Nakładające się wzajemnie i związane ze sobą efekty procesów fizykochemicznych podczas detonacji gazowej mają kluczowy wpływ na osiągnięcie i utrzymanie temperatury natryskiwanych cząstek w bardzo krótkim czasie oddziaływania medium gazowego podczas przejścia fali detonacyjnej (10-7÷10-5 s), jak i w warunkach adiabatycznego rozprężania się gazowych produktów spalania detonacyjnego (ok.10-3 s). Dlatego kompleksowa analiza wyników właściwości termo-gazo-kinetycznych gazowego strumienia detonacyjnego pozwoli ujawnić rozmiar graniczny cząstki FeAl, która zachowa stan stały w momencie zderzenia z materiałem podłoża. Jednak uzyskanie w pełni miarodajnych wyników badań dotyczących oceny stanu ogrzania cząstek proszkowego materiału powłokowego w warunkach GDS jest znacząco utrudnione. Problemy eksploatacyjne i obliczeniowe wynikają przede wszystkim z nakładających się wzajemnie, związanych ze sobą efektów towarzyszących procesom fizykochemicznym w detonacji gazowej [1÷7]. Efekty te szczegółowo obrazuje zmiana parametrów termodynamicznych i prędkości przepływu strumienia gazowego w strefie oddziaływania fali detonacyjnej (FD), do momentu aż osiągnie on odkryty koniec lufy [1÷3]. Za wylotem z lufy działa podążające za falą uderzeniową gazowe produkty spalania detonacyjnego doświadczają zjawiska przepływu falowego, z serią następujących po sobie zmian - kolejno kompresji i ekspansji [4]. Falowa struktura przepływu naddźwiękowego strumienia metalizacyjnego z tworzącymi się dyskami Macha jest dość szybko wygaszana w wyniku wzajemnego tarcia molekuł gorącego gazu z powietrzem z atmosfery, wywołanego wytworzeniem turbulentnej warstwy ścinającej o lepkim tłumieniu [1]. Niemniej jednak cykliczne zmiany prędkości i temperatury produktów gazowych, mające miejsce bezpośrednio po ich wylocie z lufy działa GDS (do momentu osiągnięcia przez strumień prędkości poddźwiękowej), wywierają również istotny wpływ na końcową prędkość i stopień ogrzania cz[...]

  Fully-depleted silicon-on-insulator (FD SOI) CMOS technology is widely used for fabrication of low-power, low-voltage CMOS integrated circuits (ICs) [1]. Interest in SOI CMOS technology in ITE dates to the late 90s. Different aspects of SOI technology have been considered, e.g. modelling of PD SOI MOSFETs, as well as integration of CMOS on thick SOI substrates with p-n junction based detectors of ionizing radiation [2, 3]. Recent works also comprise development of FinFET-type devices for application as chemical detectors [4]. Thus a variety of SOI CMOS technologies are under continuous development. These applications, except for the FinFET-based one, have not taken advantages of FD SOI technology: better channel operation control by gate voltage, better subthreshold I-V characteristics, lower p-n junction area and capacitance, thus lower leakage, power consumption and higher speed, as well as wider range of temperature operation. In order to fill this gap, a collaboration with UCL has been undertaken, and supported by TRIADE project [5]. The collaboration aims at transferring the FD SOI CMOS technology, originally developed at UCL [1], to ITE. Main features of this process are as follows: supply voltage 3 V, threshold voltage 0.3 V, and min poly-silicon gate width 1.5 μm. In the sections below issues related to the task mentioned above are reported. SOI substrates A recommended method for fabrication of high-quality 4-inch SOI substrates (requirement of ITE facilities) consists in laser cutting of the 200 mm UNIBOND SOI wafers manufactured originally by SOITEC. At present they represent the top quality with respect to thin silicon layer properties (crystallography, Si/SiO2 interface quality, thickness, and its uniformity), which are very relevant for manufacturing of the FD SOI CMOS devices. Method and equipment for laser cutting of 200 mm wafers have been developed in ITE. In Fig.1. the way, in which the 200 mm SOI U[...]

  Transaktynowce - najcięższe pierwiastki chemiczne (liczba atomowa większa od 103), nie występujące w przyrodzie, otrzymywane w wyniku reakcji jądrowych, są przedmiotem badań w wielu ośrodkach światowych, z których najważniejszymi są: ● Lawrence Berkeley National Laboratory w Berkeley, w USA (BNL), ● Zjednoczony Instytut Badań Jądrowych w Dubnej w Rosji (ZIBJ), ● GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH w Darmstadt w RFN (GSI). W 2004 roku Instytut Technologii Elektronowej nawiązał współpracę z Institut für Radiochemie - Technische Universität München (IR TUM) w dziedzinie detektorów do badań nad transaktynowcami. Na zamówienie i we współpracy z IR TUM opracowano i wykonano w ITE 4 typy 64-elementowych matryc chromatograficznych (64 x 100 mm2) nazwanych TUM1/Al i TUM1/Au, oraz TUM2/SiO2, TUM2/Au do opracowanego tam systemu detekcyjnego COMPACT (Cryo On-line Multidetector for Physics And Chemistry of Transactinides) przeznaczonego do międzynarodowych badań, prowadzonych głównie w GSI. Matryce TUM1 i TUM2 stosowano w badaniach nad otrzymywaniem i właściwościami hasu (symbol Hs, liczba atomowa 108). Kolejne 2, zmodyfikowane typy (TUM4/SiO2, TUM4/Au) opracowano i wykonano dla GSI. Matryce TUM4 stosowano w badaniach nad pierwiastkiem 114, a obecnie stosowane są do pierwszych na świecie badań nad pierwiastkiem 119 i 120. Bardzo dobre rezultaty, uzyskane w badaniach hasu, przy zastosowaniu matryc TUM1, spowodowały zainteresowanie Paul Scherrer Institut - Villigen - Szwajcaria (PSI) detektorami ITE. Na zamówienie i we współpracy z PSI opracowano i wykonano w ITE[...]

  W czujnikach mikrodźwigniowych, zmiany stanu fizyko-chemicznego rejestrowane są poprzez rejestrację przemieszczenia (ugięcia) mikrodźwigni. Jedną z najczulszych metod pomiaru tego przemieszczenia jest metoda odbicia wiązki optycznej (Optical Beam Deflection - OBD). W metodzie tej, odchylenie wiązki świetlnej odbitej od mikrodźwigni, padającej na matrycę fotodiodową o odpowiedniej konfiguracji elementów światłoczułych, wykrywane jest przez pomiar zmiany rozkładu mocy optycznej na [...]