Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"Aleksander M. Wr óbel"

Otrzymywanie i właściwości cienkich warstw a-SiC:H nanoszonych w procesie RP-CVD z tetrametylodisilaetylenu

Czytaj za darmo! »

Warstwy węglika krzemu ze względu na swoje unikatowe właściwości optyczne [1], elektryczne [2, 3] i mechaniczne [4, 5] od lat cieszą się szerokim zainteresowaniem. Materiał ten charakteryzuje się dużą odpornością termiczną, chemiczną, wysoką twardością [6÷9] oraz odpornością na przenikanie czynnika korodującego. Warstwy węglika krzemu mogą być efektywnie wytwarzane z prekursorów krzemoorganicznych, stosując różne metody chemicznego nanoszenia z fazy gazowej (CVD), w tym również procesy plazmowe CVD (konwencjonalny oraz selektywny proces plazmowy CVD). Spośród wymienionych metod selektywny proces plazmowy CVD (remote plasma CVD) jest szczególnie atrakcyjny ze względu na możliwość wytwarzania jednorodnych chemicznie i morfologicznie materiałów cienkowarstwowych oraz łatwość kontroli parametrów procesu wzrostu warstwy. Selektywny proces plazmowy CVD różni się zasadniczo od konwencjonalnego procesu plazmowego: wzbudzanie plazmy i wzrost warstwy odbywają się w przestrzennie oddzielonych strefach. Plazma jest wytwarzana w atmosferze prostego gazu reaktywnego, jak np.: H2, [10, 11], N2 [10, 12], O2 [10], albo gazu szlachetnego, jak np.: Ar [13], He [10] i jest ona źródłem jednorodnego, elektrycznie obojętnego inicjatora, którym mogą być powstałe w rezultacie dysocjacji atomy wodoru, tlenu, azotu lub wzbudzone atomy gazu szlachetnego o znanej energii wzbudzenia. Separowane z plazmy atomy inicjatora wpływają do zasilanej substratem strefy wolnej od plazmy, gdzie następuje inicjowanie procesu CVD. W pracy przedstawione są rezultaty badań nad wytwarzaniem amorficznego węglika krzemu (a-Si:C:H) z 1,1,4,4-tetrametylodisilaetylenu (TMDSE) w selektywnym procesie plazmowym, inicjo[...]

 Strona 1