Wyniki 11-11 spośród 11 dla zapytania: authorDesc:"Tomasz TARCZEWSKI"

Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT DOI:10.15199/48.2018.03.21

Czytaj za darmo! »

W ostatnich latach można zauważyć znaczny wzrost zainteresowania materiałami o tzw. szerokim paśmie wzbronionym (z ang. Wide Bandgap - WBG) pod kątem ich zastosowania w technologii półprzewodnikowych przyrządów mocy [1-3]. Tendencja ta wynika z właściwości przyrządów półprzewodnikowych wytworzonych na bazie węglika krzemu (SiC) oraz azotku galu (GaN). Analizując przebieg rozwoju energoelektroniki można zauważyć ważną tendencję obejmującą redukcję: gabarytów urządzeń, strat mocy przekształtników, a także minimalizacji niepożądanej interakcji na linii: źródło zasilania-przekształtnik i przekształtnik-odbiornik [4]. Redukcję gabarytów urządzeń można uzyskać poprzez: stosowanie mniejszych elementów pasywnych, układów chłodzenia, a także eliminację pasożytniczych parametrów obwodów takich jak np. pojemności oraz indukcyjności. Podejście takie wymusza konieczność odpowiedniego projektowania obwodów mocy oraz zastosowania zaawansowanych elementów elektronicznych. Chcąc uzyskać redukcję gabarytów układów chłodzenia konieczne jest zmniejszenie całkowitych strat mocy urządzenia, co wiąże się z ograniczeniem emisji ciepła pochodzącego z elementów obwodu mocy uczestniczących w procesie przetwarzania energii elektrycznej. Zastosowanie przyrządów półprzewodnikowych na bazie GaN pod tym względem wydaje się być jak najbardziej zasadne, zważywszy na ich bardzo dobre parametry dynamiczne oraz statyczne. Elementy te cechują się niewielkimi pojemnościami pasożytniczymi, bardzo krótkimi czasami przełączenia oraz dobrą przewodnością elektryczną - niewielka wartość rezystancji przewodzenia [1,2]. Kolejnym ich atutem jest bardzo mała energia załączania oraz wyłączania [5,6], co dodatkowo wpływa pozytywnie na redukcję generowanych strat mocy. Taki stan rzeczy pozwala na osiągnięcie wysokiej sprawności przekształtnika. Ze względu na bardzo krótkie czasy przełączeń oraz niewielką energię przełączenia możliwe jest uzyskanie bardzo wysokich częstot[...]

« Poprzednia strona  Strona 2