Wyniki 1-1 spośród 1 dla zapytania: authorDesc:"ANDRZEJ BRZOZOWSKI"

Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych

Czytaj za darmo! »

Przedstawiona w niniejszej pracy idea krawędziowego przetwornika fotowoltaicznego współpracującego z kolektorem fluorescencyjnym nawiązuje do rozwiązań proponowanych w latach siedemdziesiątych ubiegłego wieku, które dotyczyły oświetlanych krawędziowo wielozłączowych ogniw VMJ (ang. Vertical Multi- Junctions), utworzonych przez bezpośrednie połączenie szeregu pojedynczych płytek krzemowych zawierających złącze p-n [1-3]. Zasadniczą zaletą ogniwa VMJ jest możliwość pracy przy bardzo wysokiej gęstości mocy padającego promieniowania [4-5]. Dla wytworzenia struktury krzemowej przeznaczonej do konstrukcji krawędziowego ogniwa fotowoltaicznego zastosowano metodę epitaksjalnego osadzania warstw krzemowych. Struktura czynna ogniwa została otrzymana w procesie epitaksji Wnioski Zastosowana technologia wytwarzania ogniw słonecznych pozwala na otrzymanie ogniwa o sprawności 14,2%, co świadczy o możliwości zastosowania jej w produkcji seryjnej. Dodatkowo badania własności optycznych ogniw pokazują, że w zakresie długości fali od 500…1000 nm znajduje się ponad 80% fotonów biorących udział w generacji par elektron‑dziura. Wzrost sprawności ogniwa uzyskano dzięki teksturowaniu przedniej powierzchni krzemowej płytki w roztworze 30% KOH pozwalającemu na zwiększenie powierzchni czynnej ogniwa słonecznego dzięki wytworzeniu na ich powierzchni nierównomiernie rozłożonych piramid. Uzyskana rezystancja właściwa świadczy o dobrym omowym kontakcie elektrody przedniej z krzemem. Literatura Rys. 5. Wewnętrzna wydajność kwantowa - EQE dla krzemowego ogniwa słonecznego, EQE_Si dla wzorca (fotodioda krzemowa Hamamatsu) Fig. 5. Internal quantum efficiency of solar cell - EQE for a silicon solar cell, EQE_Si for a standard (silicon photodiode Hamamatsu) Rys. 6. Topografia elektrody przedniej oraz strefy jej połączenia z podłożem krzemowym (SEM) Fig. 6. Topography of front electrode and its connection zone with Si substrate (SEM) [1] Dobrzań[...]

 Strona 1