Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Jan SZMIDT Wawrzyniec KASZUB"

Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC DOI:10.15199/48.2019.09.37

Czytaj za darmo! »

Węglik krzemu jako materiał półprzewodnikowy jest powszechnie wykorzystywany w konstrukcji przyrządów wysokotemperaturowych i wysokich mocy [1]. Wytwarzanie wysokiej jakości kontaktów omowych do tego materiału jest procesem złożonym i często wymagającym dodatkowych, skomplikowanych operacji takich jak implantacja czy epitaksja wysokodomieszkowanych warstw, starannego przygotowania powierzchni oraz wysokotemperaturowego wygrzewania [2-3]. Procesy wytwarzania kontaktów omowych często projektowane są dla konkretnych specyficznych zastosowań i przyrządów. Najbardziej wymagające pod tym względem są oczywiście przyrządy mocy ze względu na straty generowane na kontaktach niezadowalającej jakości. W pracy tej zbadano wpływ wysokotemperaturowego wygrzewania kontaktów Ti/SiC w dostępnym zakresie temperatur (do 1100 oC) na rezystancję kontaktów. Sprawdzono wpływ przygotowania powierzchni polegającego na wcześniejszym utlenieniu termicznym węglika krzemu oraz usunięciu tlenku bezpośrednio przed osadzeniem metalizacji kontaktowej. Przetestowano również wpływ wodoru w trakcie wygrzewania na właściwości kontaktów omowych. Porównano rezultaty uzyskiwane dla płaszczyzny krzemowej (0001) oraz węglowej (000-1) węglika krzemu. Celem przeprowadzonego eksperymentu było przede wszystkim określenie optymalnych parametrów procesu dla dostępnych urządzeń i wykonanie kontaktów Ti/4H-SiC o możliwie najmniejszej rezystancji. Szczegóły eksperymentu Komercyjnie dostępne podłoża węglika krzemu bez warstwy epitaksjalnej (SiCrysta[...]

 Strona 1