwości zastosowania kart graficznych do przyspieszania obliczeń numerycznych bazujących na metodzie momentów. Opisano algorytmy metody momentów implementowane w heterogenicznym środowisku CPU/GPU oraz przeprowadzono szczegółowa˛ analizę mo˙zliwych do uzyskania przyspiesze´n dla ró˙znych generacji architektury CUDA. Abstract. The using of GPU to accelerate of the numerical simulations based on the Method of Moments (MoM) is presented in this paper. Implementation of the MoM in heterogeneous CPU/GPU platform and the measured speedups for the three generation of CUDA architecture is also demonstrated. (Implementation of the Method of Momentsof on GPU with CUDA architecture) Słowa kluczowe: metoda momentów, procesory graficzne GPU, CUDA, akceleracja oblicze´n Keywords: Method of Moments (MoM), graphics processing unit (GPU), CUDA, GPU acceleration Wprowadzenie W chwili obecnej, w wielu dziedzinach działalno´sci in- ˙zynierskiej na etapie projektowania coraz wi˛eksze znaczenie odgrywaja˛ badania symulacyjne. Przydatnos´c´ symulacji komputerowych jest szczególnie wyra´znie widoczna w rozwia˛zywaniu zadan´ inz˙ynierii pola elektromagnetycznego (ocena poziomu zakłóce´ n, prognozowanie nara˙ze´ n, badanie zjawiska promieniowania i rozpraszania fal elektromagnetycznych, itp.). Wynika to z faktu, ˙ze metody analityczne maja˛ tutaj bardzo ograniczony zakres zastosowan´ chociaz˙by z tego powodu, z˙e umoz˙liwiaja˛ badanie rozkładu pola tylko w układach wykazuja˛cych okres´lony charakter symetrii i przy zało˙zeniu liniowo´sci, jednorodno´sci i anizotropii ´srodowiska, w którym rozchodzi si ˛e pole elektromagnetyczne. W´sród metod numerycznego modelowania pól elektromagnetycznych chyba najbardziej ugruntowana˛ pozycje˛ maja˛ metody pełnofalowe, tj. metoda momentów, metoda elementów skon´czonych, czy metoda FDTD [1]. Wspólna˛ ułomnos´cia˛ tych metod sa˛ duz˙e wymagania odnos´nie do zasobów komputerowych (pami˛e´c ope[...]

Start-up of SSTC semiconductor tesla coil - an example of an educational project DOI:10.15199/48.2015.12.42

Czytaj za darmo! »

The use of semiconductor elements open up new opportunities associated with construction of semiconductor tesla coils. In the semiconductor Tesla coil, the resonant circuit function and the spark gap functions is taken over by an electronic system. The most common way to power up the Tesla's transformer primary winding is the inverter bridge or half-bridge comprises a pair of MOSFET transistors. Streszczenie. Zastosowanie półprzewodnikowych elementów otwiera nowe możliwości związane z konstrukcją i sposobem działania cewki Tesli. W półprzewodnikowej cewce Tesli funkcję obwodu rezonansowego oraz iskiernik przejmuje układ elektroniczny. Najczęściej spotykanym sposobem zasilenia uzwojenie pierwotne transformatora Tesli jest falownik zwany dalej mostkiem lub pół-mostkiem złożonym z pary tranzystorów MOSFET. (Uruchomienie półprzewodnikowej cewki Tesli- przykład projektu edukacyjnego). Keywords: Tesla coil, educational project, semiconductor systems. Słowa kluczowe: Cewka Tesli, projekt edukacyjny, układy półprzewodnikowy Introduction In the semiconductor Tesla coil resonant circuit function and the spark gap is taken over by an electronic system. The most common way to power up the Tesla transformer primary winding as bridge or half-bridge comprises a pair of MOSFET transistors. Transistor brigde is controlled by an electronic system that enables and disables from selfresonance frequency of the resonator Tesla. As a result, a spark gap and a capacitors in a high voltage become unnecessary[1,2]. The bridge is powered directly from the rectified mains voltage, which eliminates large, expensive and heavy power transformer[3,4]. Another advantage of this system is systemically is carried out feedback that adjusts the resonance frequency of the coil to the switching of frequency MOSFET gate[5]. Fig. 1 bridge based on MOSFET's Schema The bridge circuit The schematic diagram of the two transistors is given in figure 1. This is th[...]

Analiza drgań własnych kół zębatych przekładni lotniczej z uwzględnieniem właściwości cyklicznej symetrii DOI:10.15199/148.2018.11.10


  Zagadnienia drgań poprzecznych kół zębatych stanowią istotny problem w procesie eksploatacji i projektowania szybkoobrotowych przekładni lotniczych [1 - 3]. Wymaga to stosowania na etapie projektowania zaawansowanych technik obliczeniowych, opartych na metodzie elementów skończonych (MES), pozwalających wyznaczyć parametry drganiowe oraz wytrzymałościowe kół [4, 5]. W pracach [1, 2, 6], w procesie analizy drgań układów kołowo-symetrycznych, stosowano modele mające właściwości cyklicznej symetrii. W pracy [3] omawiano możliwości stosowania modeli uproszczonych kół zębatych w symulacji drgań. W niniejszej pracy omówiono drgania własne poprzeczne kół zębatych wybranej przekładni lotniczej. Zasadnicza część pracy dotyczy oceny przydatności zaproponowanych modeli uproszczonych MES rozważanych kół w symulacji drgań. Praca jest kontynuacją prac autorów dotyczących drgań poprzecznych układów kołowo-symetrycznych typu koła zębate [1, 2]. Sformułowanie zagadnienia Zasadniczym celem artykułu jest omówienie metodyki przygotowywania modeli MES kół zębatych z uwzględnieniem właściwości cyklicznej symetrii rozważanych układów. Analizowane koła mają wieniec o zębach skośnych. W pierwszym etapie zostały wykonane modele bryłowe kół w programie CATIA. Następnie uproszczono geometrię modeli, usuwając elementy niewpływające istotnie na zjawisko drgań układów [2, 4, 7]. Na rys. 1 pokazano modele geometryczne rozważanych obiektów, przygotowane do kolejnego etapu procesu Są to tzw. modele podstawowe analizowanych kół. W proponowanych modelach uproszczonych wykorzystuje się właściwości cyklicznej symetrii, jakie można dostrzec po analizie geometrii rozważanych kół. Taki sposób postępowania pozwoli uzyskać znacznie mniejsze (w sensie rozmiaru pliku ze względu na złożoność geometrii) modele MES oraz umożliwi ograniczenie potrzebnych zasobów obliczeniowych maszyn liczących. Pełne nazwy poszczególnych modeli i ich oznaczenie w celu łatwiejszej ide[...]

PRZYKŁADY ODPOWIEDZI IMPULSOWYCH KANAŁU RADIOKOMUNIKACYJNEGO W MIEJSKIM ŚRODOWISKU PROPAGACYJNYM DOI:10.15199/59.2015.8-9.105


  W artykule opisano metodę wyznaczania odpowiedzi impulsowej kanału radiokomunikacyjnego za pomocą sygnału zmodulowanego ciągiem pseudoprzypadkowym. Przedstawiono odpowiedzi kanału wyznaczone w warunkach statycznych oraz przy obracaniu anteny nadawczej w płaszczyźnie poziomej. Porównano odpowiedzi sygnału wyznaczone w warunkach rzeczywistych z symulacjami. 1. WSTĘP Przy projektowaniu cyfrowych systemów radiokomunikacyjnych niezbędna jest znajomość odpowiedzi impulsowej środowiska propagacyjnego. Znajomość odpowiedzi impulsowych pozwala na realizację adaptacyjnych systemów radiokomunikacyjnych. Jak stwierdzono w [1] wyznaczanie odpowiedzi za pomocą sygnałów zbliżonych do delty Diraca jest szczególnie trudne i wymaga stosowania specjalnych metod pomiarowych. W warunkach rzeczywistych, szczególnie w przypadku propagacji sygnału w środowisku zurbanizowanym, górzystym, wewnątrz budynków występuje wielodrogowość. Do odbiornika dociera sygnał w postaci wielu replik o różnych i zmiennych w czasie tłumieniach oraz opóźnieniach. Ważnym parametrem opisującym kanał jest tzw. pasmo koherencji kanału c B . Pasmo to definiowane jest jako zakres częstotliwości, w którym sygnały wejściowe, odległe na osi częstotliwości o mniej niż c B , posiadają na wyjściu kanału skorelowane odpowiedzi amplitudowe i fazowe [3, 5]. Pasmo koherencji można zapisać, jako m c T B 1 - (1) gdzie: m T - jest czasem pamięci kanału, czyli miarą rozrzutu opóźnienia, z jakim przychodzą do odbiornika, wskutek wielodrogowej propagacji, kolejne kopie sygnału nadanego. Parametr m T określa się jako czas, po którym funkcja korelacji maleje, w zależności od definicji, do  1/ e lub do 1/10 swojej wartości maksymalnej [2, 5]. Czas ten często też nazywamy czasem korelacji. Charakteryzuje on w przybliżeniu czas trwania odpowiedzi impulsowej kanału na pobudzenie impulsem w.cz. o bardzo małym czasie trwania. Kolejnym parametrem charakteryzującym [...]

 Strona 1  Następna strona »