Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2010 - zeszyt 7

Investigation of crystalline structure defects in high-resistance monocrystals of gallium selenide

nr katalogowy: 53409

The trapping centres in є-GaSe single crystals have been investigated by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). Five traps have been detected and their parameters are presented. It has been demonstrated that photo-induced depolarization oh the sample after processing in the frame of DLTS procedure could be used for determination of the traps parameters. The parameters of trap A5 obtained from PICTS and photo-induced depolarization relaxation are in close agreement. Streszczenie. Badano centra pułapkowe w pojedynczych kryształach є-GaSe metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PICTS). Wykryto pięć pułapek, których parametry zaprezentowano. Wykazano, że foto-indukowana depolaryzacja próbki po zastosowaniu spektroskopii niestacjonarnej pojemności (DLTS) może być użyta do określenia parametrów pułapek, Parametry pułapki A5 otrzymane przy pomocy PICTS oraz DLTS wykazują wysoki stopień zgodności. (Badanie defektów struktury krystalicznej w monokryształach selenku galu o wysokiej rezystywności). Keywords: GaSe, layered crystals, PICTS, traps, photo-induced depolarization. Słowa kluczowe: GaSe, kryształy warstwowe, PICTS, pułapki, foto-indukowana depolaryzacja. Introduction Possessing pronounced anisotropy of their physical properties the layered crystals of GaSe are very promising for many practical applications in nonlinear optics, photoelectronics, photovoltaics, etc. Electrically active defects in the low-resistance є-GaSe have been sufficiently explored [1-4], while the high-resistive crystals required in many cases for a practice have not been adequately examined. In this study the findings of an investigation of the electrically active defects in high-resistance GaSe single crystals realized by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) and photo-induced depolarization are presented. Experimental The є-GaSe crystals with small γ-polytype fraction were grown from the me[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 53409 "Investigation of crystall..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2010-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2010-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma