Wyniki 1-2 spośród 2 dla zapytania: authorDesc:"GRZEGORZ Łuka"

Technologia Osadzania Warstw Atomowych – zastosowania w elektronice


  50 lat temu wprowadzono do produkcji pierwsze układy scalone (IC od integrated circuits). Jest to, więc najlepsza okazja, aby omówić historię tego przełomowego wynalazku i wprowadzić nową metodę technologiczną - technologię osadzania warstw atomowych (ALD od Atomic Layer Deposition), która umożliwiła dalszą miniaturyzację tranzystorów i wprowadzenie trzech nowych generacji (standardów technologicznych 45, 32 i 22 nm) w produkcji IC. Krótka historia tranzystorów i układów scalonych Dwa powszechnie podawane najważniejsze wydarzenia w historii elektroniki to prace Russella Ohla z roku 1939, a następnie Bardeena, Schockleya i Braitaina z 1947 roku. W pierwszej z nich wprowadzono złącza p-n, a w drugiej zaprezentowano pierwszy tranzystor. Patrząc na zmiany cywilizacyjne, które są konsekwencją tych wynalazków, wiek XX powinien być nazwany wiekiem tranzystora, a nie atomu. Dopiero ostatnio "odkryto" na nowo pionierskie prace Lillienfelda z roku 1925 i Heila z roku 1935, którzy wprowadzili koncepcję tranzystora polowego. Po pracy Bardeena, Schockleya i Braitaina z 1947 roku, w roku 1951 wprowadzono pierwszy tranzystor złączowy, a pierwszy tranzystor polowy typu MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) w roku 1960. Równolegle Kilby i Noyce w latach 1958 i 1959 zademonstrowali koncepcję układu scalonego. Jego komercjalizacja nastąpiła w roku 1961, czyli jak wspomniano we wstępie 50 lat temu. Kolejne lata to ciągły postęp w produkcji IC, co następowało dzięki wprowadzaniu nowych standardów produkcyjnych (tzw. technological nodes - podawane wymiary są rzędu długości kanału w tranzystorze polowym). Ten postęp od wielu dekad opisuje sławne prawo Moore’a [1], znane pod wieloma postaciami. Jedna z nich przewiduje, że liczba tranzystorów w układzie scalonym podwaja się, co dwa lata. Tak sformułowane prawo Moore’a opisuje postęp w miniaturyzacji tranzystorów od 40 lat. Ten postęp jest niebywały. O ile 40 lat [...]

Photoelectrical properties of photovoltaic structures based on CdTe/ZnO


  Photovoltaics continues to be one of the fastest growing industries, with annual increase beyond 40% [1]. Photovoltaic (PV) solar cells convert incoming solar radiation directly into electricity and produce electricity as each conventional source of energy, but they are very attractive for they are environment friendly. Zinc oxide (ZnO) is nowadays worldwide extensively studied for optoelectronics and photovoltaics application. It is predicted that there will be a mass production of conducting ZnO layers as transparent electrodes in solar cells. It is said that ZnO layers will soon replace indium transparent oxide (ITO) because of high cost and limited supply of indium. Yet there is another very attractive field of ZnO application. It may be used as the n-type partner for the organic materials. There is a bright future in front of the PV cells based on such a hybrid structures for their flexibility and a very low cost of production. The use of ZnO in the novel electronic and PV devices demands low or extremely low processing temperature [2-4]. There are many different technologies used to obtain ZnO layers. These are chemical vapor deposition (CVD), molecular [...]

 Strona 1