Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"MAŁGORZATA MOŻDŻONEK"

Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego


  Węglik krzemu (SiC) jest związkiem posiadającym bardzo dobre (korzystne) właściwości fizyczne i elektryczne (duża chemiczna stabilność, wysoka termiczna przewodność i ruchliwość elektronów), które pozwalają wytworzonym elektronicznym elementom pracować w wyższych temperaturach niż elementy wykonane z krzemu lub GaAs. Szeroka przerwa zabroniona SiC (~3 eV) jest przyczyną występowania mniejszych prądów upływu i wyższych napięć przebicia półprzewodnikowych przyrządów elektronicznych. Z powodu tych właściwości SiC jest używany do wytwarzania przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości. Jest też uważany za idealny materiał dla zastosowań, w których takie atrybuty jak twardość, i sztywność, odporność na utlenianie w podwyższonej temperaturze odgrywa ważną rolę. Jest wiele politypów SiC posiadających różne charakterystyki. Najczęściej stosowanymi politypami są 4H-SiC i 6H-SiC. Wytwarzanie przyrządów elektronicznych zwykle wymaga wzrostu grubej warstwy tlenkowej. Tworzenie warstwy tlenkowej na powierzchni SiC może być prowadzone za pomocą osadzania chemicznego lub utleniania termicznego. W tej pracy koncentrujemy się na procesie utleniania termicznego, które prowadzi do powstania warstwy pasywacyjnej (ochronnej) SiO2 lub izolacji elektrody bramki (przyrządy MOS). Elektryczna jakość interfejsu SiC/SiO2 wytworzonego metodą termicznego utleniania powierzchni SiC zależy od wielu czynników. Między innymi od przygotowania powierzchni przed procesem oraz od środowiska utleniania (w suchym O2 czy parze wodnej), temperatury, typu domieszki w podłożu, koncentracji, orientacji krystalograficznej, politypu SiC, a także od warunków wygrzewania po utlenianiu. Kinetyka utleniania SiC, w porównaniu do Si jest wciąż mało poznana i zrozumiana. Prędkość utleniania SiC jest znacznie niższa niż krzemu, a jakość interfejsu SiC/SiO2 znacznie gorsza niż Si/SiO2. Chemiczne trawienie powierzchni SiC przed procesem utleniania prowadzi do polepszenia wł[...]

Pomiary spektralne materiałów wybuchowych w pasmie terahercowym

Czytaj za darmo! »

Zagrożenie bezpieczeństwa ze strony zorganizowanych grup przestępczych i terrorystycznych stymuluje rozwój technik zabezpieczeń i wykrywania środków zagrożenia w postaci materiałów wybuchowych, środków chemicznych, biologicznych i radioaktywnych. Szczególnie dotyczy to środków transportu lotniczego i miejskiego. Formacje wojskowe, zwłaszcza w działaniach w obrębie zabudowy miejskiej również są narażone na działanie ww. środków zagrożenia oraz ataku z ukrycia w budynkach itp. Poszukując bardziej skutecznych środków wykrywania ukrytych materiałów, ludzi, opakowanych środków chemicznych czy biologicznych zwrócono uwagę na dotychczas nie wykorzystywane pasmo fal elektromagnetycznych leżące między krótkimi mikrofalami (falami milimetrowymi), a daleką podczerwienią. Obecnie pasmo t[...]

 Strona 1